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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]凸块工艺与覆晶结构-CN201710815533.9有效
发明人：庄坤树 -专利权人：南茂科技股份有限公司
申请日： 2017-09-12 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明提供一种凸块工艺与覆晶结构。凸块工艺包括下列步骤。在晶圆上形成光致抗蚀剂层。晶圆的每一芯片区具有多个接垫，且包括第一区与第二区。于多个第一开口中形成多个导电凸块，且于第二开口中形成拟凸块。移除经图案化的光致抗蚀剂层。
工艺结构

[发明专利]微凸块结构的制造方法-CN201310108676.8有效
发明人：廖宗仁 -专利权人：南茂科技股份有限公司
申请日： 2013-03-29 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本揭露涉及一种微凸块(micro bump)结构的制造方法，其包含提供一基板；形成一球下冶金层于该基板中供容置锡球；设置一缓冲层于该基板上；置放一锡球于该球下冶金层上并与其接合；以及硏磨该锡球使其高度达到一预定值
微凸块结构制造方法

[发明专利]凸块结构及其形成方法-CN201310218344.5有效
发明人：陈冠宇;林育蔚;曾裕仁;郭庭豪;陈承先 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-06-04 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：一种迹线上凸块（BOT）结构包括由集成电路支撑的接触元件、电连接到接触元件的凸块下金属化（UBM）部件、位于凸块下金属化部件上的金属凸块以及位于基板上的基板迹线。基板迹线通过焊料接点和介面合金共化物连接到金属凸块；介面合金共化物的第一横截面积和焊料接点的第二横截面积的比率大于40%。
结构及其形成方法

[发明专利]焊盘上凸块（BOP）接合结构-CN201310136407.2有效
发明人：庄曜群;庄其达;郭正铮;陈承先 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-04-18 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明还公开了一种焊盘上凸块(BOP)接合结构。
焊盘上凸块 bop 接合结构

[发明专利]梯状凸块结构及其制造方法-CN201310222219.1有效
发明人：蔡佩君;曾裕仁;郭庭豪;陈承先 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-06-05 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明涉及梯状凸块结构及其制造方法，其包括通过衬底支撑的凸块下金属化(UBM)部件，安装在该UBM部件上的铜柱，具有锥形弯曲轮廓的铜柱，该铜柱在一个实施例中具有大于顶部临界尺寸(CD)的底部临界尺寸(CD
梯状凸块结构及其制造方法

[发明专利]凸块结构及其制作方法-CN201110043248.2有效
发明人：齐中邦 -专利权人：南茂科技股份有限公司
申请日： 2011-02-15 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明提出一种凸块结构及其制作方法，可改善底切效应且具有较佳的接合可靠度。该制作方法包括：提供一基板。基板具有至少一焊垫与一保护层。保护层具有至少一第一开口以将焊垫暴露。在保护层上形成一绝缘层。于第一开口以及第二开口内形成一第一凸块。于第一凸块与部分金属层上形成一第二凸块。以第二凸块为掩模，移除部分未被第二凸块所覆盖的金属层以形成至少一球底金属层。第一凸块被球底金属层以及第二凸块完全包覆。
结构及其制作方法

[发明专利]芯片装置及其凸块配置方法-CN201510888099.8有效
发明人：蒋昊 -专利权人：上海兆芯集成电路有限公司
申请日： 2015-12-04 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：该芯片装置包括多个第一凸块、多个第二凸块和基板。所述第一凸块用以供应第一电压至该芯片装置内的多个集成电路。所述第二凸块用以供应第二电压至所述集成电路。该基板透过倒装芯片技术与所述第一凸块和所述第二凸块互相电性连接，其中所述第一凸块和所述第二凸块配置于该芯片装置的最高金属层；以及其中最相近的两个第一凸块之间的距离大于两个最相近的第一凸块和第二凸块之间的距离
芯片装置及其配置方法

[发明专利]倒装芯片封装的凸块工艺-CN03142341.8有效
发明人：何昆耀;宫振越 -专利权人：威盛电子股份有限公司
申请日： 2003-06-13 - 公布日： 2004-03-03 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种倒装芯片封装的凸块工艺，适用于制作凸块及底胶层于芯片的有源表面。首先，在芯片的有源表面的芯片垫上分别形成一黏着层，并散布多个凸块球至芯片的有源表面，且震动这些凸块球，使得每一黏着层均黏住单一凸块球。然后，去除其余未黏住至黏着层的凸块球，并形成一底胶层于芯片的有源表面，且环绕于这些凸块球的侧缘，并暴露出这些凸块球的顶缘。因此，此倒装芯片封装的凸块工艺将可提高倒装芯片封装的可靠度，并降低倒装芯片封装的整体成本。
倒装芯片封装工艺

