专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]药物自动输送装置-CN201980034655.1有效
  • J·阿皮;N·坎米什;M·霍洛克;黄从一;J·帕尔默-费尔加特;C·罗西;O·谢尔高德;G·托尔迪;A·F·冯穆拉尔;A·布赖恩特 - 诺华股份有限公司
  • 2019-05-23 - 2023-10-27 - A61M5/20
  • 本发明涉及一种用于分配流体产品、特别是流体药剂的药物自动输送装置(10),特别是药物自动输送装置,所述药物自动输送装置包括:纵向壳体(104),所述纵向壳体沿纵向轴线延伸并具有靠近分配部位的近端、与所述近端相反的远端、以及中空内部;可移除盖(50),所述可移除盖可安装到所述壳体(104)的近端;注射器组件(200),所述注射器组件布置在所述壳体(104)内的安装位置,并且具有中空注射器本体(204)以及与所述中空注射器本体(204)联接的注射针头(206),所述中空注射器本体包括所述流体产品;驱动机构(300),所述驱动机构能够由触发元件触发以便开始分配所述流体产品;其中,所述加载的驱动机构与在所述纵向壳体(104)内可移动的安全护罩(102)能操作地联接;其中,所述安全护罩(102)被偏置到近侧位置,在所述近侧位置,所述安全护罩从所述纵向壳体(104)的近端伸出,以便覆盖所述注射针头(206)的针尖(348),并且其中,所述安全护罩(104)可移动到远侧位置,在所述远侧位置,所述注射针头(206)暴露以进行注射;所述装置进一步包括反馈机构,所述反馈机构向使用者提供指示实际操作状态的视觉反馈,其中,所述反馈机构包括视觉指示器,所述视觉指示器出现在所述壳体的远端上的透明窗口中。
  • 药物自动输送装置
  • [发明专利]药物自动输送装置-CN201980034751.6有效
  • J·阿皮;A·布赖恩特;N·坎米什;M·霍洛克;黄从一;J·帕尔默-费尔加特;C·罗西;O·谢尔高德;G·托尔迪;A·F·冯穆拉尔 - 诺华股份有限公司
  • 2019-05-23 - 2023-08-15 - A61M5/20
  • 本发明涉及一种用于分配流体产品、特别是流体药剂的药物自动输送装置(10),特别是药物自动输送装置,所述药物自动输送装置包括:纵向壳体(104),所述纵向壳体沿纵向轴线延伸并具有靠近分配部位的近端、与所述近端相反的远端、以及中空内部;可移除盖(50),所述可移除盖可安装到所述壳体(104)的近端;注射器组件(200),所述注射器组件布置在所述壳体(104)内的安装位置,并且具有中空注射器本体(204)以及与所述中空注射器本体(204)联接的注射针头(206),所述中空注射器本体包括所述流体产品;驱动机构(300),所述驱动机构能够由触发元件触发以便开始分配所述流体产品;其中,所述加载的驱动机构与在所述纵向壳体(104)内可移动的安全护罩(102)能操作地联接;其中,所述安全护罩(102)被偏置到近侧位置,在所述近侧位置,所述安全护罩从所述纵向壳体(104)的近端伸出,以便覆盖所述注射针头(206)的针尖(348),并且其中,所述安全护罩(104)可移动到远侧位置,在所述远侧位置,所述注射针头(206)暴露以进行注射;其中,所述可移除盖通过保持元件接合在所述盖与所述纵向壳体之间而轴向地保持在所述纵向壳体的近端上,所述保持元件通过所述盖相对于所述纵向壳体的旋转而脱离接合,以允许所述盖相对于所述壳体的轴向运动,从而移除所述盖,所述盖相对于所述壳体的轴向运动由施加到所述安全护罩上的偏置力来支持。
  • 药物自动输送装置
  • [发明专利]药物自动输送装置-CN201980034754.X有效
