专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果3594163个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]一种3D玻璃石墨模具LOGO区域抛光方法-CN202011634889.0在审
  • 吴建勇;魏中凯 - 安徽金龙浩光电科技有限公司
  • 2020-12-31 - 2022-01-28 - B24B1/00
  • 本发明提出了一种3D玻璃石墨模具LOGO区域抛光方法,具体步骤如下:S1、预先加工出与模型腔匹配的模套位板和与凸模压部匹配的凸模套位板,并在模套位板和凸模套位板上分别设置贯通的LOGO避空区域,且当模套位板位于模的腔内时,其LOGO避空区域内侧区域腔所对应的LOGO所在区域;当凸模套位板套在凸模的压部上时,其LOGO避空区域内侧区域为压部所对应的LOGO所在区域;S2、将模套位板置于模的腔内,将凸模套位板套在压部上,并对LOGO所在区域进行抛光打磨。S3、取下模套位板和凸模套位板。本发明可降低抛光难度,减少抛光次数,提升3D玻璃制程良率。
  • 一种玻璃石墨模具logo区域抛光方法
  • [发明专利]一种电脑机箱用挡板的生产工艺-CN201310331082.3有效
  • 罗建光;任书东;周红庄 - 广州市花都区花山精宏塑胶模具厂
  • 2013-08-01 - 2013-11-20 - B21D37/10
  • 一种电脑机箱用挡板的生产工艺,包括专用模具,其包括下模和上模,下模包括下模座、下垫板及下模板;上模包括上模座、上夹板、止挡板及上脱板,在下模板上设有依次排列的五个成型区域;在第一成区域和第二成区域之间设有两第一冲孔模;在第二成区域内设有两第二冲孔模,在第二成区域和第三成区域之间设有第一异形成型模;在第三成区域和第四成区域之间设有两切边模,在第三成区域和第四成区域之间设有第二异形成型模;在第五成区内设有弯曲模;上夹板上对应于所有模设有冲头,生产工艺是利用专用模具实现。
  • 一种电脑机箱挡板生产工艺
  • [实用新型]一种生产电脑机箱用挡板的模具-CN201320466631.3有效
  • 罗建光;任书东;周红庄 - 广州市花都区花山精宏塑胶模具厂
  • 2013-08-01 - 2014-02-26 - B26F1/14
  • 本实用新型公开了一种生产电脑机箱用挡板的模具,包括下模和上模,所述的下模包括下模座、下垫板及下模板,下垫板设在下模座上,下模板设在下垫板上;所述的上模包括上模座、上夹板、止挡板及上脱板,在下模板上设有依次排列的五个成型区域;在第一成区域和第二成区域之间设有两第一冲孔模;在第二成区域内设有两第二冲孔模,在第二成区域和第三成区域之间设有第一异形成型模;在第三成区域和第四成区域之间设有两切边模,在第三成区域和第四成区域内设有第二异形成型模;在第五成区内设有弯曲模;上夹板上对应于所有模设有冲头。
  • 一种生产电脑机箱挡板模具
  • [实用新型]井下巷道区域皮带压轮-CN201721336151.X有效
  • 康锴;张飞;王宁;罗华贵;尚玮炜;赵学良 - 山西晋煤集团技术研究院有限责任公司
  • 2017-10-17 - 2018-05-01 - B65G15/64
  • 本实用新型属于井下巷道中的皮带输送领域,为了解决井下巷道区域皮带输送过程中,上层皮带由于地形原因而发生的上飘现象,提供了一种井下巷道区域皮带压轮,包括连接杆和独轮,独轮包括通过轴承连接的轮架和橡胶轮子,橡胶轮子相对皮带输送方向平行设置,连接杆的下端与轮架连接,连接杆的上端设有与巷道区域顶板处锚杆连接的螺母。通过在顺槽巷道凹形区域安装该皮带压轮,使皮带能够依巷道起伏输送,防止在该区域出现大量的落煤,能大幅度降低工作强度,同时也有利于井下运煤的输送安全。
  • 井下巷道区域皮带
  • [发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法及电力变换装置-CN201810461415.7有效
  • 田中贯 - 三菱电机株式会社
  • 2018-05-15 - 2021-07-09 - H01L29/06
  • 针对在低耐压区域与高耐压区域间具备高耐压分离区域,且具备从低耐压区域向高耐压区域的电平移位功能的半导体装置,兼顾芯片尺寸的缩小及电分离的确保。半导体装置(1)具备P低电位区域(2)、N第一区域(3a)、N第二区域(3b)、N第三区域(3c)、环状沟槽(11)和P分割区域(10)。N第一区域设于PSOI衬底(100)具备的PSOI层(2b)的主面。N第一区域具备部(3a1)。N第三区域以与部的边缘分离的方式设置于N第一区域部内侧。在N第三区域表面形成有电平移位元件(20)。P分割区域是沿N第一区域部和N第三区域的边界以“コ”字状延伸的狭缝状区域
