“低漏率”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果3384142个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]一种低漏率高寿命双向带压插拔快速断接器-CN201720298895.0有效
发明人：石运序;童桂英;张霞;范红梅;刘源;张建旭 -专利权人：烟台大学
申请日： 2017-03-26 - 公布日： 2017-12-05 - 主分类号： F16L37/36 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种低漏率高寿命双向带压插拔快速断接器，该装置可实现任意压力情况下双向带压插拔、手动直接插拔，且低漏率、寿命高。本实用新型解决了现有技术中带压插拔系列快速断接器存在的插拔力大、漏率高、寿命短、仅能单向带压操作的问题。
一种低漏率高寿命双向带压插拔快速断接器

[实用新型]一种反向低漏率单向阀-CN201420774295.3有效
发明人：何彬;殷德文;王淑红;徐轩;李晶晶;魏春梅 -专利权人：西安航空动力控制科技有限公司
申请日： 2014-12-10 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： F16K15/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种反向低漏率单向阀，包括管接头(1)、弹簧座(2)、阀体(3)、弹簧(4)、阀心(5)，所述阀心(5)的端面(501)上硫化一层0.2mm～1mm橡胶。本实用新型单向阀在0.1MPa压差下采用正压氦质谱检漏，反向漏率可低于1.0×10-5Pa·m3/s，除可代替传统结构的单向阀用于一般的液压系统和气动系统外，还可应用于反向有较高的密封性要求的场合。而且其结构简单、可靠性高、加工成本低，易于推广，有较高的使用的价值。
一种反向低漏率单向阀

[发明专利]减小高电子迁移率晶体管源漏区域欧姆接触电阻率的方法-CN201310363053.5无效
发明人：孔欣;魏珂;刘新宇;刘果果 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2013-08-20 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种减小高电子迁移率晶体管源漏区域欧姆接触电阻率的方法，该方法是在源漏区域光刻之后，通过对源漏区域进行选择性刻蚀，通过刻蚀势垒层减小势垒层厚度，随后蒸发源漏金属并剥离后再采用高温快速热退火工艺形成欧姆接触，在不对二维电子气造成过分损伤的情况下从物理上减小载流子的隧穿距离，提升隧穿效率，获得低欧姆接触电阻率。利用本发明，可以有效减小源漏区隧穿距离，提升载流子隧穿几率，进而获得低阻欧姆接触。
减小电子迁移率晶体管区域欧姆接触电阻率方法

[发明专利]场效应晶体管和形成晶体管的方法-CN201310024264.6有效
发明人： A·布赖恩特;E·J·诺瓦克 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2013-01-23 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：该结构包括源极/漏极区域和在源极/漏极区域之间的沟道区域。源极/漏极区域可以包括对源极/漏极掺杂剂具有高扩散率的硅。沟道区域包括为最优化载流子迁移率和带能并且为具有低源极/漏极掺杂剂扩散率而选择的硅合金。在工艺期间，源极/漏极掺杂剂可以扩散到沟道区域的边缘部分。然而，因为硅合金向源极/漏极掺杂剂的低扩散率，掺杂剂不会深地扩散到沟道区域中。由此，硅合金沟道区域的边缘部分和源极/漏极区域可以具有基本相同的掺杂剂分布，但是与硅合金沟道区域的中心部分具有不同的掺杂剂分布。
场效应晶体管形成方法

[发明专利]一种半球谐振陀螺可伐的漏率检验装置及方法-CN202111636491.5在审
发明人：杨勇;谭品恒;方针;彭凯;雷霆;方仲祺 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十六研究所
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： G01M3/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种半球谐振陀螺可伐的漏率检验装置及方法，其中，漏率检验装置包括呈管状的检漏测试座，检漏测试座沿轴向具有连接端和测试端，连接端与检漏仪的抽真空接口密封连接，测试端上设有同轴的橡胶垫圈，橡胶垫圈朝向测试端的一面与测试端的端面密封贴合本发明所述漏率检验装置结构简单，检验方法基于漏率检验装置进行，不仅可以检测可伐合金的漏率，还可以通过定点喷射氦气来确定漏孔位置，操作简单可靠，检验成本低，使用该漏率检验装置检验可伐合金的漏率简单有效，可有效提高半球谐振陀螺的出厂质量
一种半球谐振陀螺检验装置方法