  • J·阿皮;A·布赖恩特;N·坎米什;M·霍洛克;黄从一;J·帕尔默-费尔加特;C·罗西;O·谢尔高德;G·托尔迪;A·F·冯穆拉尔 - 诺华股份有限公司
  • 2019-05-23 - 2023-06-06 - A61M5/20
  • 本发明涉及一种用于分配流体产品、特别是流体药剂的药物自动输送装置(10),特别是药物自动输送装置,所述药物自动输送装置包括:纵向壳体(104),所述纵向壳体沿纵向轴线延伸并具有靠近分配部位的近端、与所述近端相反的远端、以及中空内部;可移除盖(50),所述可移除盖可安装到所述壳体(104)的近端;注射器组件(200),所述注射器组件布置在所述壳体(104)内的安装位置,并且具有中空注射器本体(204)以及与所述中空注射器本体(204)联接的注射针头(206),所述中空注射器本体包括所述流体产品;驱动机构(300),所述驱动机构能够由触发元件触发以便开始分配所述流体产品;其中,所述加载的驱动机构与在所述纵向壳体(104)内可移动的安全护罩(102)能操作地联接;其中,所述安全护罩(102)被偏置到近侧位置,在所述近侧位置,所述安全护罩从所述纵向壳体(104)的近端伸出,以便覆盖所述注射针头(206)的针尖(348),并且其中,所述安全护罩(104)可移动到远侧位置,在所述远侧位置,所述注射针头(206)暴露以进行注射;其中,所述注射器组件设有固定到所述中空注射器本体的近端上并覆盖所述针头以及其尖锐的针尖的针头护罩;其中,所述可移除盖包括用于接合在所述针头护罩的周向外表面上的柔性抓持元件,使得所述可移除盖的移除引起所述针头护罩的移除,所述柔性抓持元件的直径大于所述安全护罩的近端的直径。
  • 药物自动输送装置
  • [发明专利]药物自动输送装置-CN201980034660.2在审
  • J·阿皮;A·布赖恩特;N·坎米什;黄从一;J·帕尔默-费尔加特;C·罗西;O·谢尔高德;G·托尔迪;A·F·冯穆拉尔;M·霍洛克 - 诺华股份有限公司
  • 2019-05-23 - 2021-01-05 - A61M5/20
  • 本发明涉及一种用于分配流体产品、特别是流体药剂的药物自动输送装置(10),特别是药物自动输送装置,所述药物自动输送装置包括:纵向壳体(104)、可移除盖(50)、注射器组件(200)、驱动机构(300)其中,所述加载的驱动机构与在所述纵向壳体(104)内可移动的安全护罩(102)能操作地联接;其中,所述安全护罩(102)被偏置到近侧位置,在所述近侧位置,所述安全护罩从所述纵向壳体(104)的近端伸出,以便覆盖所述注射针头(206)的针尖(348),并且其中,所述安全护罩(104)可移动到远侧位置,在所述远侧位置,所述注射针头(206)暴露以进行注射;其中,所述纵向壳体提供固定到其上的内部接纳部件,用于接纳注射器固持器并在所述纵向壳体内提供所述注射器固持器的预定径向与轴向位置;其中,所述注射器组件是第一注射器组件并且通过第一注射器固持器被接纳在所述纵向壳体内,其中,所述第一注射器固持器提供所述纵向壳体与所述注射器组件之间的接口;并且其中,所述纵向壳体和所述接纳部件的大小被设置并且被配置为能够接纳第二注射器固持器和第二注射器组件,所述第二注射器组件的直径与所述第一注射器组件的直径不同。
  • 药物自动输送装置
  • [发明专利]替代栅极鳍片结构和方法-CN201310045924.9有效
  • B·A·安德森;A·布赖恩特;E·J·诺瓦克 - 国际商业机器公司
  • 2013-02-05 - 2013-08-14 - H01L29/78
