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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]超高功率变压器-CN201210008533.5无效
发明人：潘正友 -专利权人：昱京科技股份有限公司
申请日： 2012-01-12 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01F27/30 文献下载
摘要：一种超高功率变压器，包括有：一基座、多数个片体以及多数个阻隔体；所述基座包括有：一主芯部、多数个开槽以及多数个侧翼部，主芯部为一多边形形状，二边连接处形成具有一第一曲率半径的一第一顶角，此一主芯部更具有贯穿之一穿孔
超高功率变压器

[发明专利]高集成智能功率模块-CN201110435636.5无效
发明人：程德凯;王有朋;黄祥钧;陈超;冯洁;冯奇;华庆;陈玲娟;冯宇翔 -专利权人：广东美的电器股份有限公司
申请日： 2011-12-21 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：一种高集成智能功率模块，在高集成智能功率模块IPM3内设有逻辑控制电路及驱动电路，该高集成智能功率模块IPM3产生两路输出，第一路输出为U3、V3和W3，第二路输出为U4、V4和W4，其中，第一路输出驱动变频空调的变频压缩机高集成智能功率模块IPM3包括控制芯片MCU2、高压集成电路HVIC3、第一模拟开关K1、第二模拟开关K2和第三模拟开关K3，控制芯片MCU2通过第一控制信号PRO3控制高压集成电路HVIC3，并通过第二控制信号
集成智能功率模块

[发明专利]功率器件热源模拟装置-CN201110376379.2无效
发明人：毕金成 -专利权人：深圳市英威腾电气股份有限公司
申请日： 2011-11-23 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： G01M99/00 文献下载
摘要：本发明公开一种功率器件热源模拟装置，其包括有一导热薄片及至少一固定于所述导热薄片上的发热体，所述发热体包括有一导热基片、一设置于所述导热基片上的电阻元件及一罩盖所述导热基片和电阻元件的隔热外壳，所述隔热外壳上设置有二接线柱该功率器件热源模拟装置可以准确地模拟出功率器件的发热情况。
功率器件热源模拟装置

[发明专利]功率有效电容检测方法-CN201210045587.9无效
发明人：尼尔·塔歇尔;伏莱第米尔·阿布拉默;叶海滋卡尔·福来德曼;艾纳·诺维斯基;马克·卢克亚尼契夫 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2008-08-13 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： G06F3/044 文献下载
摘要：本发明提供一种功率有效电容检测方法，该方法包含：判定自接近包括至少一电容感测器的电容感测区域的对象的存在的检测以来是否已流逝一预定量的时间；以及若判定已流逝所述预定量的时间，则引起随后尝试来检测所述对象是否接近所述电容感测器区域，以相较于已判定未流逝所述预定量的时间时消耗较少的功率。
功率有效电容检测方法

[发明专利]大功率LED灯具-CN201110417448.X无效
发明人：李克勤;陈宏杰;钟蜀龙 -专利权人：中山伟强科技有限公司
申请日： 2011-12-14 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： F21S2/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种大功率LED灯具，其中包括一LED模块，一内散热器，一外散热器，第一热管组，第二热管组及一支撑板，第一、第二热管组均由复数个U形热管共同组成，其U形中段通过支撑板组合在一起，并安置LEDLED模块的导热元件，能够快速的将LED模块所产生的热量传递给内、外散热器，实现快速热交换，本发明热量传导快速，且通过内、外散热器实现同时散热，散热效果十分理想，经由实验，可应用于500~1000W之超大功率的
大功率 led 灯具

[发明专利]功率用半导体器件-CN201110273464.6无效
发明人：川口雄介 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2011-09-15 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供功率用半导体器件，包括：包含纵式MOSFET的元件部和与元件部邻接的二极管部，该纵式MOSFET包括：第一导电型的第一半导体层；第一导电型的第二半导体层；第二导电型的第三半导体层；第一导电型的第四半导体层
功率半导体器件

[发明专利]大功率电源设备-CN201110365235.7无效
发明人：马书叁;罗证嘉;董自信 -专利权人：台达电子企业管理（上海）有限公司;中达光电工业（吴江）有限公司
申请日： 2011-11-17 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本发明提出了一种大功率电源设备，包括：一整流电路，用以将交流转换为直流；一直流电抗器，串接于整流电路的直流侧，用以改善电流波形；以及一突波吸收装置，耦接于直流电抗器的两端，与直流电抗器相并联；其中，当直流电抗器因整流电路直流侧的突波产生与整流电路的直流侧电流流向相反的一感应电压时本发明所提出的大功率电源设备，采用突波吸收装置将直流电抗器所产生的感应电压钳位在一安全电压范围内，从而可以避免因直流电抗器所产生的感应电压而导致整流电路中的元器件损坏的情形出现。
大功率电源设备

