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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]一种基于自举方式的H桥控制电路-CN201520796407.X有效
发明人：肖茂红;颜亭;张国成;张兆先 -专利权人：深圳唐磁电气有限公司
申请日： 2015-10-16 - 公布日： 2016-03-16 - 主分类号： H02M7/5387 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于自举方式的H桥控制电路，包括绝缘栅双极型晶体管一、驱动芯片、自举电容，所述绝缘栅双极型晶体管一对侧设置有绝缘栅双极型晶体管二，所述绝缘栅双极型晶体管二下方设置有绝缘栅双极型晶体管三，所述绝缘栅双极型晶体管三对侧设置有绝缘栅双极型晶体管四，所述绝缘栅双极型晶体管一和所述绝缘栅双极型晶体管四之间设置有励磁线圈，所述励磁线圈一端设置有永磁开关，所述驱动芯片两侧设置有功能引脚，所述驱动芯片一侧连接有所述自举电容，所述自举电容一侧设置有自举二极管。有益效果在于：采用驱动芯片结合控制单片机的程序，以简易的方式实现了对H桥的自举及控制，实现成本低。
一种基于方式控制电路

[发明专利]显示面板-CN202110145604.5有效
发明人：李波;戴超 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2021-02-02 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种显示面板，该显示面板包括氧化物晶体管，氧化物晶体管的氧化物有源层和源漏极层之间，氧化物晶体管的沟道两侧分别设置有第一过孔和第二过孔，氧化物晶体管的源极和漏极分别通过第一过孔和第二过孔连接氧化物有源层本发明通过在氧化物晶体管的沟道两侧分别设置第一过孔和第二过孔，经由第一过孔和第二过孔对氧化物晶体管沟道两侧的区域进行导体化，解决了由于氧化物晶体管的沟道距离过孔的位置较远，导致氧化物晶体管的导体化程度低的技术问题
显示面板

[发明专利]半导体电路装置-CN200510091739.9无效
发明人：阿部一郎 -专利权人：尔必达存储器股份有限公司
申请日： 2005-08-17 - 公布日： 2006-02-22 - 主分类号： H03K5/13 文献下载
摘要：具有将输入端公共连接到信号输入端子IN，彼此为相同的逻辑结构的第一及第二传送系统；构成第一传送系统的晶体管中向第一传送系统的输入值为低电平时截止的晶体管为高阈值，导通的晶体管为低阈值，构成第二传送系统的晶体管中向第二传送系统的输入值为高电平时，截止的晶体管为高阈值，导通侧的晶体管为低阈值，第一及第二传送系统根据控制信号，控制为动作状态和待机状态，具有输出选择部，其接收第一及第二传送系统的输出，在动作时，从输出端子输出来自低阈值的晶体管为导通状态侧的传送系统的输出
半导体电路装置

[发明专利]有源像素电路、图像传感器和电子设备-CN202180094627.6在审
发明人：周俊;孙鹏;杨道虹 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种有源像素电路、图像传感器和电子设备，所述有源像素电路具有光电二极管以及至少三个MOS晶体管，其中，至少一个MOS晶体管作为传输晶体管，至少另一个MOS晶体管作为复位晶体管，至少又一个MOS晶体管作为其它晶体管，所述传输晶体管不仅阈值电压高于所述其它MOS晶体管，而且工作电压下的关态漏电流低于所述其它MOS晶体管，由此可以利用传输晶体管高阈值、低漏电的特性，来降低光电二极管存储失真和信号的读取失真，以降低有源像素电路的读取噪声和功耗，同时利用所述其它MOS晶体管低阈值、高漏电(即导通电流大)的特性，来提高有源像素电路的读取速度。
有源像素电路图像传感器电子设备