  • 半导体装置制造方法电力变换
  • [实用新型]一体式三维磁芯的成型模具及设备-CN202021748254.9有效
  • 李立新;柯绍钧;陈佑群;彭焕林 - 中山市华佑磁芯材料有限公司
  • 2020-08-20 - 2021-07-06 - B28B7/00
  • 本实用新型公开了一种一体式三维磁芯的成型模具及设备,包括:上,上上设置有第一成区域,第一成区域上设置有位;下结构,下结构上设置有第二成区域,第二成区域上对应位设置有凸起,第一成区域和第二成区域合模配合以制成磁芯;其中,合模时,凸起和位配合以对位于二者之间的粉料施加压力并能够形成磁芯的凸台。将成型粉料填充于第一成区域和第二成区域之间,通过第一成区域和第二成区域合模配合以制成磁芯;在合模时,通过设置有凸起和位配合,将二者之间的粉料进行挤压,从而使得该磁芯凸台的密度增加,提高磁芯质量
  • 体式三维成型模具设备
  • [发明专利]背面入射光检测部件及其制造方法-CN200480022086.2有效
  • 柴山胜己 - 浜松光子学株式会社
  • 2004-07-23 - 2006-09-06 - H01L31/10
  • 本发明提供一种背面入射光检测部件及其制造方法,能够充分缩小安装,并且能够抑制被检测光的散乱。背面入射光电二极管(1)包括:N半导体基板(10)、P+不纯物半导体区域(11)、部(12)与窗板(13)。在N半导体基板(10)上面(S1)侧的表层中,形成P+不纯物半导体区域(11)。在面向N半导体基板(10)背面(S2)的P+不纯物半导体区域(11)的区域中,形成成为被检测光的入射部的部(12)。此外,在部(12)的外缘部(14)接合于窗板(13)。该窗板(13)接合于部(12)的外缘部(14)。该窗板(13)覆盖部12,并密封N半导体基板(10)的背面(S2)。
  • 背面入射检测部件及其制造方法
  • [发明专利]入式沟道晶体管结构-CN200810109134.1有效
  • 王哲麒;廖伟明 - 南亚科技股份有限公司
  • 2008-05-23 - 2009-11-25 - H01L29/78
  • 一种入式沟道晶体管结构,包含一半导体基底;一沟槽绝缘区域,设于该半导体基底中,并定义出一有源区域;一栅极沟槽,设于该有源区域中,该栅极沟槽包含一垂直侧壁部分及一球底部;一入式栅极,设于该栅极沟槽中,该入式栅极包含一球栅极下部,位于该球底部;一栅极氧化层,位于该球底部;一源极掺杂区,位于该入式栅极一侧的该有源区域中;一漏极掺杂区,位于该入式栅极另一侧的该有源区域中;以及一沟道区域,介于该源极掺杂区与该漏极掺杂区之间,其中该沟道区域从一栅极沟道宽度方向来看,为一上凸的曲面轮廓。
  • 凹入式沟道晶体管结构
  • [实用新型]一种稳定杆吊臂支架结构-CN202220929675.4有效
  • 冯百顺;龙彩丰;付海瑞 - 吉林省顺势机械制造有限公司
  • 2022-04-21 - 2022-10-21 - B60G21/055
  • 本实用新型公开了一种稳定杆吊臂支架结构,包括底部块和连接臂杆,所述连接臂杆安装固定在底部块的上端位置上,所述底部块的下端内侧设置有稳定杆连接块,所述底部块和稳定杆连接块通过固定销轴固定连接,所述稳定杆连接块的外端设置有稳定杆体,通过设置有连接臂杆结构,使得便于固定在底部块上,底部块的外壳因定位套孔的区域,使得外壳便于套接安装连接在连接臂杆上,这样外壳便于安装固定住,外壳因内部容腔的区域,使得稳定杆连接块便于限位放置,而后,因外壳两端内侧的销轴通孔,这样固定销轴便于穿过固定使用,并且通过设置有底部块结构,从而便于套接固定。
  • 一种稳定吊臂支架结构
  • [发明专利]背面入射光检测元件-CN200480021268.8有效
  • 柴山胜己 - 浜松光子学株式会社
  • 2004-07-22 - 2006-08-30 - H01L31/10
  • 本发明的目的在于提供一种背面入射光检测元件,可使封装体充分小,且可抑制被检测光的散射。背面入射光电二极管(1)具有:N半导体基板(10)、P+杂质半导体区域(11)、部(12)及覆盖层(13)。N半导体基板(10)的表面(S1)侧的表层上形成有P+杂质半导体区域(11)。在N半导体基板(10)的背面(S2)中与P+杂质半导体区域(11)相对的区域上,形成有做为被检测光的入射部的部(12)。此外,在背面(S2)上,设置有透过朝向部(12)入射的被检测光的覆盖层(13)。此处,覆盖层(13)设置在部(12)上的部分,相对设置在部(12)的外边缘部(14)上的部分下陷。
  • 背面入射检测元件

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top