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- [发明专利]功率放大电路-CN201910811375.9有效
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田中聪;渡边一雄;田中佑介;荒屋敷聪
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株式会社村田制作所
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2019-08-29
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2023-10-27
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H03F3/24
- 本发明在使最大输出功率增大的同时使功率附加效率提高。功率放大电路具备：下级晶体管，具有被供给第一电源电压的第一端子、与接地连接的第二端子和被供给输入信号的第三端子；第一电容器；上级晶体管，具有被供给第二电源电压并且将放大信号输出到输出端子的第一端子、通过第一电容器与下级晶体管的第一端子连接的第二端子和被供给驱动电压的第三端子；第一电感器，将上级晶体管的第二端子连接到接地；电压调整电路，调整驱动电压；以及至少一个终止电路，使放大信号的偶数阶谐波或奇数阶谐波与接地电位短路，至少一个终止电路被设置为从传输路径上的任一点分岔，该传输路径从下级晶体管的第一端子起经由第一电容器以及上级晶体管到达输出端子。
- 功率放大电路
- [发明专利]功率放大电路-CN202010205264.6有效
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田中聪;渡边一雄;荒屋敷聪
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株式会社村田制作所
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2020-03-20
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2023-10-13
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H03F3/20
- 本发明提供一种在提高功率效率的同时抑制了增益的偏差的功率放大电路。功率放大电路具备：放大晶体管，具有被供给根据输入信号的振幅电平而变动的电源电压的第1端子、以及被供给输入信号和偏置电流的第2端子，并从第1端子输出使输入信号放大了的放大信号；偏置电路，基于供给到输入端子的基准电流，从输出端子输出偏置电流；和调整电路，根据电源电压的变动而生成调整偏置电流的调整电流，调整电流是伴随着电源电压的上升而增加且伴随着电源电压的下降而减少的电流，调整电路从基准电流或者偏置电流中的至少任一者提取调整电流。
- 功率放大电路
- [发明专利]高频模块和通信装置-CN202180079271.9在审
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上岛孝纪;竹松佑二;山口幸哉;吉见俊二;荒屋敷聪;佐俣充则;后藤聪;佐佐木丰;青池将之
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株式会社村田制作所
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2021-10-12
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2023-07-25
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H01L23/12
- 高频模块(1)具备：第一基材(71)，其由第一半导体材料构成；第二基材(72)，其由热导率比第一半导体材料的热导率低的第二半导体材料构成，在第二基材(72)形成有功率放大电路(11)；第三基材(73)，在第三基材(73)形成有发送滤波器电路(61T和/或62T)；以及模块基板(90)，其具有配置有第一基材(71)、第二基材(72)以及第三基材(73)的主面(90a)，其中，第一基材(71)经由电极(717)来与主面(90a)接合，在截面视图中，第二基材(72)配置于模块基板(90)与第一基材(71)之间，且经由电极(724)来与主面(90a)接合，在俯视视图中，第一基材(71)的至少一部分与第二基材(72)的至少一部分及第三基材(73)的至少一部分重叠。
- 高频模块通信装置
- [发明专利]功率放大电路-CN201910582936.2有效
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荒屋敷聪;渡边一雄;田中聪
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株式会社村田制作所
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2019-06-28
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2023-02-03
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H03F1/30
- 本发明提供一种功率放大电路，在抑制电路规模的增大的同时使最大输出功率增大。功率放大电路具备：下级差动对，被输入第1及第2信号；上级差动对，输出第1及第2放大信号；合成器，对第1及第2放大信号进行合成；第1及第2电感器；和第1及第2电容器，下级差动对包含：第1晶体管，在集电极被供给电源电压，在基极被供给第1信号；和第2晶体管，在集电极被供给电源电压，在基极被供给第2信号，上级差动对包含：第3晶体管，在集电极被供给电源电压，发射极通过第1电感器而与接地连接且通过第1电容器而与第1晶体管连接；和第4晶体管，在集电极被供给电源电压，发射极通过第2电感器而与接地连接且通过第2电容器而与第2晶体管连接。
- 功率放大电路
- [发明专利]半导体模块-CN202111150119.3在审
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吉见俊二;竹松佑二;山口幸哉;上嶋孝纪;后藤聪;荒屋敷聪
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株式会社村田制作所
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2021-09-29
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2022-04-19
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H01L23/367
- 本发明提供能够使半导体元件的散热特性提高的半导体模块。在第一部件的下表面设置有第一导体突起。并且，在第一部件的下表面接合有第二部件。第二部件在俯视下与第一部件相比较小，且在内部包含半导体元件。设置有第二导体突起，该第二导体突起设置于第二部件，与第一导体突起向同一方向突出。第一部件以及第二部件经由第一导体突起以及第二导体突起安装于模块基板。在模块基板的安装面上设置有覆盖第一部件的表面的至少一部分的区域，并且具有与第一部件的顶面朝向同一方向的顶面、以及与顶面连续的侧面的密封材料。在密封材料的顶面和侧面、以及模块基板的侧面设置有金属膜。
- 半导体模块
- [发明专利]半导体装置-CN202111159512.9在审
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吉见俊二;竹松佑二;山口幸哉;上嶋孝纪;后藤聪;荒屋敷聪
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株式会社村田制作所
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2021-09-30
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2022-04-08
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H01L23/367
- 本发明提供半导体装置。第一部件包括由单体半导体系的半导体元件构成一部分的第一电子电路。在第一部件设置有第一导体突起。第二部件与第一部件接合。第二部件在俯视时比第一部件小，包括由化合物半导体系的半导体元件构成一部分的第二电子电路。在第二部件设置有第二导体突起。功率放大器包括前级放大电路和后级放大电路。第二电子电路包括后级放大电路。第一电子电路及第二电子电路中的一方包括前级放大电路。第一电子电路包括使输入到从多个接点中选择的一个接点的高频信号输入到前级放大电路的第一开关、控制前级放大电路及后级放大电路的动作的控制电路、使从后级放大电路输出的高频信号从自多个接点中选择的一个接点输出的第二开关。
- 半导体装置
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