专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种提高反应均匀的化工生产用反应釜-CN202320338320.2有效
  • 张永欣;康红勃;刘牧;张永江;李云飞;欧洋 - 陕西邦希化工有限公司
  • 2023-02-28 - 2023-07-18 - B01J19/18
  • 本实用新型公开了一种提高反应均匀的化工生产用反应釜,包括釜盖、釜体、底座、剪切网、搅拌装置和混合装置,釜体上方设置有釜盖,釜体下方设置有具有支撑作用的底座,釜盖上方设置有用于进料的进料口,釜体底部设置有具有出料作用的出料口;釜体内部设置有搅拌装置和混合装置,混合装置设置在釜体的底部,搅拌装置设置在混合装置上方,釜体内壁设置有使反应物混合均匀的剪切网,釜体内壁和釜体外壁之间设置有具有升温和冷却功能的管道,釜体外部设置有保温层本实用新型采用上述结构的一种提高反应均匀的化工生产用反应釜,解决了化工生产过程中反应物搅拌不均导致均匀低而影响产品质量的问题。
  • 一种提高反应均匀化工生产
  • [发明专利]一种多相混合浓度场分布均匀性评价方法、系统和终端-CN202011515820.6有效
  • 王华;杨凯;徐建新 - 昆明理工大学
  • 2020-12-21 - 2023-06-06 - G06T7/00
  • 本申请公开了供一种多相混合浓度场分布均匀性评价方法、系统和终端,方法,包括如下步骤,S1、接收浓度场分布信息,获取像素矩阵;S2、利用局部偏差函数的数学类比,对所述像素矩阵进行处理,从像素矩阵中计算并给出实际浓度场中局部矩形区域的浓度局部差异函数;S3、基于得到的浓度局部差异函数而计算浓度场分布的单个不均系数,并获取单张图片中浓度场的整体不均系数,基于所述整体不均系数而判断浓度场的分布不均性。本发明提供的技术方法能够对湿法冶金过程多相混合浓度场分布均匀性进行评价,简便可靠,且也可以适用于温度场的均匀性评价。
  • 一种多相混合浓度分布均匀评价方法系统终端
  • [发明专利]密度不均实验材料解析方法及其装置和系统-CN02812998.9无效
  • 表和彦 - 理学电机株式会社
  • 2002-06-17 - 2004-08-11 - G01N23/201
  • 在本发明的解析密度不均实验材料内的颗粒状物的分布状态的密度不均实验材料解析方法中,实际测量X射线散射曲线是基于面内衍射测量的面内X射线散射曲线,进行该面内X射线散射曲线和模拟X射线散射曲线的拟合,将模拟X射线散射曲线和面内X射线散射曲线一致时的拟合参数的值作为密度不均实验材料内的颗粒状物的面内方向的分布状态。同时通过上述方法,还能够提供能够简单并且高精度地解析具有各向异性的密度不均实验材料内的颗粒状物的面内方向的分布状态的密度不均实验材料解析装置和系统。
  • 密度不均匀实验材料解析方法及其装置系统
  • [发明专利]离子注入装置及离子注入方法-CN202010715903.3在审
  • 石桥和久 - 住友重机械离子科技株式会社
  • 2020-07-23 - 2021-02-09 - H01J37/32
  • 控制装置保持多个注入处方,多个注入处方中的每一个包含晶片处理面内的二维不均剂量分布、根据在晶片处理面内在第2方向上不同的多个位置上的第1方向的多个一维剂量分布而规定的多个校正函数及将二维不均剂量分布与多个校正函数建立对应关联的相关信息控制装置在新获取了二维不均剂量分布的目标值时,从多个注入处方中确定包含与目标值相似的二维不均剂量分布的注入处方。控制装置根据所确定的注入处方中所包含的多个校正函数及相关信息来改变第1方向的射束扫描速度及第2方向的晶片扫描速度,并向晶片处理面注入与目标值相似的二维不均剂量分布的离子。
  • 离子注入装置方法
  • [发明专利]一种磁共振射频发射场的补偿方法、系统以及存储介质-CN202310337712.1在审
  • 张孝通;屈淑娴 - 浙江大学
  • 2023-03-27 - 2023-09-22 - G01R33/00
  • 本申请涉及一种磁共振射频发射场的补偿方法、系统以及存储介质,解决了随着磁共振主磁场强度的增加,射频波的波长随之变短,因此在高场下发射场不均带来的图像问题将变得尤为显著的问题,其包括:获取在施加随时间变化的射频场时所导致的发射场在xy平面的不均分布信息;根据矩阵梯度线圈不同驱动电流组与所产生的梯度磁场的对应关系、发射场在xy平面的不均分布信息,分析确定适配于发射场在xy平面的不均分布信息的矩阵梯度线圈驱动电流组;启动所分析确定的矩阵梯度线圈驱动电流组,施加xy平面的梯度,补偿发射场在xy平面产生的不均。本申请具有如下效果:降低在高场下(;3T)发射场不均带来的图像问题的影响程度。
  • 一种磁共振射频发射场补偿方法系统以及存储介质

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