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[发明专利]具有降低的应力各向异性的薄膜-CN201310282017.6在审
发明人： M·朱;E·L·C·埃斯特瑞恩;田伟;V·印图瑞;M·C·考茨基 -专利权人：希捷科技有限公司
申请日： 2013-05-02 - 公布日： 2014-01-08 - 主分类号： G11B5/31 文献下载
摘要：一种装置及其关联方法提供一种磁性元件，该磁性元件具有在低温基板上沉积的薄膜。该薄膜另外可以在初次退火期间经过应力调节以降低不想要的应力各向异性。该薄膜可配置成在初次退火之后具有近零内部应力。
具有降低应力各向异性薄膜

[发明专利]一种超高强高韧高耐蚀CuNiSiNbSn系弹性铜合金炉头制备方法-CN201610710784.6在审
发明人：李玉敏 -专利权人：青岛天地铸造有限公司
申请日： 2016-08-24 - 公布日： 2018-03-09 - 主分类号： C22F1/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种超高强高韧高耐蚀CuNiSiNbSn系弹性铜合金炉头制备方法，合金制备过程包括熔炼、半连续铸造、均匀化退火、热轧、冷轧、固溶、组合时效(预时效处理+冷轧+时效处理)、精轧、低温退火等步骤
一种高强高韧高耐蚀 cunisinbsn 弹性铜合金制备方法

[发明专利]高强高导纯铜线的复合加工方法-CN202110765999.9在审
发明人：周学渊;喇培清;郑月红;赵赫;张娜 -专利权人：兰州理工大学
申请日： 2021-07-07 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： B21C37/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种高强高导纯铜线的复合加工方法，将ECAP‑C工艺+低温轧制与退火工艺相结合，得到一种ECAP‑C+低温轧制+退火的复合加工工艺，使材料在整个过程中既能简化加工工艺、节约成本，又能在保证较高的导电性的基础上提高材料的强度
高强高导纯铜线复合加工方法

[发明专利]一种提高汽车轻量化用高强度钢耐腐蚀性能的工艺方法-CN201610993317.9有效
发明人：王坤;魏爱平;牛丽媛;童先;林继兴;金露凡 -专利权人：浙江工贸职业技术学院
申请日： 2016-11-11 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： C21D8/00 文献下载
摘要：通过对可产生退火孪晶的孪生诱发塑性钢进行热轧后进行较长时间的高温均匀化热处理，然后空冷至预定温度区间后进行低温轧制，再进行一次短时高温均匀化热处理，再次空冷至预定温度区间后进行低温轧制，再进行一次短时高温均匀化热处理，即可大幅度增加孪生诱发塑性钢中的退火孪晶尺寸及比例，提高其耐腐蚀性能。
高温均匀化耐腐蚀性能热处理孪生诱发塑性钢退火预定温度区间汽车轻量化低温轧制高强度钢空冷孪晶热轧

[发明专利]一种溶液法低温制备WO₃电致变色薄膜的方法-CN201810980744.2在审
发明人：姚日晖;史沐杨;宁洪龙;张啸尘;周尚雄;袁炜健;李志航;陶瑞强;卢宽宽;彭俊彪 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2018-08-27 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本发明属于电致变色器件技术领域，具体涉及一种溶液法低温制备WO₃电致变色薄膜的方法。所述方法包括如下制备步骤：将氯化钨溶于无水乙醇中，离心搅拌后，得到前驱体溶液；在衬底上旋涂前驱体溶液，在空气中静置30～60min，然后在100～300℃的温度下退火处理1～2h，得到WO_{3<本发明通过将氯化钨溶于无水乙醇中离心后得到前驱体，可以在较低退火温度下去除湿膜中的有机杂质，能够在低温下得到氧化钨电致变色薄膜，使得低温制备电致变色器件成为可能，同时本方法的工艺流程和所需的设备条件相对简单}
电致变色薄膜低温制备电致变色器件前驱体溶液无水乙醇氯化钨溶液法退火离心搅拌设备条件退火处理有机杂质工艺流程前驱体氧化钨衬底除湿上旋制备薄膜

