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[发明专利]一种偏置电压产生电路以及应用其的开关电源-CN201210413404.4有效
发明人：陈伟 -专利权人：矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
申请日： 2012-10-25 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：依据本发明的一种偏置电压产生电路及应用其的开关电源，克服了现有技术中开关电源的偏置电压产生电路成本高、体积大且效率低的问题，其包括偏置电容和充放电电路，而所述充放电电路在所述主开关管关断时对偏置电容充电以得到偏置电压依据本发明的偏置电压产生电路能够满足控制电路的供电需求，其电路结构简单，无需使用辅助绕组等复杂器件，成本较低。另外通过调整启动电阻和偏置电容的参数，能够减小电能损耗并缩短控制电路的启动时间达到高效率供电和快速启动的技术效果。
一种偏置电压产生电路以及应用开关电源

[发明专利]射频压控振荡器-CN201710391473.2有效
发明人：陈春平 -专利权人：珠海市杰理科技股份有限公司
申请日： 2017-05-27 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H03B5/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种射频压控振荡器，包括自适应偏置电路、振荡电路和LC谐振回路，振荡电路连接自适应偏置电路和LC谐振回路。自适应偏置电路输出偏置电压至振荡电路；振荡电路根据偏置电压以B类状态启动LC谐振回路开始振荡且振荡幅度逐渐增大；振荡电路在偏置电压的幅值小于第一阈值电压时进入C类状态，以及在偏置电压的幅值小于第二阈值电压时振荡幅度停止增大通过自适应偏置电路输出偏置电压使振荡电路以B类状态启动LC谐振回路开始振荡，随着振荡幅度的增大，又使振荡电路进入C类状态进行振荡，起振容易且电流利用率高。
射频压控振荡器

[发明专利]一种基于0.13um SiGeBiCMOS工艺的宽带单平衡三倍频器-CN201710947768.3有效
发明人：黄涛;邵振海 -专利权人：机比特电子设备南京有限公司
申请日： 2017-10-12 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H03B19/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于0.13um SiGeBiCMOS工艺的宽带单平衡三倍频器，包括三倍频核器和输出高通放大级电路；三倍频核器包括输入巴伦和输出巴伦、BJT1和BJT2以及两个直流偏置电路；两个直流偏置电路包括Vce1直流偏置电路和Vbe1直流偏置电路；Vce1直流偏置电路和Vbe1直流偏置电路分别与BJT1和BJT2的基极电连接；BJT1和BJT2的基极与输入巴伦的输出端连接；所述Vce1直流偏置电路与输出巴伦的输入端相连；输出高通放大级电路包括BJT3；BJT3的基极分别与输出巴伦和Vbe2直流偏置电路电连接；BJT3的集电极与Vce2直流偏置电路电连接。
一种基于 0.13 um sigebicmos 工艺宽带平衡倍频器

[发明专利]LDO电路-CN201510135588.6在审
发明人：谢晶 -专利权人：谢晶
申请日： 2015-03-26 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本申请公开了一种低功耗线性稳压器LDO电路，包括一功率管，为所述功率管提供偏置电压的一偏置电压产生电路，为所述偏置电压产生电路提供偏置电流的一偏置电流产生电路。本申请可以降低电路的功耗和实现的复杂度，且可减小芯片面积。
ldo 电路

[发明专利]LDO电路-CN201610717546.8在审
发明人：谢兴艺 -专利权人：谢兴艺
申请日： 2016-08-24 - 公布日： 2018-03-09 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本申请公开了一种低功耗线性稳压器LDO电路，包括一功率管，为所述功率管提供偏置电压的一偏置电压产生电路，为所述偏置电压产生电路提供偏置电流的一偏置电流产生电路。本申请可以降低电路的功耗和实现的复杂度，且可减小芯片面积。
ldo 电路

