“值高硅”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果4542926个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种普通高硅铁精矿高值化利用的方法-CN202011250730.9有效
发明人：齐美超;吴新义;陈五九;吴红;李保健;石刚;潘猛;王炬;陈洲 -专利权人：安徽马钢张庄矿业有限责任公司;中钢集团马鞍山矿山研究总院股份有限公司;安徽马钢矿业资源集团有限公司
申请日： 2020-11-11 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： B03B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种普通高硅铁精矿高值化利用的方法，涉及选矿技术领域。该普通高硅铁精矿高值化利用的方法，包括如下步骤：S1、采集普通铁矿，并将其加入至球磨机进行球磨操作；S2、将步骤S1中得到的铁矿加入至塔磨机内进行塔磨操作。该普通高硅铁精矿高值化利用的方法，采用球磨、塔磨联合磨矿、粗细分级、筒式磁选机与电磁淘洗机联合磁选、阳离子反浮选脱硅的工艺流程，生产出超级铁精矿、高品位铁精矿以及高硅建材原料三种产品，流程适应性强、选别效果好、生产能耗低、无尾排放，并可用于大规模工业生产的对普通高硅铁精矿进行高值化利用的方法，解决目前普通铁精矿产品附加值低、超级铁精矿生产能耗高、指标差的问题。
一种普通高硅铁精矿高值化利用方法

[发明专利]一种制备高纯三氯氢硅的装置及方法-CN201810454678.5有效
发明人：王生红;曹玲玲;鲍守珍;蔡延国;宗冰;李彦;董海涛;王体虎 -专利权人：亚洲硅业（青海）股份有限公司
申请日： 2018-05-14 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明涉及多晶硅生产领域，具体涉及一种制备高纯三氯氢硅的装置及方法。本发明提供的制备高纯三氯氢硅的装置，在使用过程中，将制备好的三氯氢硅通入过滤装置中，将其中杂质进行过滤，并将三氯氢硅通入检测评价装置，检测到三氯氢硅的纯度达到预设值时，将三氯氢硅通入还原炉内。当检测装置检测三氯氢硅的纯度未达到预设值时，将三氯氢硅通入制备装置内，重新通过过滤装置再次进行过滤至其纯度达到预设值。本发明提供的制备高纯三氯氢硅的装置操作简单，可制备纯度高的三氯氢硅，同时提高了生产的高效化，且降低了生产成本。本发明提供的制备高纯三氯氢硅的方法，采用上述的制备高纯三氯氢硅的装置，因此也具有上述的有益效果。
一种制备高纯三氯氢硅装置方法

[发明专利]高硅沸石硅铝摩尔比的测定方法-CN202010995366.2有效
发明人：龙英才;濮鹏翔;沈飞;沈威;张含新 -专利权人：复榆（张家港）新材料科技有限公司
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G01N23/207 文献下载
摘要：本发明涉及一种高硅沸石硅铝摩尔比的测定方法，该方法包括：获取各结构类型高硅沸石的SAR‑2θ关系线；利用X射线粉末衍射仪对待测高硅沸石进行扫描，得到预设衍射角度范围的待测高硅沸石的XRD衍射谱，待测沸石包含不同硅铝摩尔比的同一结构类型高硅沸石；根据XRD衍射谱确定待测高硅沸石的衍射峰值对应的角度值；根据SAR‑2θ关系线以及衍射峰值对应的角度值确定待测高硅沸石的硅铝摩尔比。通过X射线粉末衍射仪获取XRD衍射谱，从XRD衍射谱得到待测沸石的衍射峰值对应的角度值，然后根据预先知道的高硅沸石的SAR‑2θ关系线，得到待测沸石的硅铝摩尔比，相比于已有的化学分析方法和XRF方法而言
高硅沸石硅铝摩尔测定方法

[发明专利]一种高酸度值高硅含量钛液制备二氧化钛的方法-CN202011270936.8在审
发明人：聂文林;张谦;文书明;韩广;崔传发;丰奇成;吕超;刘俊伯;周耀文;白旭;方健;王涵;张松 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2020-11-13 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： C01G23/053 文献下载
摘要：本发明公开了一种高酸度值高硅含量钛液制备二氧化钛的方法，属于钛白粉的生产技术领域。本发明以高酸度值高硅含量钛液为原料，通过添加生石灰或熟石灰，降低钛液酸度值和硅含量，提高钛液水解产物偏钛酸纯度，从而提高最终产物二氧化钛的纯度。本工艺的最大特征是采用生石灰或熟石灰作为降低钛液酸度值和硅含量的添加剂，生成大量柱状硫酸钙晶体，可使大量碎屑状二氧化硅附着于表面而除去，同时达到降低钛液酸度值和硅含量的目的，且生石灰和熟石灰价格低廉，来源广泛
一种酸度值高硅含量制备氧化方法

