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[发明专利]一种PSS图形化衬底刻蚀方法-CN201210562272.1有效
发明人：刘海鹰 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2012-12-21 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开一种PSS图形化衬底刻蚀方法，包括，提供衬底，并在衬底上制作具有所需图形的掩膜；按照主刻蚀过程对衬底进行刻蚀；按照过刻蚀过程对衬底进行刻蚀；结束刻蚀；其中，所述主刻蚀过程包括N个刻蚀子过程，对于相邻的两个刻蚀子过程，后一个刻蚀子过程所采用的下电极射频功率高于前一个刻蚀子过程所采用的下电极射频功率，N为大于或等于3的整数。通过本发明实施例提供的PSS刻蚀方法，抑制了现有技术中通过降低下电极功率的方法造成PSS图形底宽的大量增加以及造成生产效率下降的问题，且在有效抑制底宽的同时提高整个主刻蚀过程的选择比，改善了PSS刻蚀工艺
一种 pss 图形衬底刻蚀方法

[发明专利]一种图形化衬底的方法-CN201410559500.9有效
发明人：刘海鹰 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2014-10-20 - 公布日： 2018-05-08 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种图形化衬底的方法，包括：主刻蚀过程，对表面形成有掩膜的衬底进行主刻蚀，在掩膜的覆盖面积减小之前结束主刻蚀过程；过刻蚀过程，对经过主刻蚀的衬底进行过刻蚀，过刻蚀过程中掩膜的刻蚀速率小于主刻蚀过程中掩膜的刻蚀速率本发明所提供的图形化衬底的方法通过在掩膜的覆盖面积减小之前结束主刻蚀，避免了在主刻蚀过程中PSS图形侧壁出现突兀的拐角，之后通过在过刻蚀过程中降低掩膜的刻蚀速率，以减小掩膜的内缩速率，使最终形成的PSS
一种图形衬底方法

[发明专利]通孔刻蚀方法-CN200610030796.0有效
发明人：韩秋华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-09-04 - 公布日： 2008-03-12 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：一种通孔刻蚀方法，包括：形成通孔刻蚀结构，所述通孔刻蚀结构包含顺序沉积的粘接层、刻蚀终止层、介质层及图案化的光致抗蚀剂层；刻蚀抗反射涂层；刻蚀介质层；移除光致抗蚀剂层；进行刻蚀终止层的刻蚀；所述介质层的刻蚀过程包括第一刻蚀过程和第二刻蚀过程；分别选用第一刻蚀气体和第二刻蚀气体进行所述第一刻蚀过程和第二刻蚀过程。采用本发明方法，可提高光致抗蚀剂层的致密度，进而有效地控制刻蚀通孔的形貌；并可进一步调整横向、纵向的刻蚀选择比，精确控制刻蚀通孔的形状，以避免损伤栅极侧墙，保证器件可正常工作。
刻蚀方法

[发明专利]一种等离子干法三维刻蚀模拟方法-CN201110135120.9有效
发明人：宋亦旭;杨宏军;翟伟明;孙晓民;贾培发 -专利权人：清华大学
申请日： 2011-05-24 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明属于微电子加工中刻蚀过程模拟领域，提供了一种用蒙特卡罗(MC)和元胞自动机(CA)技术实现的等离子干法三维刻蚀过程的模拟方法。该方法从模拟刻蚀复杂刻蚀图形的角度出发，采用蒙特卡罗方法计算等离体中各种粒子输运到表面元胞的流量，利用表面刻蚀模型来计算刻蚀对象表面的刻蚀速度，再用元胞自动机方法实现复杂刻蚀图形表面轮廓刻蚀过程的模拟，为准确模拟三维复杂图形的刻蚀过程提供了一个方法。本发明可实现模拟复杂的刻蚀图形的刻蚀过程，为刻蚀参数配置提供指导，降低生产成本，提高加工效率。
一种等离子三维刻蚀模拟方法

[发明专利]光栅的刻蚀控制方法及装置-CN201910251220.4有效
发明人：曾理江;李立峰 -专利权人：北京至格科技有限公司
申请日： 2019-03-29 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本公开涉及一种光栅的刻蚀控制方法及装置。该方法包括：在光栅刻蚀过程中，实时确定待刻蚀光栅的衍射效率；根据衍射效率，判断是否满足停止刻蚀的条件；在满足停止刻蚀的条件时，控制停止刻蚀。本公开实施例，通过在光栅刻蚀过程中，监测待刻蚀光栅的实时衍射效率，并在根据衍射效率判断满足停止刻蚀的条件时，控制停止刻蚀，以实现对刻蚀过程的精确控制，从而能够有效提高刻蚀深度的精确度。
光栅刻蚀控制方法装置

