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[发明专利]具有改进的润湿性的抛光垫及其制备方法-CN202310408383.5在审
发明人：任昶奎;徐章源;尹钟旭;尹晟勋 -专利权人：恩普士（上海）国际贸易有限公司
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： B24B37/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种抛光垫以及制备所述抛光垫的方法，所述抛光垫包括由抛光层、粘合层和缓冲层组成的层压体，其中所述缓冲层的吸水率为100％或更低。
具有改进润湿抛光及其制备方法

[发明专利]抛光垫、其制备方法及使用其制备半导体器件的方法-CN202011179547.4有效
发明人：郑恩先;尹钟旭;尹晟勋;徐章源 -专利权人： SKC索密思株式会社
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： B24B37/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种抛光垫、其制备方法及使用其制备半导体器件的方法。根据一个实施方案的抛光垫可调节存在于抛光层中的元素的含量，从而控制抛光垫与抛光颗粒之间的结合强度，并增加抛光颗粒和半导体衬底之间的结合强度，从而提高抛光速率。不仅可以提高抛光垫的机械性能，例如硬度、拉伸强度、伸长率和模量，而且可以提高钨层或氧化层的抛光速率。因此，可以使用抛光垫有效地制造高质量的半导体器件。
抛光制备方法使用半导体器件

[发明专利]抛光垫及其制造方法和利用其的半导体器件的制造方法-CN202011253564.8有效
发明人：许惠暎;尹钟旭;甄明玉;徐章源 -专利权人： SKC索密思株式会社
申请日： 2020-11-11 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： B24B37/24 文献下载
摘要：本发明提供一种抛光垫及其制造方法和利用其的半导体器件的制造方法。根据本发明的抛光垫，通过将气孔区域和非气孔区域的模量平均值调节为0.5GPa至1.6GPa，从而实现抛光垫的优异的寿命特性，而且可以改善在半导体衬底的表面上出现的划痕和表面缺陷，还可以进一步提高抛光速率。
抛光及其制造方法利用半导体器件

[发明专利]交联度可被调节的抛光垫及其制备方法-CN202011179552.5有效
发明人： 尹钟旭;郑恩先;徐章源 -专利权人： SKC索密思株式会社
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C08G18/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种交联度可被调节的抛光垫及其制备方法。根据一个实施方案的抛光垫包含多官能团的低分子量化合物作为构成抛光层的聚氨酯类树脂的聚合单元之一，从而在生产过程中减少了未反应的二异氰酸酯单体，从而提高了可加工性和质量，并增加交联度。因此，可以将抛光垫应用于包含CMP工艺的半导体器件的制备工艺中，以提供具有优良品质的半导体器件，例如晶圆。
交联度可被调节抛光及其制备方法

[发明专利]抛光垫和利用该抛光垫的半导体器件的制造方法-CN202211484677.8在审
发明人：任昶奎;徐章源;尹钟旭;尹晟勋 -专利权人： SKC索密思株式会社
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： B24B37/20 文献下载
摘要：提供抛光垫和应用该抛光垫的半导体器件的制造方法，抛光垫是具备能够最大化漏水防止效果的结构特征的抛光垫，包括：抛光层，包括第一表面和第二表面，包括从第一表面贯通至第二表面的第一通孔；窗口，配置于第一通孔内；以及支撑层，配置于抛光层的第二表面侧，包括第三表面和第四表面，包括从第三表面贯通至第四表面同时与第一通孔连接的第二通孔，第二通孔小于第一通孔，窗口的最下端面由第三表面支撑，在窗口的最下端面和第三表面之间包括第一粘合层，在第二表面和第三表面之间以及窗口的最下端面和第三表面之间包括第二粘合层，在第二粘合层的一表面上包括屏障层，支撑层在与窗口的最下端面对应的区域包括压缩部。
抛光利用半导体器件制造方法