[发明专利]提高整合被动器件电感器Q值的方法-CN201310385895.0在审
发明人：黎坡 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-08-29 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高整合被动器件电感器Q值的方法。该提高整合被动器件电感器Q值的方法包括：首先，提供高阻硅衬底；此后，在对所提供的高阻硅衬底不经过任何处理的情况下直接对高阻硅衬底进行离子注入，从而在高阻硅衬底表面中注入掺杂原子；随后，在高阻硅衬底上直接生长一个层间绝缘层，以使得层间绝缘层直接形成在高阻硅衬底上；然后，在层间绝缘层层上淀积金属层，并形成金属层的图案从而制作电感器。
提高整合被动器件电感器方法

[发明专利]一种硅片切割废料熔炼精炼协同高值化利用方法-CN202010703821.7在审
发明人：马文会;杨时聪;魏奎先;伍继君;万小涵;李绍元 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2020-07-21 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： C01B33/025 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅片切割废料熔炼精炼协同高值化利用方法，属于硅二次资源高值化再生利用技术领域。本发明针对硅片切割硅粉废料易氧化、熔炼过程中杂质Al、Ca难以去除和硅的回收率低等实际问题，提出在熔炼设备中进行硅片切割废料的“还原熔炼‑精炼”高值化再生利用方法，实现硅片切割废料中硅颗粒表面二氧化硅的还原协同硅熔体精炼，提高硅的回收率和纯度，直接获得3N以上的再生硅产品。本发明方法具有设备要求简单、流程短、产品附加值高、操作容易、适合规模化工业生产。
一种硅片切割废料熔炼精炼协同高值化利用方法

[发明专利]高强、高延性、高导电的铜镍硅合金棒材及生产方法-CN201310722346.8无效
发明人：张戍 -专利权人：海门市江滨永久铜管有限公司
申请日： 2013-12-25 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： C22C9/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种高强、高延性、高导电的铜镍硅合金棒材及生产方法，产品由以下重量百分比的组分组成：镍1.6～2.4%，硅0.4～0.6%，铁≤0.1%的，锰≤0.1%，锌≤0.2%，余量为铜。本发明工艺简便，成品率高，具有较高的强度值、延性值和电性能值的高强、高延性、高导电性。
高强延性导电铜镍硅合金生产方法

[发明专利]一种分段式高炉铁水硅含量预测方法及装置-CN201711091922.8有效
发明人：尹林子;李乐;蒋朝辉;许雪梅;丁家峰 -专利权人：中南大学
申请日： 2017-11-08 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种分段式高炉铁水硅含量预测方法及装置，该方法包括：步骤1：获取历史高炉冶炼数据并作为样本数据，样本数据包括条件属性数据和决策值，决策值为硅含量；步骤2：建立包括常规决策表、高硅决策表以及低硅决策表的分段式决策表；步骤3：对分段式决策表进行属性约简得到包括常规知识库、高硅知识库以及低硅知识库的分段式知识库，并将各个知识库中决策值恢复为原始数据；步骤4：查找出与待测样本相匹配的知识库，并获取与待测样本相匹配的样本；步骤5：依据相匹配的知识库中与待测样本相匹配的样本的决策值计算出硅含量的预测值。本发明通过上述方法提高了硅含量预测值的准确度。
一种段式高炉铁水含量预测方法装置

[发明专利]中频感应加热方式制备高纯氧化亚硅的方法及设备-CN201611195184.7在审
发明人：马飞;沈龙;丁晓阳;葛传长 -专利权人：上海杉杉科技有限公司
申请日： 2016-12-21 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： C01B33/113 文献下载
摘要：本发明涉及高纯氧化亚硅的制备技术领域，具体地说是中频感应加热方式制备高纯氧化亚硅的方法及设备，其特征在于，采用如下制备方法1、原料准备含量>99.5wt％高纯硅、含量>99.5wt％二氧化硅按重量比11混合；2、中频感应加热；3、冷却得成品；当中频感应加热温度在1200～1600℃时，调节原料高纯硅与二氧化硅的摩尔比时，产物SiOx中x值为固定值；而当中频感应加热温度≥1600℃时，控制原料高纯硅与二氧化硅的摩尔比的比值在0.88～1.2时，产物SiOx中x的值在0.89～1.10范围内可调。本发明与现有技术相比，加热效率高，设备稳定；可以通过加热温度和原料配比的调整获得不同硅氧比产品。
中频感应加热方式制备高纯氧化方法设备

[发明专利]高g值加速度计-CN200510042775.6有效
发明人：赵玉龙;蒋庄德;高建忠;赵立波 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2005-06-09 - 公布日： 2005-11-09 - 主分类号： G01P15/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种高g值加速度计，该加速度计由加速度敏感梁、两块电路板和SOI硅微固态压阻芯片构成；该加速度敏感梁上有对称的台阶，两块电路板对称粘接在台阶上，SOI硅微固态压阻芯片设置在加速度敏感梁的中间，硅微固态压阻芯片与两块电路板通过引线连接。本发明采用双端固定的加速度敏感梁和硅隔离SOI硅微固态压阻芯片构成硅微应变固态压阻高g值传感器，解决了穿甲、掩体侵彻、钻地武器以及航弹等引信系统的高g值加速度测量问题。该加速度计传感器具有量程高、动态特性好、耐侯性强以及测量精度高、高过载等特点，能够满足穿甲、掩体侵彻、钻地武器以及航弹等引信系统高g值加速度的测量需要。
加速度计

