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[发明专利]一种半导体芯片用自动共晶机-CN202210091651.0有效
发明人：凌涵君;梁帅 -专利权人：深圳市锐博自动化设备有限公司
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及共晶机技术领域，具体是一种半导体芯片用自动共晶机，包括设备机台，设备机台上设置有：作业载台，架设于设备机台的载面上，作业载台上设置有共晶内框；调节机架，安装于设备机台的载面上并且设置于作业载台的外围，调节机架上设置有位移模组，位移模组上安装有共晶器件，共晶器件上设置有可伸缩的共晶枪；共晶载架，设置于共晶内框的内腔，共晶载架设置于共晶内框的内腔，共晶载架包括支撑载板，以及分别于支撑载板相对接的升温机件和供气机件，芯片装载于支撑载板上，升温机件的加热端位于芯片的共晶区域，供气机件用以提供惰性气体。本发明能够实现灵活而且稳定的温度控制，并且在共晶过程中作防氧化保护，达到高良品率产品要求。
一种半导体芯片自动共晶机

[发明专利]一种高温共晶点预共晶灌注坩埚-CN201710352397.4有效
发明人：蔡静;孟苏;王苗;张岚;李丹;杨永军 -专利权人：中国航空工业集团公司北京长城计量测试技术研究所
申请日： 2017-05-18 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： B01L3/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种高温共晶点预共晶灌注坩埚，属于高温共晶点技术领域。该坩埚外形为圆柱形，包括预共晶坩埚盖和预共晶坩埚主体。在预共晶坩埚主体上加工有公螺纹，预共晶坩埚盖上加工有与之匹配的母螺纹，二者通过螺纹连接。在预共晶坩埚内形成共晶体后，以倒置方式连接在共晶点坩埚上，加热后使共晶体变为熔融态，在重力作用下流入共晶点坩埚内，实现对共晶点坩埚的灌注。本发明降低了预共晶坩埚的破裂风险，避免了共晶体在预共晶坩埚与共晶点坩埚连接处造成粘连，使得预共晶坩埚能够重复利用，解决了目前采用的预共晶容器只能使用一次的问题，节约了灌注成本。
一种高温共晶点预共晶灌注坩埚

[发明专利]一种真空共晶工艺中钎缝尺寸的控制方法-CN202210441128.6在审
发明人：潘玉华;文泽海;向伟玮;季兴桥;曹雪姣;贾斌;高明起;杜荣富;李文;许冰 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十九研究所
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： B23K1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种真空共晶工艺中钎缝尺寸的控制方法，该方法包括将成型的金属引线设置于共晶基板的共晶区域；将共晶钎料放置于共晶基板的共晶区域，压覆金属引线；将共晶模组放置于共晶基板的共晶区域，压覆共晶钎料；在共晶模组上放置配重块，并将共晶基板放入真空共晶炉；在预设共晶加热曲线下执行真空共晶，以使共晶钎料在真空共晶炉内溶化后，共晶模组与金属引线形成标准的钎缝。本发明通过在共晶时将引线放入共晶区域来限制钎缝的尺寸，然后通过增加原有的压力，以使钎料在共晶炉中溶化后，芯片或者模组压住引线，形成一个标准的钎缝，进而钎料在标准缝隙里润湿达到良好的共晶效果，解决共晶压力与钎料张力难平衡的问题
一种真空工艺中钎缝尺寸控制方法

[发明专利]能有效提升炉内共晶温度均匀性的共晶炉控制方法-CN202110921562.X在审
发明人：张永聪;霍灼琴;张建宏;祁靖杰;刘彦利;马生生 -专利权人：西北电子装备技术研究所（中国电子科技集团公司第二研究所）
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： B23K3/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种能有效提升炉内共晶温度均匀性的共晶炉控制方法，解决了现有共晶炉在共晶焊接中各共晶焊接点温度不均匀和生产节奏慢的问题；通过改变石英灯中的灯丝螺旋状缠绕密度的分布，并通过对石英灯的分组控制，提升共晶焊接传热板的温度的均匀性，并用导热率是石墨板导热率两倍以上的铝碳化硅板替代石墨板，大幅提高传热板的温度均匀性；同时，将传统的冷却惰性气体的炉内底部通入方式，改变为炉内上下同时通入冷却气体的方式，缩短了炉内冷却时间。本发明大大提升了共晶炉体内共晶元件传热支撑板的温度均匀性，降其上温差控制在正负2摄氏度之内。
有效提升炉内共晶温度均匀共晶炉控制方法

[发明专利]能有效提升炉内共晶温度均匀性的共晶炉-CN202110920981.1在审
发明人：张永聪;霍灼琴;张建宏;祁靖杰;刘彦利;马生生 -专利权人：西北电子装备技术研究所（中国电子科技集团公司第二研究所）
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种能有效提升炉内共晶温度均匀性的共晶炉，解决了现有共晶炉在共晶焊接中各共晶焊接点温度不均匀和生产节奏慢的问题；通过改变石英灯中的灯丝螺旋状缠绕密度的分布，并通过对石英灯的分组控制，提升共晶焊接传热板的温度的均匀性，并用导热率是石墨板导热率两倍以上的铝碳化硅板替代石墨板，大幅提高传热板的温度均匀性；同时，将传统的冷却惰性气体的炉内底部通入方式，改变为炉内上下同时通入冷却气体的方式，缩短了炉内冷却时间。本发明大大提升了共晶炉体内共晶元件传热支撑板的温度均匀性，降其上温差控制在正负2摄氏度之内。
有效提升炉内共晶温度均匀共晶炉