[发明专利]大功率LED灯-CN201110330466.4无效
发明人：刘坚 -专利权人：宁波腾隆户外用品有限公司
申请日： 2011-10-27 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： F21S2/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种大功率LED灯，包括至少一个发光二极管（1）、用于安装发光二极管（1）的基板（2）、灯具外壳（3）和安装灯头（4），其特征在于：所述的基板（2）下端设置有散热装置（5），所述的散热装置（
大功率 led

[发明专利]汽车专用功率模块-CN201010545865.8无效
发明人：叶岳芳;苏西安;盛熙 -专利权人：嘉兴协丰汽车电器有限公司
申请日： 2010-11-16 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： G05B19/042 文献下载
摘要：本发明公开了一种汽车专用功率模块，包括主控制器电路，主控制器电路的输入端接信号分时复用电路一、信号分时复用电路二、信号采集及处理单元和控制参数调整电路，主控制器电路的输出端接功率调整输出电路，信号分时复用电路一的输入端分别与多个信号输入电路相接，信号分时复用电路二的输入端分别与多个信号输入电路相接；信号采集及处理单元由传感器和与传感器相接的信号调理电路一构成；功率调整输出电路由信号调理电路二和与信号调理电路二相接的IGBT功率模块构成。
汽车专用功率模块

[发明专利]射频功率放大模块-CN200410035336.8无效
发明人：大西正己;田上知纪;松本秀俊 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2004-04-22 - 公布日： 2004-10-27 - 主分类号： H03F3/60 文献下载
摘要：本发明提供射频功率放大模块，其可在不增大模块基板面积的前提下，在连接偏压控制部与射频功率放大部的偏压供应线路中，对射频信号进行充分衰减。在连接偏压控制部(104)和射频功率放大部(103)的偏压供应线路上，使用针脚结构电感，(108、109)，该针脚结构电感(108、109)是由具有对地电容成分的至少一个焊接区106和通过该焊接区而连接成的焊线
射频功率放大模块

[发明专利]功率测量装置及其方法-CN200410004299.4无效
发明人：安东尼·利默 -专利权人：安捷伦科技有限公司
申请日： 2004-02-18 - 公布日： 2004-09-29 - 主分类号： G01R21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种自平衡阻抗桥电路装置，所述自平衡阻抗桥电路装置包括传感器器件和电子元件，电子元件提供可选择阻抗值使得传感器器件的阻抗对应于保持在可接受界限内的传感器器件的温度。
功率测量装置及其方法

[发明专利]低功率处理器-CN97199916.3无效
发明人：户冢米太郎;石桥孝一郎;水野弘之;西井修;内山邦男;志村隆则;关根麻子;胜木阳一;成田进 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 1997-11-21 - 公布日： 2003-10-01 - 主分类号： G06F1/04 文献下载
摘要：本发明的处理器的特征是：在处理器芯片上边具备：执行程序指令串的处理器主电路；切换加在该衬底上的衬底偏置电压的衬底偏压装置；接受处理器主电路中的向备用模式变迁的指令的执行并控制上述衬底偏压，使得上述偏压切换为备用模式的电压，当从外部接受了解除备用的中断后使偏压切换为通常模式用的电压，在该切换后的偏压稳定后，解除处理器主电路的备用，使之重新动作的动作模式控制部分。
功率处理器

[发明专利]低功率处理器-CN03107554.1无效
发明人：户冢米太郎;石桥孝一郎;水野弘之;西井修;内山邦男;志村隆则;关根麻子;胜木阳一;成田进 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 1997-11-21 - 公布日： 2003-09-17 - 主分类号： G06F1/04 文献下载
摘要：本发明的具有包含晶体管的第1电路块和第2电路块，在上述第1电路块和上述第2电路块之间进行信号交换的半导体集成电路装置，其特征是：具有衬底偏压发生电路，用于把偏压加在形成该第1电路块的晶体管的半导体衬底上，具有输出固定电路，用于在上述衬底偏压发生电路使上述衬底偏压变化时，固定从上述第2电路块向上述第1电路块输入的信号的至少一部分的电平。
功率处理器

[发明专利]功率因数改善电路-CN98108036.7无效
发明人：铃木康畅;手岛透 -专利权人：株式会社I－HITS研究所
申请日： 1998-03-05 - 公布日： 2004-09-15 - 主分类号： H02M1/12 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种新的功率因数改善电路，用于减少包含在交流电流中的谐波电流分量，并在具有整流电路的电路中达到极好的功率因数和效率，其被提供在整流电路和半桥逆变器之间，包括放电二极管和与其串联的滤波电容
功率因数改善电路

[发明专利]发射功率控制系统-CN200310121456.5无效
发明人：细川泰辅 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 2003-12-17 - 公布日： 2004-06-30 - 主分类号： H04B7/005 文献下载
摘要：本发明公开了一种发射功率控制系统。
发射功率控制系统

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