[发明专利]高延长率的铝合金及其制造方法-CN03132408.8有效
发明人：钟利;王德满;单长智;周庆波;张万金;王国军;吴欣凤 -专利权人：东北轻合金有限责任公司
申请日： 2003-05-30 - 公布日： 2004-12-08 - 主分类号： C22C21/02 文献下载
摘要：高延长率的铝合金及其制造方法，没有经过变质处理的高硅合金的显微组织除极少数的初晶硅外，大部分硅相均为较长尺寸，并且有尖端的共晶硅，这些硅相均为脆性相，在随后进行挤压及锻造等变形处理过程中，因硅相尖端与基体铝之间产生应力集中而使材料开裂高延长率的铝合金，所述的铝合金中含有重量分数比为12－13的硅，0.3－14的复合钠盐改性剂，100份的铝，所述的复合钠盐改性剂中各物质的重量份数比：NaF 25、30、35或其中间值、KCl 25、30、35或其中间值、NaAlF 15、20、25或其中间值的混合物。本产品用于制作之高压延高变形的铝合金制品的原料。
延长铝合金及其制造方法

[发明专利]一种高焓值相变散热硅膏及其制备方法-CN201910062492.X在审
发明人：黄宏波;路华;李鹏;张洪涛 -专利权人：深圳航美新材料科技有限公司
申请日： 2019-01-23 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： C09K5/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种高焓值相变散热硅膏及其制备方法，按质量百分比计，所述高焓值相变散热硅膏包括：固体硅胶或液体硅油15%~40%，石蜡相变微胶囊35%~65%，导热填料10%~35%，偶联剂0.1%~3%，本发明所述高焓值相变散热硅膏具有较高导热系数和高相变潜热，相变过程中能大量储热，确保环境温度维持在相变点附近，具有散热形式多样、峰值散热效果显著的特点。
相变散热高焓硅膏制备高导热系数相变微胶囊质量百分比石蜡导热填料固体硅胶散热效果温度维持相变过程相变潜热液体硅油偶联剂增塑剂增粘剂散热储热

[发明专利]一种二硅氧烷双封头的制备方法-CN201610948267.2有效
发明人：谭景林;陈浩 -专利权人：九江学院
申请日： 2016-11-03 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： C07F7/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种二硅氧烷双封头的制备方法，它是采用Wurtz法或Grignard法，由有机硅高沸物精馏出来的二硅氧烷与卤代化合物合成二硅氧烷双封头剂。本发明不仅加大了有机硅高沸物的市场应用和高值化利用，还可以为制备特种功能的有机硅材料提供原料基础。
一种二硅氧烷双封头制备方法

[发明专利]高压工艺集成电路方法-CN201710851519.4在审
发明人：王惠惠;金锋;邓彤 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2017-09-19 - 公布日： 2018-03-09 - 主分类号： H01L21/8249 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压工艺集成电路方法，包含步骤1，在P型衬底上注入形成N型深阱,以及注入形成P阱；在高阻区域形成热氧化层；步骤2，对器件表面进行杂质的整体注入，调整N型深阱区硅表面掺杂的浓度，进而调整PMOS阈值电压达到设计要求；步骤3，淀积栅极热氧化层及多晶硅，进行低掺杂注入，调节多晶硅电阻值达到高值电阻的阻值要求,完成多晶硅栅极及高值电阻的刻蚀成型，完成CMOS中PMOS和NMOS的源漏极注入；步骤4,本发明采用CMOS栅极多晶硅的低掺杂P型注入来调节高值电阻的电阻值，利用CMOS的源区及漏区注入来同时调整多晶硅栅极的方块电阻，省掉高值电阻的一次光刻步骤，节省了工艺成本。
高压工艺集成电路方法

[发明专利]一种金刚石线硅片切割废料高值化再生利用的方法-CN202010704101.2在审
发明人：魏奎先;马文会;杨时聪;伍继君;万小涵;李绍元 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2020-07-21 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： C01B33/021 文献下载
摘要：本发明涉及一种金刚石线硅片切割废料高值化再生利用的方法，属于硅二次资源再生利用技术领域。为了实现金刚石线切割废料的高值化再生利用，本发明采用酸性湿法浸出预处理，使得硅微颗粒表面大量的金属杂质和二氧化硅表面氧化层得以快速溶解去除，再结合多晶硅铸锭的方法将湿法提纯后的高纯硅粉与铸锭原料掺兑进行铸锭和晶体生长获得可以用于多晶硅太阳电池用的多晶硅锭
一种金刚石硅片切割废料高值化再生利用方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条