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- [发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202110610067.7在审
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李宗翰
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长鑫存储技术有限公司
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2021-06-01
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2022-12-06
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H01L29/78
- 本发明实施例提供了一种半导体器件,包括:有源区,位于半导体衬底中,所述有源区包括中心区域和围绕所述中心区域的外围区域;第一应变层,以嵌入的方式形成于所述外围区域内;其中,所述第一应变层至少包括第一子部、第二子部、第三子部和第四子部,所述第一子部和所述第三子部沿第一方向间隔分布于所述中心区域的两侧,所述第二子部和所述第四子部沿第二方向间隔分布于所述中心区域的另外两侧,所述第一方向不同于所述第二方向;栅极,位于所述有源区上,所述栅极沿第一方向延伸且覆盖所述中心区域的至少部分区域、所述第一子部的至少部分区域和所述第三子部的至少部分区域。
- 一种半导体器件及其制造方法
- [发明专利]在带电粒子显微镜成像中进行区域选择-CN202210721727.3在审
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邓雨辰;H·科尔;M·皮门
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FEI 公司
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2022-06-24
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2022-12-27
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G06T5/40
- 在带电粒子显微镜成像中进行区域选择。本文公开了与在带电粒子显微镜(CPM)成像中进行区域选择相关的设备、系统、方法和计算机可读介质。例如,在一些实施例中,一种CPM支持设备可以包含:第一逻辑,所述第一逻辑用于通过由CPM处理来自样本的区域的第一成像轮次的数据来生成与所述区域相关联的第一数据集;第二逻辑,所述第二逻辑用于生成所述区域的预测参数;以及第三逻辑,所述第三逻辑用于基于所述区域的所述预测参数确定所述CPM是否要执行所述区域的第二成像轮次;其中响应于由所述第三逻辑做出的对要执行所述区域的第二成像轮次的确定,所述第一逻辑用于通过由所述CPM处理来自所述区域的第二成像轮次的数据来生成包含测量参数的与所述区域相关联的第二数据集。
- 带电粒子显微镜成像进行区域选择
- [发明专利]汽车发动机罩-CN202180025526.3在审
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西村隆一;浜田幸一;泽靖典;吉田亨
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日本制铁株式会社
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2021-03-29
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2022-11-11
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B62D25/10
- 汽车发动机罩(1)具有内罩板(2)、外罩板(3)以及配置有接合部(21)的多个直线状密封剂区域(A)。将包含直线状密封剂区域(A)并且使直线状密封剂区域(A)的长边方向(L)上的两端到达内罩板(2)的外周缘而得到的区域规定为端部间区域(B)。多个直线状密封剂区域(A)中的长度为前三的直线状密封剂区域(A2、A4、A3)分别是自身所属的端部间区域(B2、B4、B3)的长度的40%以上的长度。这3个端部间区域(B2、B4、B3)在被内罩板(2)的外周缘包围的区域内不相互交叉。
- 汽车发动机
- [发明专利]显示装置-CN202210554120.0在审
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李豆铉
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三星显示有限公司
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2022-05-19
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2022-11-22
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G09F9/30
- 一种显示装置包括:显示面板,包括第一非折叠区域、第二非折叠区域以及折叠区域,其中,所述显示装置被配置为在第一模式中在展开状态下操作,并且所述显示装置被配置为在第二模式中在折叠状态下操作;绝缘板,在所述显示面板下面并且包括对应于所述折叠区域的折叠部分;以及数字化仪,在所述绝缘板下面;其中,所述折叠部分包括:第一区域;第二区域;以及第三区域,其中,所述第一区域和所述第三区域中的每一者包括第一应力控制图案,所述第一应力控制图案包括限定在所述绝缘板的上表面中的第一凹槽,并且所述第二区域包括第二应力控制图案,所述第二应力控制图案包括限定在所述绝缘板的下表面中的第二凹槽和开口中的至少一种。
- 显示装置
- [发明专利]一种液冷板-CN202211306629.X在审
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李德胜;冯守旺;刘博;梅若愚
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清安储能技术(重庆)有限公司
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2022-10-24
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2023-01-06
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H01M10/6568
- 本发明公开一种液冷板,包括板主体与分流结构,板主体内设有空腔,分流结构包括设于空腔内的围型分流筋,围型分流筋将空腔分隔为位于围型分流筋内的第一换热区域和位于所述围型分流筋外的第二换热区域,且围型分流筋上开设有通道口以连通所述第一换热区域和所述第二换热区域本发明提供的技术方案中,通过围型分流筋将空腔分隔为第一换热区域与第二换热区域,第一换热区域位于液冷板中部位置,第二换热区域位于液冷板边缘位置,冷却液在第一换热区域与第二换热区域内流通,使得液冷板与电池模组接触的换热面的左右两侧同时存在温度较高及温度较低的冷却液
- 一种液冷板
- [发明专利]一种半导体器件的形成方法-CN202211262061.6在审
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苏鸿斌
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长鑫存储技术有限公司
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2022-10-14
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2023-01-03
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H01L21/8234
- 本公开实施例提供了一种半导体器件的形成方法,该形成方法包括:提供衬底,衬底上包括第一器件区域和第二器件区域;第一器件区域与第二器件区域的掺杂类型不同;形成覆盖第一器件区域和第二器件区域的第一栅极堆叠层;第一栅极堆叠层包括沿背离衬底方向依次层叠的第一功函数金属层和第一阻挡层;在第一栅极堆叠层上形成第一掩膜图形,第一掩膜图形至少覆盖第一器件区域并且至少暴露第二器件区域,第一掩膜图形沿垂直于衬底方向具有第一尺寸,第一掩膜图形暴露出的区域在平行于衬底的方向上具有第二尺寸,第二尺寸的最小值与第一尺寸的比值大于10;基于第一掩膜图形,采用刻蚀‑清洗的循环工艺去除第一掩膜图形暴露出的区域上的第一栅极堆叠层。
- 一种半导体器件形成方法
- [发明专利]半导体封装件-CN202210628354.5在审
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洪钟波;陈华日;朴商植
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三星电子株式会社
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2022-06-06
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2022-12-20
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H01L23/48
- 第一裸片具有信号区域和外围区域,并且在外围区域上包括第一过孔。第二裸片位于第一裸片上并且在与第一过孔对应的位置上具有第二过孔。连接端子将第二过孔连接到第一过孔。外围区域包括与第一裸片的拐角相邻的第一区域和与第一裸片的侧表面相邻的第二区域。连接端子包括位于第一区域上的第一连接端子和位于第二区域上的第二连接端子。在第一区域上的每单位面积的第一连接端子的面积的总和大于在多个第二区域上的每单位面积的第二连接端子的面积的总和。
- 半导体封装
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