[发明专利]抛光垫用组合物及抛光垫-CN202011149437.3有效
发明人： 尹钟旭;徐章源;许惠暎;郑恩先 -专利权人： SKC索密思株式会社
申请日： 2020-10-23 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： B24B37/24 文献下载
摘要：本发明的组合物利用包括含硫的第一固化剂及含酯基的第二固化剂的固化剂混合物，可以控制根据需求的抛光垫的物性。具体地，通过在固化剂混合物中包括比第二固化剂的含量更多的第一固化剂来制得的抛光垫可以在CMP工艺中使半导体衬底的表面的划痕等缺陷的出现最小化，同时可以提供高抛光速率。另外，通过使固化剂混合物中的第二固化剂的含量等于或大于第一固化剂的含量，即使不使用4,4'‑亚甲基双(2‑氯苯胺)(MOCA)，也可以满足拉伸强度及模量等物性，还可以通过使根据高温下的温度变化的储能模量的降低率最小化来实现热稳定性，从而进一步可以进一步提升抛光稳定性。
抛光组合

[发明专利]抛光垫及半导体器件的制造方法-CN202211200798.5在审
发明人：徐章源;郑恩先;尹晟勋;尹钟旭 -专利权人： SKC索密思株式会社
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： B24B37/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种抛光垫及半导体器件的制造方法。所述抛光垫，通过在厚度方向上细分的结构设计，能够提供符合针对各种抛光对象的各种抛光目的的物性，并且在使用后的废弃方面，不同于现有的抛光垫，在至少一部分结构应用可再生材料或可回收材料，从而能够确保环保。具体而言，所述抛光垫，包括抛光层；所述抛光层包括：抛光可变层，具备抛光面，以及抛光不变层，设置在所述抛光可变层的所述抛光面的相反面侧；所述抛光不变层包括含有第一氨基甲酸乙酯基预聚物的第一组合物的固化物，所述第一氨基甲酸乙酯基预聚物可以为第一醇成分和第一异氰酸酯成分的反应产物，所述第一醇成分包含羟基值为200mgKOH/g至900mgKOH/g的第一多元醇。
抛光半导体器件制造方法

[发明专利]抛光垫、该抛光垫的制造方法及使用该抛光垫的抛光方法-CN201910931497.1有效
发明人：徐章源;安宰仁;尹晟勋;许惠暎;尹钟旭;文寿泳 -专利权人： SKC索密思株式会社
申请日： 2019-09-29 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： B24D11/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种减少抛光基板的缺陷数量的抛光垫、该抛光垫的制造方法及利用该抛光垫的抛光方法，该抛光垫含有在其主链上包含硅烷类重复单元的聚氨酯，通过抛光垫和气相二氧化硅浆抛光的基板具有缺陷为在40个以下的低缺陷特性。
抛光制造方法使用

[发明专利]抛光装置和半导体器件的制造方法-CN202210957581.2在审
发明人：安宰仁;尹钟旭;郑恩先;徐章源 -专利权人： SKC索密思株式会社
申请日： 2022-08-10 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本发明提供一种抛光装置和半导体器件的制造方法，所述抛光装置包括在抛光浆料的供应中能够实现细分化的驱动的浆料供应部，所述浆料供应部的驱动能够实现在所述载体和所述平板的旋转和/或振动运动以及所述载体对所述抛光面的垂直加压条件等的有机关系上最佳的驱动，所述抛光装置包括：平板，抛光垫，安装于所述平板上，载体，用于容纳抛光对象，以及浆料供应部，包括至少一个喷嘴；所述载体沿从所述平板的中心到所述平板的末端的轨迹进行振动运动，所述浆料供应部以与所述载体的振动运动的轨迹和速度相同的轨迹和速度进行振动运动。
抛光装置半导体器件制造方法

[发明专利]抛光垫及其制造方法和利用其的半导体器件的制造方法-CN202011320674.1有效
发明人：许惠暎;尹晟勋;徐章源;尹钟旭;安宰仁 -专利权人： SKC索密思株式会社
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： B24B37/24 文献下载
摘要：本发明涉及适用于半导体的化学机械抛光(chemical mechanical planarization,CMP)工艺中的抛光垫，及其制造方法以及利用其的半导体器件的制造方法，根据本发明的抛光垫通过调节多个气孔的数均直径和中值直径来实现特定范围的Ed(等式1)，其结果，可以实现优异的抛光速率和不均匀度。
抛光及其制造方法利用半导体器件