[发明专利]凸块底缓冲金属结构-CN02123300.4有效
发明人：宫振越;何昆耀 -专利权人：威盛电子股份有限公司
申请日： 2002-06-17 - 公布日： 2003-01-22 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：一种凸块底缓冲金属结构，适用于配置在芯片或基板的焊垫与焊料凸块之间，其中焊料凸块的主要成分为锡铅合金，此凸块底缓冲金属结构至少具有一金属层及一缓冲金属结构，此缓冲金属结构能够减轻或减缓金属层与焊料凸块结合时产生介金属化合物的电气其中，金属层配置于芯片的焊垫上，其组成成分例如为铜、铝、镍、银或金等可与锡发生化学反应的金属，而缓冲金属结构则配置于金属层及焊料凸块之间，用以减少金属层及焊料凸块之间生成介金属化合物的可能性。
凸块底缓冲金属结构

[发明专利]凸块结构与其制作方法-CN201610103905.0有效
发明人：卢东宝;徐子涵 -专利权人：南茂科技股份有限公司
申请日： 2016-02-25 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明提供一种凸块结构与其制作方法。凸块结构包括凸块本体以及多个孔隙。孔隙分布于凸块本体中，其中孔隙的直径介于0.05微米至1微米之间，且凸块本体与孔隙间的孔隙度介于25％至75％之间。凸块结构的制作方法，包括下列步骤：将多个气泡掺杂于电镀液中。藉由电镀液形成凸块本体于镀件上，且气泡混入凸块本体中，以构成分布于凸块本体中的多个孔隙，其中孔隙的直径介于0.05微米至1微米之间，且凸块本体与孔隙间的孔隙度介于25％至75％之间。本发明使凸块结构具有高孔隙度与弹性，从而提高凸块结构的接合效果，并同时降低生产成本。
结构与其制作方法

[发明专利]半导体装置的凸块结构-CN201510479932.3有效
发明人：锺孙雯;张程皓 -专利权人：晶宏半导体股份有限公司
申请日： 2015-08-07 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置的凸块结构，焊垫与辅助垫设置于装置主体上。一绝缘层形成于装置主体上，并具有一辅助孔，以显露出辅助垫。凸块下金属层形成于绝缘层上，并连接至焊垫与辅助垫。细长凸块凸起状设置于凸块下金属层上，细长凸块具有一位于焊垫上的凸块部以及一延伸部，延伸部连接凸块部并位于绝缘层上，并且细长凸块的延伸部的长度不小于凸块部长度的百分之八十，且延伸部覆盖辅助垫并具有一根部，藉此，可达到加强细长凸块结合在凸块下金属层上的效果，使细长凸块不会歪斜。
半导体装置结构

[发明专利]芯片封装结构及凸块制程-CN200510117212.9有效
发明人：林俊宏;沈更新 -专利权人：南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司
申请日： 2005-10-28 - 公布日： 2007-05-02 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：一种芯片封装结构，其包括一第一基板、一第二基板、多数个凸块以及一粘着材料。其中，第一基板具有多个第一焊垫，第二基板配置于第一基板的上方，且具有多个第二焊垫，上述凸块分别配置在所述第一焊垫或所述第二焊垫上，且第二基板是透过凸块而电性连接至第一基板，具有B阶特性的粘着材料配置于第一焊垫与第二焊垫之间，且包围每一凸块。上述凸块可为结线凸块或电镀凸块。
芯片封装结构凸块制程

[发明专利]凸块指化的晶片结构-CN200710090051.8有效
发明人：施合成;王俊元;郑怡芳;王琼琳;锺孙雯 -专利权人：晶宏半导体股份有限公司
申请日： 2007-03-21 - 公布日： 2008-09-24 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明是有关于一种凸块指化的晶片结构，主要包含一晶片主体以及复数个指状凸块。该晶片主体具有复数个接垫。该些指状凸块是突起状设置于该晶片主体上，每一指状凸块具有一凸块体与一延伸部，该些凸块体的底部覆盖区域是位于该些接垫内，该些延伸部的底部覆盖区域是超出该些接垫之外。藉此，可以在不增加晶片尺寸的条件下微间距配置更多的指状凸块，且不会影响凸块接合强度。
凸块指化晶片结构

[发明专利]无凸块式芯片封装体-CN200510108095.X有效
发明人：何昆耀;宫振越 -专利权人：威盛电子股份有限公司
申请日： 2005-09-29 - 公布日： 2006-05-17 - 主分类号： H01L23/36 文献下载
摘要：本发明是关于一种无凸块式芯片封装体，包括一支撑元件、一芯片、一填充金属层以及一内连线结构。支撑元件具有一支撑面及一凹陷。
无凸块式芯片封装

[发明专利]焊锡凸块的形成方法-CN200310115768.5有效
发明人：詹忠荣;陈晋亿;许文政 -专利权人：悠立半导体股份有限公司
申请日： 2003-11-28 - 公布日： 2005-06-01 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明揭示一种焊锡凸块的形成方法，包含：提供一基底，具有一金属层于一表面上；形成一图形化的罩幕层于上述金属层上，暴露部分上述金属层；以及以电镀法形成一银含量为1.6－3.0重量百分比(wt％)的焊锡(solder)凸块于暴露的上述金属层上。
焊锡形成方法

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