[发明专利]双功函数掩埋栅型晶体管、形成方法和包括其的电子器件-CN201510030731.5有效
发明人：姜东均 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2015-01-21 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种晶体管包括：源极区和漏极区，其形成在衬底中且彼此分隔开；沟槽，其形成在源极区和漏极区之间的衬底中；以及掩埋栅电极，其在沟槽的内部，其中，掩埋栅电极包括：下掩埋部分，其包括包含有含铝氮化钛的高功函数阻挡层、和设置在高功函数阻挡层之上的第一低电阻率层；以及上掩埋部分，其包括设置在下掩埋部分之上且与源极区和漏极区重叠的低功函数阻挡层、和设置在低功函数阻挡层之上的第二低电阻率层。
函数掩埋晶体管形成方法包括电子器件

[发明专利]基于智能水表平台大数据的管道漏损排查方法及系统-CN202011034684.9在审
发明人：赵玉莲;严婷 -专利权人：深圳市拓邦软件技术有限公司;深圳市敏泰智能科技有限公司
申请日： 2020-09-27 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： F17D5/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于智能水表平台大数据的管道漏损排查方法及系统，包括：获取待监测区域的总表数据和待监测区域的用户水表数据；基于所述总表数据和所述用户水表数据，获得当前漏损量；根据所述当前漏损量和所述总表数据，确定当前漏损率；根据所述当前漏损率判断所述待监测区域是否漏损。本发明可自动识别待监测区域的管道是否漏损，且设置结构简单、成本低，维护容易，并能实时通知维修人员，可大大节约人力成本，减少资源浪费。
基于智能水表平台数据管道排查方法系统

[发明专利]一种低漏率高寿命双向带压插拔快速断接器-CN201710185722.2有效
发明人：石运序;童桂英;张霞;范红梅;刘源;张建旭 -专利权人：烟台大学
申请日： 2017-03-26 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： F16L37/36 文献下载
摘要：本发明提出了一种低漏率高寿命双向带压插拔快速断接器，包括公头、母头，公头和母头内分别设置有动阀芯、静阀芯、密封圈、弹簧、限位凸起、定位块、通孔等装置，通过上述装置的特有设计和配合，从而实现任意压力情况下双向带压插拔、手动直接插拔，从而具有低漏率、寿命高的优点。
一种低漏率高寿命双向带压插拔快速断接器

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN96119224.0无效
发明人：安彦仁 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 1996-10-31 - 公布日： 2001-01-10 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：制造在源／漏区中有低电阻率硅化物层的ＣＭＯＳ结构的半导体器件。为了减小ｎ－型源／漏区（１１２）的电阻率要形成硅化物层，在形成高熔点金属硅化物层（１１７）前，在其上形成未掺杂硅层（１１３）。通过硅层离子注入，形成ｎ－型源／漏区。这样便可获得浅结ｐ型源／漏区（１１５），防止离子注入时间增加，且可以不减小离子注入能量地快速生产。
制造半导体器件方法

[发明专利]半导体装置、混合晶体管和相关方法-CN201880055993.9在审
发明人： K·M·考尔道;刘海涛;D·V·N·拉马斯瓦米 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-08-30 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：所述半导体装置包含混合晶体管，所述混合晶体管包含栅极电极、漏极材料、源极材料和操作性地耦合在所述漏极材料与所述源极材料之间的沟道材料。相对于作为高带隙低迁移率材料的所述沟道材料，所述源极材料和所述漏极材料包含低带隙高迁移率材料。还公开存储器阵列、半导体装置和并有存储器单元的系统以及混合晶体管，以及用于形成及操作这类装置的相关方法。
半导体装置混合晶体管相关方法

[实用新型]漏液监测装置-CN202320653345.1有效
发明人：张时强;张明星 -专利权人：深圳市佳运通电子有限公司
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G01M3/16 文献下载
摘要：本实用新型涉及漏液监测技术领域，公开了一种漏液监测装置，应用于泄漏点，包括外壳，监测装置还包括集液元件、光电监测单元、电导率监测单元、重力监测单元和控制单元；集液元件用于将漏液汇入监测装置内部；光电监测单元用于低透光性介质进行判断；电导率监测单元用于对低电阻率介质进行判断，并将判断信号输送至控制单元；重力监测单元用于对所有液相介质的重力进行判断；控制单元用于对各判断信号和通路信号进行分析判定。与现有技术相比，本实用新型采用光电、电导率、重力等多重并行方式对存在泄漏风险的部位以实时监测液体介质的泄漏情况，漏报误报率低、灵敏度高，解决了单一方式泄漏报警设备可靠性较低、易失效等问题。
监测装置