[发明专利]一种具有低温韧性和高再结晶温度的钨合金的制备方法-CN202010719116.6在审
发明人：练友运;宋久鹏;封范;蒋香草;颜彬游;王建豹;陈哲;刘莎莎;刘翔 -专利权人：核工业西南物理研究院;厦门钨业股份有限公司
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： C22C1/05 文献下载
摘要：本发明属于钨合金的制备方法，具体涉及一种具有低温韧性和高再结晶温度的钨合金的制备方法。一种具有低温韧性和高再结晶温度的钨合金的制备方法，包括下述步骤：步骤一：混合烧结；将金属钨与弥散颗粒混合，并烧结为柱状烧结生坯；步骤二：锻造加工；对烧结生坯锻造加工，直到尺寸满足要求；步骤三：退火；对锻造加工完成的产品进行退火本发明的显著效果是：本发明能制备得到完全致密的钨块体材料，在制备过程中可以有效地控制钨基材料的微观组织，使得钨棒材的低温韧性和再结晶温度大幅度提高。
一种具有低温韧性再结晶温度合金制备方法

[发明专利]一种利用低温过渡层生长高质量氮化镓外延结构的方法-CN201510470018.2有效
发明人：张志荣;尹甲运;房玉龙;芦伟立;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2015-08-04 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用低温过渡层生长高质量氮化镓外延结构的方法，涉及半导体技术领域。该方法包括以下步骤1）采用MOCVD技术，对衬底在高温下热处理后，降温；2）在衬底上生长一层低温氮化物形核层；3）退火，实现形核层结晶；4）升高温度，在退火后的形核层上生长一层氮化镓；5）停止通入镓源，本发明利用低温过渡层有效降低氮化镓外延层位错密度，提高氮化镓晶体质量，进而提高氮化镓基器件的使用寿命及效率。
一种利用低温过渡生长质量氮化外延结构方法

[发明专利]低温多晶硅的制作方法、低温多晶硅薄膜和薄膜晶体管-CN201310139120.5有效
发明人：田雪雁 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2013-04-19 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明涉及显示面板制造领域，公开了一种低温多晶硅的制作方法，其包括：在衬底基板上沉积缓冲层；在所述缓冲层上沉积非晶硅层，在形成非晶硅层后进行高温处理；根据所述非晶硅层的厚度分布情况分为多个能量区进行激光退火处理本发明还公开了基于上述低温多晶硅的制作方法所制备的低温多晶硅薄膜以及具有该薄膜的薄膜晶体管。本发明将非晶硅层分成多个能量区进行激光退火处理，使得每个能量区域内的多晶硅都能得到大尺寸的晶粒尺寸，并且整个基板范围内的多晶硅晶粒尺寸的分布均匀。
低温多晶制作方法薄膜薄膜晶体管

[发明专利]晶体管的结构及其制作方法-CN201210390802.9有效
发明人：刘志建;吴姿锦;林钰书;陈哲明;邓文仪 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2012-10-15 - 公布日： 2018-01-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开一种晶体管的结构及其制作方法，首先，提供一具有第一晶体管区域的半导体基底，接着施行一低温沉积制作工艺，形成一第一伸张应力层于第一晶体管区域内的晶体管上，其中低温沉积制作工艺的温度不大于摄氏300度，继以施行一高温退火制作工艺，其中高温退火制作工艺的温度高于低温沉积制作工艺的温度至少摄氏150度，最后于第一伸张应力层上形成一第二伸张应力层，其中第一伸张应力层的伸张应力值低于第二伸张应力层的伸张应力值
晶体管结构及其制作方法

[发明专利]无机反置钙钛矿太阳能电池、其制备方法和应用-CN202010283071.2有效
发明人：孙建侠;陈加坡;瞿光胤;范利生;田清勇;范斌 -专利权人：昆山协鑫光电材料有限公司
申请日： 2020-04-10 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：所述全无机反置钙钛矿太阳能电池的制备方法包括制作空穴传输层、钙钛矿光敏层、电子传输层的步骤，其中所述电子传输层的制备方法包括：将包含氧化铈前驱体、锂盐、表面活性剂的氧化铈前驱体溶液涂覆在钙钛矿光敏层上并低温退火处理本发明选择采用低温氧化铈作为电子传输层材料，不仅满足了能够采用低温处理工艺，有效的防止了高温退火对钙钛矿光敏层的破坏，而且可以采用对钙钛矿光敏层没有破坏的溶剂来分散，从而成功的制备了全无机反置钙钛矿太阳能电池
无机反置钙钛矿太阳能电池制备方法应用