[实用新型]能有效提升炉内共晶温度均匀性的共晶炉-CN202121873655.1有效
发明人：霍灼琴;张永聪;张建宏;祁靖杰;刘彦利;马生生 -专利权人：西北电子装备技术研究所（中国电子科技集团公司第二研究所）
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种能有效提升炉内共晶温度均匀性的共晶炉，解决了现有共晶炉在共晶焊接中各共晶焊接点温度不均匀和生产节奏慢的问题；通过改变石英灯中的灯丝螺旋状缠绕密度的分布，并通过对石英灯的分组控制，提升共晶焊接传热板的温度的均匀性，并用导热率是石墨板导热率两倍以上的铝碳化硅板替代石墨板，大幅提高传热板的温度均匀性；同时，将传统的冷却惰性气体的炉内底部通入方式，改变为炉内上下同时通入冷却气体的方式，缩短了炉内冷却时间。本发明大大提升了共晶炉体内共晶元件传热支撑板的温度均匀性，降其上温差控制在正负2摄氏度之内。
有效提升炉内共晶温度均匀共晶炉

[发明专利]一种共晶铝硅合金的自变质处理方法-CN201810907528.5有效
发明人：王建华;李宏宝;彭浩平;涂浩;苏旭平 -专利权人：常州大学
申请日： 2018-08-10 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： C22C1/03 文献下载
摘要：本发明涉及属于有色金属制备领域，尤其涉及一种共晶铝硅合金的自变质处理方法。本发明以经过球化退火处理的共晶铝硅合金作为变质剂，对共晶铝硅合金本身进行自变质处理。本发明采用0.1～1.0wt％球化退火共晶铝硅合金，在630～750℃温度范围内对共晶铝硅合金进行变质处理后，明显改善共晶铝硅合金的显微组织，使共晶铝硅合金的力学性能得到显著提高。
一种共晶铝硅合金变质处理方法

[发明专利]真空反作用力焊接方法及其装置-CN201510617638.4有效
发明人：苏佳槟;秦明超;孙婷;刘平;陈家俊;刘俊达 -专利权人：广州硅能照明有限公司
申请日： 2015-09-23 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： B23K1/008 文献下载
摘要：本发明公开了真空反作用力焊接方法，包括如下步骤芯片通过焊料固晶于基板形成半成品；半成品置入真空共晶炉的真空共晶腔内；对真空共晶腔进行抽真空；预热真空共晶腔，使温度缓慢上升；迅速加热真空共晶腔，使焊料融化；对真空共晶腔施加作用力，使真空共晶腔下降后加速上升；对真空共晶腔外部进行强制制冷，内部通入保护气体；在焊料固化后解除真空共晶腔的真空状态。
真空反作用力焊接方法及其装置

[发明专利]共晶装置及晶体管封装共晶系统-CN202110176456.3有效
发明人：胡靖;温永阔;黄黎明;谢少华;刘盼 -专利权人：深圳市东飞凌科技有限公司
申请日： 2021-02-07 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种共晶装置及晶体管封装共晶系统，该共晶装置包括晶圆吸取结构、待共晶产品吸取结构、预热结构、共晶加热平台和共晶识别结构，晶圆吸取结构用于吸取晶圆，待共晶产品吸取结构用于吸取待共晶产品，预热结构用于预热待共晶产品，共晶加热平台用于加热晶圆和待共晶产品，共晶识别结构用于在共晶过程中进行拍照，预热结构、共晶加热平台和共晶识别结构的数量均为两个，两个预热结构分别与两个共晶加热平台对应设置，两个共晶识别结构对应设置于两个共晶加热平台的上方该共晶装置能够提升共晶效率，两个预热结构的结构相同，极大地减少了预热结构加工与装配公差的影响，使得两个共晶加热平台共晶精度与共晶效果基本一致。
装置晶体管封装晶系

[发明专利]瑞巴派特共晶的制备方法-CN201310244194.5有效
发明人：王晓莹;胡长文;迟瑛楠;王晓鸽;马承伟 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2013-06-19 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： C07D215/227 文献下载
摘要：本发明涉及瑞巴派特共晶的制备方法，属于药物开发领域。所述方法步骤为将瑞巴派特、共晶合成物（CCF）和溶剂加入到高压釜中，将高压釜密封后置于程序控温烘箱中，培养2～5天后，将高压釜内液体倒出，溶剂自然挥发后得到瑞巴派特共晶。通过单晶结构测试、XPRD、DSC、红外、核磁对得到的共晶进行表征，证明得到了不同与反应物瑞巴派特的新晶型。将该共晶用于对小鼠进行乙醇造成胃粘膜损伤小鼠溃疡抑制试验，实验结果说明制备得到的共晶有良好的药效。
瑞巴派特共晶制备方法