  • 本发明涉及替代栅极鳍片结构和方法。鳍片场效应晶体管(鳍片FET)结构和制造包括硅鳍片的鳍片FET的方法,该硅鳍片包括沟道区域和在沟道区域的每个端部上形成的源极/漏极(S/D)区域,其中沟道区域的整个底表面接触下绝缘体的顶表面并且S/D区域的底表面接触下硅锗(SiGe)层的顶表面的第一部分。鳍片FET结构还包括外部S/D区域,其接触每个S/D区域的顶表面和两个侧表面以及下SiGe层的顶表面的第二部分。鳍片FET结构还包括替代栅极或者栅极叠层,其接触在沟道区域的顶表面和两个侧表面上形成的保形介质,该栅极叠层被设置在下绝缘体之上且不在下SiGe层的第一和第二部分之上,其中替代栅极与外部S/D区域通过保形介质电绝缘。
  • 替代栅极结构方法
  • [发明专利]场效应晶体管和形成晶体管的方法-CN201310024264.6有效
  • A·布赖恩特;E·J·诺瓦克 - 国际商业机器公司
  • 2013-01-23 - 2013-07-31 - H01L29/772
  • 本发明涉及场效应晶体管和形成晶体管的方法。公开的是金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)结构的实施例及制造该结构的方法。该结构包括源极/漏极区域和在源极/漏极区域之间的沟道区域。源极/漏极区域可以包括对源极/漏极掺杂剂具有高扩散率的硅。沟道区域包括为最优化载流子迁移率和带能并且为具有低源极/漏极掺杂剂扩散率而选择的硅合金。在工艺期间,源极/漏极掺杂剂可以扩散到沟道区域的边缘部分。然而,因为硅合金向源极/漏极掺杂剂的低扩散率,掺杂剂不会深地扩散到沟道区域中。由此,硅合金沟道区域的边缘部分和源极/漏极区域可以具有基本相同的掺杂剂分布,但是与硅合金沟道区域的中心部分具有不同的掺杂剂分布。
  • 场效应晶体管形成方法
  • [发明专利]用于飞行器的功率开关-CN201110095569.7有效
  • A·施普利;M·斯蒂芬斯;P·莫比;A·布赖恩特 - 通用电气航空系统有限公司
  • 2011-04-07 - 2011-10-12 - H03K17/687
  • 本发明主要涉及用于飞行器的功率开关。根据第一方面,本发明提供了一种用于飞行器功率分配系统中的故障保护的集成式固态功率开关(200,300)。集成式固态功率开关(200,300)由半导体材料(250,350)形成,该半导体材料提供了场效应晶体管(FET)沟道和双极晶体管沟道,其中,场效应晶体管沟道在正常装置操作期间可操作以提供工作电流流动通路(242,342),而双极晶体管沟道在装置过载状态期间可操作以提供过载电流流动通路(240,340)。还描述了一种用于制造此种集成式固态功率开关的方法(400)。本发明的各种实施例提供了用于飞行器系统的自动过载电流保护,而无需使用庞大的开关或大型的冷却设备。
  • 用于飞行器功率开关
  • [发明专利]联合平面FET和鳍片FET的器件-CN200710199904.1无效
  • A·布赖恩特;W·F·小克拉克;B·A·安德森;E·J·诺瓦克 - 国际商业机器公司
  • 2007-11-14 - 2008-06-25 - H01L27/088
  • 本发明涉及一种半导体器件。所述器件包括:在单晶硅衬底中形成的平面FET,所述FET包括第一沟道区域、在所述第一沟道区域的相对的侧上的第一和第二源极漏极以及栅极,所述栅极在所述沟道区域之上并通过第一栅极介质层与所述沟道区域电隔离;以及在单晶硅块上形成的鳍片FET,所述单晶硅块在所述衬底的顶上并与所述衬底电隔离,所述鳍片FET包括第二沟道区域、在所述第二沟道区域的相对的第一和第二端上的第三和第四源极漏极以及栅极,所述栅极通过第二栅极介质层与所述第二沟道区域电隔离。
  • 联合平面fet器件

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