[发明专利]一种低温掺杂、高光致发光量子产率的钙钛矿薄膜及其制备方法-CN202010330762.3有效
发明人：方国家;刘永杰;刘陈威 -专利权人：武汉大学
申请日： 2020-04-24 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种低温掺杂、高光致发光量子产率的钙钛矿薄膜及其制备方法。本发明采用低温前驱液金属镧离子掺杂，无需高温注入和绝缘配体辅助结晶即可得到高荧光量子产率钙钛矿薄膜。所述的方法在相对低温环境下，通过温度梯度退火和溶剂氛围退火，制备的钙钛矿晶体质量更高，缺陷更少，非辐射复合路径被有效抑制。
一种低温掺杂光致发光量子钙钛矿薄膜及其制备方法

[发明专利]一种无铅低温浮雕烤花玻璃酒瓶的生产方法-CN201310230414.9无效
发明人：孙敬宝 -专利权人：新沂市新奥特玻璃制品有限公司
申请日： 2013-06-12 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： B65D13/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种无铅低温浮雕烤花玻璃酒瓶的生产方法，该产品属于玻璃制造领域；本发明是以无铅白色碎玻璃、白色石英砂、纯碱、钠长石、方解石、元明粉、钴粉、二毫米厚的图案花纸、可撕膜为原料，以水洗机、掺混机、锅炉、窑炉、成型机、退火箱、转贴箱、燃气玻璃烤花炉、去膜箱为设备，通过无铅白色碎玻璃的水洗、原料的混合、熔融、成型、退火、贴膜、烤花、撕膜后制得无铅低温浮雕烤花玻璃酒瓶。该方法具有工艺简单、原材料来源方便、生产成本低、无污染、适合工业化生产的特点；产品无铅低温浮雕烤花玻璃酒瓶可作为高档白酒的包装物，产品不含铅，使用完毕后可回收利用。
一种低温浮雕玻璃酒瓶生产方法

[实用新型]一种大芯径单偏振光纤的拉丝设备-CN202021424033.6有效
发明人：肖春;司旭;戎亮;任军江 -专利权人：上海传输线研究所(中国电子科技集团公司第二十三研究所)
申请日： 2020-07-20 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： C03B37/027 文献下载
摘要：所述设备其特征在于包括了拉丝炉低温区、拉丝炉高温区、退火管，拉丝炉低温区与拉丝炉高温区交替依次排列形成加热炉区，两个拉丝炉高温区的中心线与光纤的应力元的中心连线相互垂直，两个拉丝炉低温区的中心线与应力元的中心连线一致，退火管放置于炉区中心线的正下方。
一种大芯径单偏振光纤拉丝设备

[发明专利]铜铁矿结构铜铬氧纳米晶膜的简单化学制备法-CN201611051590.6在审
发明人：韩美杰;梅晓娟 -专利权人：上海电机学院
申请日： 2016-11-24 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本发明提出一种铜铁矿结构铜铬氧纳米晶膜的简单化学制备法，包括以下步骤(1)铜铬前驱液配置将含铜化合物和含铬化合物加入有机溶剂中配成前驱液；(2)旋涂成膜采用匀胶机将铜铬前驱液均匀旋涂于清洗过的蓝宝石衬底上；(3)低温退火经旋涂成膜后，将薄膜在200‑300℃空气氛围下退火3‑5分钟；(4)高温热处理将低温退火后的样品在600～800℃氮气氛围中退火20‑50分钟，氮气的流量保持在1.5‑3L/min，得到蓝宝石衬底上的可见光区和红外光区高度透明的
铁矿结构铜铬氧纳米简单化学制备

[发明专利]微电子学中在低温下进行直接金属间键合的层结构-CN202210796791.8在审
发明人： G·高;G·G·小方丹;L·W·米卡里米;R·卡特卡尔;I·莫哈梅德;C·E·尤佐 -专利权人：伊文萨思粘合技术公司
申请日： 2019-08-21 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本公开涉及微电子学中在低温下进行直接金属间键合的层结构。提供用于在微电子学中在低温和较短退火持续时间下进行直接金属间键合的层结构。示例键合界面结构能够在150℃或在150℃以下的低退火温度下以及较低能量预算下实现互连件的直接金属间键合。示例结构为被键合的导电焊盘和过孔提供了精确的金属凹陷距离，该金属凹陷距离可以在高量产中被实现。诸如表面纳米纹理和铜晶面选择的进一步增强可以以降低的退火温度和较短的退火持续时间进一步促使直接金属间键合。
微电子学低温进行直接金属间键合结构