[发明专利]硅共晶合金组合物以及通过旋转浇铸制备其的方法-CN201280070604.2无效
发明人：扎迦利·鲍尔;杰里米·毕比;马修·加夫;达伦·罗伊尔;瓦斯根·莎玛米安;兰德尔·西格尔;约瑟夫·苏茨曼;詹姆斯·扬格 -专利权人：道康宁公司
申请日： 2012-12-21 - 公布日： 2014-10-29 - 主分类号： C22C28/00 文献下载
摘要：本发明描述了为了进行制备硅共晶合金组合物的旋转浇铸方法，将硅和一种或多种金属元素M熔融在一起以形成包含所述硅和所述一种或多种金属元素M的共晶合金熔体。将含有所述共晶合金熔体的模具以足以形成与所述模具的内表面接触的旋转体积的所述共晶合金熔体的速度围绕其纵向轴线旋转。将热量从所述旋转体积的所述共晶合金熔体中定向地移除，以定向固化所述共晶合金熔体，并且形成共晶合金组合物，所述共晶合金组合物包括所述硅、所述一种或多种金属元素M，以及包含所述硅的第一相与式MSi₂的第二相的共晶聚集体，其中所述第二相为二硅化物相。
硅共晶合金组合以及通过旋转浇铸制备方法

[发明专利]一种过共晶铝硅合金生产装置及其工艺-CN202111245268.8有效
发明人：石为喜;吕光哲;鲁毅;汤梦超 -专利权人：辽宁科技学院
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： C22C1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种过共晶铝硅合金生产装置及其工艺，包括坩埚本体、密封盖，所述坩埚本体的一侧设置有滑动承载过共晶铝硅合金组织的破碎机构，所述破碎机构的下方设置有转动筛选过共晶铝硅合金组织的筛选机构，所述筛选机构与坩埚本体连接在一起，本发明的目的在于提供一种过共晶铝硅合金生产装置及其工艺，使其能够安全快速的将过共晶铝硅合金组织放入到破碎装置内，避免因为放入过共晶铝硅合金组织的速度以及力度过大，损坏破碎装置内部的部件，另外可以均匀的将破碎后的过共晶铝硅合金组织进入下一道程序，同时可以筛选破碎不合格的过共晶铝硅合金组织。
一种共晶铝硅合金生产装置及其工艺

[发明专利]一种垂直式热共晶装置-CN201310461866.8在审
发明人：雷训金 -专利权人：雷训金
申请日： 2013-09-30 - 公布日： 2015-04-15 - 主分类号： B23K3/04 文献下载
摘要：本发明涉及LED领域，公开了一种垂直式热共晶装置，包括热源、共晶区、垂直式预热区、传送装置；所述热源为发热丝、发热管、红外源、电磁源或激光，置于耐高温导热材料内；所述传送装置采用马达控制，用于传送需要作业的材料；所述共晶区在热源上方；所述预热区在共晶区上方，各个温区垂直分布，在预热区及共晶区可增加真空功能或氮气功能。
一种垂直式热共晶装置

[实用新型]真空反作用力焊接装置-CN201520748518.3有效
发明人：苏佳槟;秦明超;孙婷;刘平;陈家俊;刘俊达 -专利权人：广州硅能照明有限公司
申请日： 2015-09-23 - 公布日： 2016-01-13 - 主分类号： B23K1/008 文献下载
摘要：本实用新型公开了真空反作用力焊接装置，包括机箱、用于置入待焊接半成品的真空共晶腔、升温系统、冷却系统和变速驱动机构，真空共晶腔位于机箱内且沿竖直方向与机箱滑动配合；变速驱动机构安装于机箱内，与真空共晶腔驱动相连并用于驱动真空共晶腔沿竖直方向变速移动；升温系统设于真空共晶腔内，冷却系统设于机箱内并位于真空共晶腔外。
真空反作用力焊接装置

[发明专利]舞台灯覆晶COB光源及其生产工艺-CN201410214380.9有效
发明人：王志成 -专利权人：深圳市格天光电有限公司
申请日： 2014-05-21 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L33/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种舞台灯覆晶COB光源及其生产工艺，该生产工艺包括以下工艺流程采用共晶炉将倒装芯片覆晶在氮化铝陶瓷支架的固晶区上，完成共晶工艺并形成共晶支架；对完成共晶工艺的共晶支架进行超声波清洗；对清洗完成的共晶支架依次进行初次烘烤‑围围墙胶‑再次烘烤‑冷却作业；且围墙胶沿着固晶区的周围围坝并形成挡墙结构；将荧光粉胶均匀的涂覆在共晶支架的倒装芯片上并进行烘烤工艺后形成芯片封装块；芯片封装块通过回流焊接的方式连接到红铜基板的沉台内；
舞台灯覆晶 cob 光源及其生产工艺

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