[发明专利]抛光垫及使用其的半导体器件的制备方法-CN202210769545.3在审
发明人：尹晟勋;徐章源;许惠暎;尹钟旭;安宰仁 -专利权人： SKC索密思株式会社
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： B24B37/20 文献下载
摘要：提供一种抛光垫及使用其的半导体器件的制备方法，抛光垫具有能够最大化漏水防止效果的结构特性，包括：抛光层，包括作为抛光面的第一面和作为其背面的第二面，且包括从第一面贯穿至第二面的第一通孔，窗，设置在第一通孔内，和支撑层，设置在抛光层的第二面侧，包括抛光层侧的第三面和作为其背面的第四面，且包括从第三面贯穿至第四面且与第一通孔连接的第二通孔；所述第二通孔小于所述第一通孔，所述窗的最下端面由所述第三面支撑，在所述窗的最下端面和所述第三面之间包括第一粘合层；在所述第二面与所述第三面之间和所述窗的最下端面与所述第三面之间包括第二粘合层；所述支撑层在与所述窗的最下端面对应的区域包括压缩部。
抛光使用半导体器件制备方法

[发明专利]抛光垫和使用该抛光垫制备半导体器件的方法-CN202210629779.8在审
发明人： 尹钟旭;郑恩先;徐章源;许惠映 -专利权人： SKC索密思株式会社
申请日： 2022-06-02 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： B24B37/24 文献下载
摘要：本发明公开了抛光垫和使用该抛光垫制备半导体器件的方法。具体地公开了一种用于半导体的化学机械平坦化工艺的抛光垫、该抛光垫的制备方法以及使用该抛光垫制备半导体器件的方法。根据一实施方案的抛光垫可以通过包括使用特定成分的固化剂形成的抛光层来实现低硬度。通过将抛光垫的表面粗糙度降低率和弹性恢复系数控制在特定范围内，可以提高抛光垫的机械性能，并改善出现在半导体衬底表面上的表面缺陷。还可以进一步提高抛光速率。
抛光使用制备半导体器件方法

[发明专利]抛光垫、抛光垫的制备方法以及半导体器件的制造方法-CN202210479762.9在审
发明人：郑恩先;尹钟旭;徐章源;文秀泳 -专利权人： SKC索密思株式会社
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： B24B37/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种抛光垫、抛光垫的制备方法以及半导体器件的制造方法。一实施例的抛光垫包括抛光层，所述抛光层包含锌，基于所述抛光层的总重量，所述锌的浓度为0.5ppm至40ppm重量份。在实施例中，提供一种抛光垫，基于抛光层的总重量，锌的浓度为0.5ppm至40ppm重量份，基于抛光层的总重量，铁的浓度为1ppm至50ppm重量份，并且基于抛光层的总重量，铝的浓度为2ppm至50ppm重量份。所述抛光垫呈现符合所述金属浓度的物性，通过所述抛光垫，在抛光对象的抛光中，可以实现目的范围内的抛光率以及缺陷防止性能。
抛光制备方法以及半导体器件制造

[发明专利]抛光垫、抛光垫的制备方法及半导体器件的制造方法-CN202210229948.9在审
发明人： 尹钟旭;郑恩先;尹晟勋;许惠暎;徐章源 -专利权人： SKC索密思株式会社
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： B24B37/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种抛光垫、抛光垫的制备方法以及半导体器件的制造方法，所述抛光垫的抛光层内的无机成分的含量范围被限制，从而能够防止在抛光工艺中由抛光层中的无机成分导致的缺陷。另外，在制备抛光层时，未膨胀的固体发泡剂包含于抛光组合物中，在固化工艺中，所述固体发泡剂膨胀从而在抛光层中生成多个均匀的气孔，并且抛光层中的无机成分的含量范围被限制，因此能够防止在抛光工艺中发生缺陷。
抛光制备方法半导体器件制造

[发明专利]抛光垫用组合物、抛光垫及半导体器件的制造方法-CN202010550604.9有效
发明人：郑恩先;尹钟旭;许惠暎;徐章源 -专利权人： SKC索密思株式会社
申请日： 2020-06-16 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： C08G18/76 文献下载
摘要：根据本发明的组合物可调节聚氨酯类预聚物中的一个NCO基团反应过的甲苯2，4‑二异氰酸酯及未反应的甲苯2，6‑二异氰酸酯的重量比，以控制胶凝时间等物性。因此，通过固化根据本发明的组合物来获得的抛光垫既具有适合于软垫的硬度又可以控制抛光率和垫切割率，从而利用上述抛光垫可有效地制造出高质量的半导体器件。
抛光组合半导体器件制造方法

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