[发明专利]差分放大器电路、其控制方法、使用其的电压调节器-CN200710149635.8有效
发明人：高木义器 -专利权人：株式会社理光
申请日： 2007-09-10 - 公布日： 2008-03-12 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：差分放大器电路、使用该差分放大器电路的电压调节器、以及控制该差分放大器电路的方法。该电路包括：差分对，包括多个晶体管；第一偏置电流发生器电路部分，生成至差分对的第一偏置电流；以及第一偏置电流控制电路部分，响应于来自外界的切换信号，控制第一偏置电流至差分对的供应；其中第一偏置电流发生器电路部分响应于切换信号，改变第一偏置电流的电流值。
差分放大器电路控制方法使用电压调节器

[发明专利]功率放大电路以及功率放大模块-CN201911343739.1有效
发明人：田中聪;渡边一雄;荒屋敷聪 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种能够谋求消耗功率的降低的功率放大电路以及功率放大模块。功率放大电路(10)具备：晶体管(111)、供给偏置电流或电压的偏置电路(211)、电容器(221)、电感器(231)、电感器(235)、晶体管(112)、供给偏置电流或电压的偏置电路(212)、电感器(232)、晶体管(113)、供给偏置电流或电压的偏置电路(213)、和电感器(233)。
功率放大电路以及模块

[发明专利]功率放大器和芯片-CN202210559721.0在审
发明人：朱魏;郭嘉帅 -专利权人：深圳飞骧科技股份有限公司
申请日： 2022-05-19 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H03F3/213 文献下载
摘要：本发明提供了一种功率放大器，其包括第一驱动级偏置电路、第一驱动级晶体管单元、第一功率级偏置电路、第一功率级晶体管单元、输入匹配电路、第二驱动级晶体管单元、第二驱动级偏置电路、级间匹配电路、第二功率级晶体管单元、第二功率级偏置电路、输出匹配电路和CMOS控制器，CMOS控制器根据外部控制信号分别控制输入匹配电路、级间匹配电路、输出匹配电路、第一驱动级偏置电路、第一功率级偏置电路、第二驱动级偏置电路以及第二功率级偏置电路的工作状态采用本发明的技术方案可单独工作于4G工作频率或5G工作频率，且电路功耗低。
功率放大器芯片

[发明专利]一种带温度补偿的雪崩二极管偏置高压电路-CN202210830837.3在审
发明人：李松 -专利权人：杭州智屹科技有限公司
申请日： 2022-07-15 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明公开了一种带温度补偿的雪崩二极管偏置高压电路，由纯硬件电路构成，包括偏置高压发生电路以及与偏置高压发生电路连接的温度补偿电路，偏置高压发生电路和温度补偿电路分别连接电源电压VCC，并经偏置高压发生电路输出满足雪崩二极管在整个工作温度范围内的最大反向偏置高压要求的电压VH1，经温度补偿电路输出电压VH2和偏置电压VBIAS，温度补偿电路包括反向偏置高压监控电路、温度补偿参考电压发生电路、放电降压电路以及运算放大器U1，在温度发生变化时，通过温度补偿参考电压发生电路使本发明结构简单，不需要专门的温度传感器，也不需要单片机和相应的算法，单纯依靠硬件电路即可实现温度补偿。
一种温度补偿雪崩二极管偏置高压电路

[发明专利]一种自偏置尖峰检测电路及低压差线性稳压器-CN201811122569.X有效
发明人：卫婷婷;王瑜;王乾乾 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-09-26 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种自偏置尖峰检测电路及低压差线性稳压器，其中，所述自偏置尖峰检测电路用于低压差线性稳压器电路，所述低压差线性稳压器电路还包括误差放大器，自偏置尖峰检测电路包括：功率控制模块，用于接收误差放大器输出的输入信号，对输入信号进行功率控制，得到功率控制信号；偏置模块，用于当低压差线性稳压器电路的输出电压变化时，将功率控制信号通过自偏置和动态偏置后，得到偏置信号；电流镜模块，用于将偏置信号进行电流调节后，得到电流调节信号
一种偏置尖峰检测电路低压线性稳压器