[发明专利]双壁管的内管漏点检验方法-CN202110499966.4有效
发明人：刘俊刚;余可;王鹏;赵伟;张裕腾 -专利权人：广西防城港核电有限公司;中国广核集团有限公司
申请日： 2021-05-08 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： G01M3/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种双壁管的内管漏点检验方法，其包括以下步骤：1)粗检步骤：使用超声波检漏法进行粗检，确定内管漏点所在区域；以及2)细检步骤：使用氦检漏法进行细检，确定内管漏点的准确位置。相对于现有技术，本发明双壁管的内管漏点检验方法中，粗检超声波检漏法成本低，对系统运行影响小，实施方便，操作简单，检验速度快，大大缩短检查工期。细检氦检漏法中的嗅吸探头灵敏度高，检验精度高，准确率高，漏检率低。因此，本发明双壁管的内管漏点检验方法可以快速对内管漏点进行准确定位，显著降低维修工作的时间、成本和影响。
双壁管内管漏点检验方法

[发明专利]一种真空测漏设备-CN201510398013.3在审
发明人：张锦山 -专利权人：佛山市元九门控科技有限公司
申请日： 2015-07-07 - 公布日： 2015-10-07 - 主分类号： G01M3/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种真空测漏设备，包括机台、真空泵、下夹具、上夹具、真空计、显示屏、单向阀、油缸、液压站和油缸安装架，真空泵安装在机台上，下夹具与真空泵连接并安装固定在机台上，上夹具位于下夹具上方并安装固定在油缸的缸体上真空计与上夹具连接用于检测上夹具与下夹具形成的腔室气压，显示屏与真空计电连接，单向阀安装在被测产品上并位于上夹具与下夹具形成的腔室内，液压站与油缸油路连接，油缸安装固定在油缸安装架上，油缸安装架安装固定在机台上；本发明具有测漏效率高、合格率高的优点，测漏合格率达100％，解决了目前通过滴油的方式来测漏而存在的测漏效率低和合格率低的问题。
一种真空设备

[实用新型]一种真空测漏设备-CN201520490269.2有效
发明人：张锦山 -专利权人：佛山市元九门控科技有限公司
申请日： 2015-07-07 - 公布日： 2015-10-21 - 主分类号： G01M3/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种真空测漏设备，包括机台、真空泵、下夹具、上夹具、真空计、显示屏、单向阀、油缸、液压站和油缸安装架，真空泵安装在机台上，下夹具与真空泵连接并安装固定在机台上，上夹具位于下夹具上方并安装固定在油缸的缸体上真空计与上夹具连接用于检测上夹具与下夹具形成的腔室气压，显示屏与真空计电连接，单向阀安装在被测产品上并位于上夹具与下夹具形成的腔室内，液压站与油缸油路连接，油缸安装固定在油缸安装架上，油缸安装架安装固定在机台上；本实用新型具有测漏效率高、合格率高的优点，测漏合格率达100％，解决了目前通过滴油的方式来测漏而存在的测漏效率低和合格率低的问题。
一种真空设备

[发明专利]一种基于随机子空间集成学习的主动脉夹层筛查系统-CN201810712225.8有效
发明人：张国刚;刘丽珏;柏勇平;谭世洋;罗靖旻;穆阳;张伟 -专利权人：中南大学湘雅医院;湖南自兴智慧医疗科技有限公司;湖南省自兴人工智能研究院
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： G16H50/70 文献下载
摘要：本发明针对现有传统诊断方法对于主动脉夹层诊断的效率低、误诊率高、漏诊率低、成本高、过程复杂的缺点，提供一种基于随机子空间集成学习的主动脉夹层筛查方法。该方法利用机器学习的RS‑Ensemble算法建立RS模型，利用RS模型进行主动脉夹层的筛查和诊断，大大提高了诊断准确率，同时大大降低了误诊率和漏诊率，实现高效低成本的诊断。
一种基于随机空间集成学习主动脉夹层系统

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top