[发明专利]半导体器件的制作方法-CN200910140304.7有效
发明人：赵林林;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-07-15 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件的制作方法，应用于形成浅沟槽隔离区后的栅极刻蚀工序中，所述栅极刻蚀的主刻蚀时间包括干涉测量终点IEP检测时间和过刻蚀补偿过程时间，该方法包括：确定沟槽深度与过刻蚀补偿过程时间的对应关系，在半导体器件具有所述沟槽深度时，根据所述对应的过刻蚀补偿过程时间，在主刻蚀过程中对栅极进行过刻蚀补偿。
半导体器件制作方法

[发明专利]有机膜的刻蚀方法和显示基板显示区域电路的修补方法-CN201811407799.0有效
发明人：包征;范磊;辛燕霞 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2018-11-23 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明提供一种有机膜的刻蚀方法和显示基板显示区域电路的修补方法。该有机膜的刻蚀方法包括通过聚焦离子束对有机膜的待刻蚀位置进行刻蚀，刻蚀过程中，向有机膜的待刻蚀位置的待刻蚀面上通入水汽。该有机膜的刻蚀方法，通过在聚焦离子束刻蚀有机膜的工艺过程中向待刻蚀面上通入水汽，能够有针对性地快速刻蚀有机膜的待刻蚀位置，且在刻蚀过程中不会对有机膜的其他非刻蚀位置造成刻蚀损伤，从而解决了现有的浓硫酸刻蚀所导致的非刻蚀位置遭到刻蚀损伤的问题，同时还加快了刻蚀速度。
有机刻蚀方法显示区域电路修补

[发明专利]刻蚀过程的控制方法、控制装置、存储介质和刻蚀设备-CN202010486606.6在审
发明人：周颖;胡军;刘隆冬;李明;张福涛;刘云飞 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-06-01 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本申请提供了一种刻蚀过程的控制方法、控制装置、存储介质和刻蚀设备，该方法包括：向刻蚀腔体中通入刻蚀气体，以对晶圆进行刻蚀，形成预定结构，晶圆吸附在刻蚀腔体内的基台上；消除基台和晶圆之间的吸附静电，且同时向刻蚀腔体中通入清洁气体，清洁气体为用于去除刻蚀腔体内的至少部分副产物的气体，副产物为对进行刻蚀的过程产生的。相比现有技术中的方案，该方案中，刻蚀过程仅仅需要两步，从而减少了刻蚀过程的时间，解决了现有技术中的3D NAND闪存中刻蚀形成台阶结构的耗时较长的问题，提高了晶圆的生产效率。
刻蚀过程控制方法装置存储介质设备

[发明专利]一种铜制程等离子刻蚀方法-CN201010280097.8有效
发明人：王兆祥;刘志强;黄智林 -专利权人：中微半导体设备(上海)有限公司
申请日： 2010-09-14 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：一种铜制程等离子刻蚀方法，为解决刻蚀刻蚀过程中铜原子被溅射出来暴露到反应腔引起刻蚀速率偏移的问题。在刻蚀含硅绝缘层直到露出下层的铜的过程中，本发明的刻蚀方法在刻蚀过程中保持原有刻蚀气体流量的同时提高含氧气体的流量。提高了氧气和刻蚀气体的混合比后，暴露在反应腔内的铜引起的刻蚀速率偏移问题被抑制，更易于获得长期、均一、稳定的加工效果。
一种铜制等离子刻蚀方法

[发明专利]刻蚀方法及半导体结构的形成方法-CN201610213588.8有效
发明人：胡敏达;郑二虎;张城龙;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-04-07 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种刻蚀方法及半导体结构的形成方法，所述形成方法包括：提供待刻蚀结构，所述待刻蚀结构内具有沟槽，所述沟槽内具有介质层；对所述沟槽内的介质层进行刻蚀，在刻蚀过程中，在所述待刻蚀结构侧壁表面形成聚合物，通过改变刻蚀温度使所述刻蚀过程包括：沉积阶段和去除阶段，在所述沉积阶段中，聚合物在待刻蚀结构表面的沉积速率大于聚合物刻蚀速率，在所述去除阶段中，聚合物在待刻蚀结构表面的沉积速率小于聚合物刻蚀速率。其中，通过改变温度使所刻蚀过程包括：沉积阶段和去除阶段，能够防止侧墙表面的聚合物过多而使刻蚀停止。
刻蚀方法半导体结构形成