[发明专利]振荡器电路-CN202111608610.6在审
发明人：王润华;杨海玲;王亚宁;连夏梦 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H03B5/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种振荡器电路，包括振荡产生电路、偏置电路、可变电阻和运算放大器，偏置电路为所述振荡产生电路提供偏置点电压，可变电阻调节所述振荡产生电路的接入电压，运算放大器根据所述可变电阻与所述振荡产生电路之间的电压和参考电压调节所述偏置电路的偏置点电压，所述偏置电路、所述可变电阻和所述运算放大器能够自适应调控所述振荡产生电路的电流消耗，从而提高消耗的稳定性，且无需对振荡产生电路进行功耗校准，进而节省了数字电路和校准时间。
振荡器电路

[实用新型]一种电源电压产生电路-CN201721116666.9有效
发明人：李华锋;陈朝勇 -专利权人：福建省福芯电子科技有限公司
申请日： 2017-09-01 - 公布日： 2018-03-23 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本实用新型提供一种电源电压产生电路，所述电源电压产生电路包括启动电路、电流偏置电路、带隙基准电路、电压钳位电路；所述启动电路用于外接输入电压，输出启动电流；所述电流偏置电路用于接入启动电流，对启动电流进行偏置，并至少输出两个偏置电压；所述带隙基准电路用于接入启动电流，产生带隙基准电压；所述电压钳位电路接入两个偏置电压、接入带隙基准电压，电压钳位电路用于根据两个偏置电压对带隙基准电压进行钳位后输出电源电压。解决现有技术中控制芯片内电源产生电路不够精确的问题。
一种电源电压产生电路

[发明专利]电流模式逻辑电路-CN201210161487.2无效
发明人：陈峰 -专利权人：常州芯奇微电子科技有限公司
申请日： 2012-05-23 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： H03K19/0175 文献下载
摘要：本发明公开了一种电流模式逻辑电路，包括：偏置电路、逻辑电路、锁存电路和串并行转换电路，所述串并行转换电路和偏置电路电性连接，所述偏置电路与逻辑锁存电路电性连接，所述逻辑电路分别与偏置电路和锁存电路控制连接通过上述方式，本发明电流模式逻辑电路能够满足使用要求、结构简单、功耗低、工作稳定。
电流模式逻辑电路

[发明专利]一种抑制基准电压第二稳态的偏置电路-CN202210390875.1在审
发明人：史良俊;吴相俊;王梦云;朱自强 -专利权人：无锡力芯微电子股份有限公司
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种偏置电路，具体说是抑制基准电压第二稳态的偏置电路。它包括偏置模块，该偏置模块输入电源VDD，第一使能EN1和第二使能EN2控制偏置模块向基准电压电路的运算放大器发出偏置信号，以便基准电压电路的基准电压模板发出基准电压VREF。其特点是还包括驱动回路，驱动回路与偏置信号、电源VDD和基准电压VREF适配连接，当基准电压VREF拉成较低电平时，驱动回路控制整个偏置模块产生很大的偏置电流，激发基准电压电路的运算放大器重新建立工作点采用该偏置电路的基准电压电路成本低，不会出现第二稳态。
一种抑制基准电压第二稳态偏置电路

[发明专利]超低电压数字电路的本体偏置-CN201910853131.7在审
发明人： G·莱勒门特;F·阿布泽德 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2019-09-10 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H03K19/0944 文献下载
摘要：数字电路包括由逻辑门形成的逻辑电路。每个逻辑门包括p沟道MOSFET和n沟道MOSFET。本体偏置发生器电路将n本体偏置电压施加到p沟道MOSFET的n本体偏置节点，并且将p本体偏置电压施加到n沟道MOSFET的p本体偏置节点。本体偏置发生器电路操作以：在第一模式下，将地电源电压施加到逻辑门的n本体偏置节点作为n本体偏置电压并且将正电源电压施加到逻辑门的p本体偏置节点作为p本体偏置电压；以及在第二模式下，将正电源电压施加到逻辑门的n本体偏置节点作为n本体偏置电压并且将地电源电压施加到逻辑门的p本体偏置节点作为p本体偏置电压。
电压数字电路本体偏置