[发明专利]一种栅极补偿隔离区刻蚀方法-CN201210138191.9无效
发明人：杨渝书;李程;陈玉文 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-05-04 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提出一种栅极补偿隔离区刻蚀方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构、覆盖所述栅极结构和所述半导体衬底的氧化层；进行第一刻蚀过程，所述第一刻蚀过程刻蚀所述氧化层，直到光学发生干涉仪确定刻蚀终点，即被刻蚀的所述氧化层达到预定厚度；进行第二刻蚀过程，所述第二刻蚀过程去除所述栅极结构顶部和半导体衬底上空旷区的氧化层，保留所述栅极结构侧壁的氧化层，形成栅极补偿隔离区。
一种栅极补偿隔离刻蚀方法

[发明专利]一种等离子体刻蚀工艺的终点检测方法-CN200510002965.5有效
发明人：许仕龙 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2005-01-27 - 公布日： 2006-08-02 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明所述的一种等离子体刻蚀工艺的终点检测方法，首先、基于等离子体刻蚀工艺过程中状态变迁情况建立马尔可夫模型；其次、在进行等离子体刻蚀过程中，获得相应的状态变迁图谱；最后、将状态变迁图谱与马尔可夫模型比较，确定刻蚀工艺的终点。可以准确可靠的找到刻蚀终点，控制刻蚀过程，提高刻蚀质量。
一种等离子体刻蚀工艺终点检测方法

[发明专利]一种深硅刻蚀方法-CN201210558737.6有效
发明人：蒋中伟 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2012-12-20 - 公布日： 2017-07-04 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开一种深硅刻蚀方法，该方法包括沉积步骤，生成保护层以对刻蚀侧壁进行保护；刻蚀步骤，对刻蚀底部和刻蚀侧壁进行刻蚀；重复所述沉积步骤和刻蚀步骤至整个深硅刻蚀过程结束；其中，还包括底部平滑步骤，所述底部平滑步骤为利用含氟气体执行等离子体处理，以去除刻蚀底部由于沉积产生的聚合物；并且，所述底部平滑步骤采用的工艺压力小于所述刻蚀步骤采用的工艺压力，在整个深硅刻蚀过程中执行所述底部平滑步骤至少一次。通过上述深硅刻蚀方法，在深硅刻蚀过程中抑制了刻蚀底部聚合物的逐渐增加，抑制微掩膜或者硅草的产生，从而提高深硅刻蚀的刻蚀速率以及选择比，并改善刻蚀底部的粗糙度。
一种刻蚀方法

[发明专利]一种分裂栅结构下的浮栅隔离刻蚀工艺-CN201810632298.6有效
发明人：许鹏凯;乔夫龙;韩朋刚 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2018-06-19 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明提出一种分裂栅结构下的浮栅隔离刻蚀工艺，包括下列步骤：提供一具有分裂栅结构的膜层结构，进行BARC和DARC刻蚀步骤，并通过调整刻蚀量使得Y向AA上方的DARC不完全打开；进行APF刻蚀步骤，Y向AA上方由于有DARC保护使得其APF不会被刻蚀，通过控制刻蚀量，在刻蚀过程后Y向AA附近区域剩余部分APF；进行BT刻蚀步骤，刻蚀过程曝光区域浮栅表面自然氧化层和Y向AA附近的APF都刻蚀开，并将新露出浮栅的表面自然氧化层也完全打开；进行SL刻蚀步骤，通过该刻蚀过程将曝光区域剩余的FG全部刻蚀干净；进行APF灰化过程，将剩余的APF去除获得符合要求的栅极结构。本发明能解决分裂栅工艺中浮栅隔离刻蚀中的氧化层被刻穿及硅基底损毁问题。
一种分裂结构隔离刻蚀工艺

[发明专利]硅片刻蚀方法-CN200610114381.1无效
发明人：孙静 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2006-11-08 - 公布日： 2008-05-14 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅片刻蚀方法，通过工艺气体对硅片进行刻蚀，硅片的下层为氧化层，对硅片进行刻蚀过程中采用激光检测仪检测刻蚀的过程，通过激光检测仪向硅片的刻蚀沟槽发射激光束，硅片的下表面和刻蚀沟槽的底面分别反射回激光束，通过两束反射的激光束分析刻蚀沟槽的深度。当刻蚀的深度接近氧化层上表面时，或当刻蚀形成的沟槽的底部任意一处暴露出氧化层上表面时，向工艺气体中增加氧气的含量，氧气的供气流量为：2～50sccm，用以保护氧化层，之后，可以用光谱分析仪检测刻蚀的过程，也可以用经验时间估计刻蚀的过程。既能对硅片刻蚀充分，又能充分保护硅片下面的氧化层。尤其适用于对多晶硅进行刻蚀，也可用于其它硅片的刻蚀。
硅片刻蚀方法

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