[发明专利]有源像素电路、图像传感器和电子设备-CN202110476254.0有效
发明人：周俊;孙鹏;杨道虹 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种有源像素电路、图像传感器和电子设备，所述有源像素电路具有光电二极管以及至少三个MOS晶体管，其中，至少一个MOS晶体管作为传输晶体管，至少另一个MOS晶体管作为复位晶体管，至少又一个MOS晶体管作为其它晶体管，所述传输晶体管不仅阈值电压高于所述其它MOS晶体管，而且工作电压下的关态漏电流低于所述其它MOS晶体管，由此可以利用传输晶体管高阈值、低漏电的特性，来降低光电二极管存储失真和信号的读取失真，以降低有源像素电路的读取噪声和功耗，同时利用所述其它MOS晶体管低阈值、高漏电(即导通电流大)的特性，来提高有源像素电路的读取速度。
有源像素电路图像传感器电子设备

[发明专利]低功率反相器电路-CN201310666639.9在审
发明人： A·罗伊;程志宏;A·K·黛;V·塔亚尔;C·弗尔玛 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2013-10-10 - 公布日： 2015-04-29 - 主分类号： H03K19/094 文献下载
摘要：本发明涉及低功率反相器电路，其包括第一晶体管和第二晶体管，该第一晶体管和第二晶体管在它们的栅极端子处接收输入信号。第一晶体管和第二晶体管通过它们的源极端子分别连接到第三晶体管和第四晶体管。第三晶体管和第四晶体管分别与第五晶体管和第六晶体管并联连接。第三晶体管和第四晶体管连续导通，第五晶体管和第六晶体管被控制成使得当输入信号从一种状态转变到另一种状态时，降低流经第一晶体管和第二晶体管的短路电流。
功率反相器电路

[发明专利]运算放大器-CN200610139638.9无效
发明人：樋口钢儿 -专利权人：冲电气工业株式会社
申请日： 2006-09-20 - 公布日： 2007-04-25 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：本发明提供可缩小差动晶体管的尺寸及布图面积等的运算放大器。在被输入低电压信号的差动放大电路(12)的后级上连接高耐压的电流镜电路(14)的运算放大器中，差动放大电路(12)的N沟道FET即低耐压晶体管(24、26)与输入端子(20、22)连接，各漏极经由连接点(N1、N2)连接到N沟道高耐压晶体管(28、30)连接，各栅极上均被供给偏压电位(BIAS2)。低耐压晶体管(24、26)的源极与低耐压晶体管(34)的漏极连接，其栅极上被供给偏压电位(BIAS1)，起电流源的作用，低耐压晶体管(24、26、34)的晶体管尺寸设定为小于高耐压晶体管。
运算放大器

[发明专利]一种集成开关电源的智能功率模块-CN202010763469.6在审
发明人：冯锴雄;杨忠添 -专利权人：广东汇芯半导体有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H02M7/5387 文献下载
摘要：本申请提供一种集成开关电源的智能功率模块，包括：一HVIC芯片，其包括VSS端口、高侧输出端口以及低侧输出端口，高侧输出端口仅有HO1端口以及HO2端口，低侧输出端口仅有LO1端口以及LO2端口；一逆变器单元，逆变器单元仅有第一三极晶体管、第二三极晶体管、第三三极晶体管以及第四三极晶体管；一开关电源，其包括功率MOS管以及控制电路；功率MOS管的栅极与控制电路连接，其漏极连接于P点，其源极与VSS端口连接。
一种集成开关电源智能功率模块

[实用新型]一种集成开关电源的智能功率模块-CN202021567140.4有效
发明人：冯锴雄;杨忠添 -专利权人：广东汇芯半导体有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H02M7/5387 文献下载
摘要：本申请提供一种集成开关电源的智能功率模块，包括：一HVIC芯片，其包括VSS端口、高侧输出端口以及低侧输出端口，高侧输出端口仅有HO1端口以及HO2端口，低侧输出端口仅有LO1端口以及LO2端口；一逆变器单元，逆变器单元仅有第一三极晶体管、第二三极晶体管、第三三极晶体管以及第四三极晶体管；一开关电源，其包括功率MOS管以及控制电路；功率MOS管的栅极与控制电路连接，其漏极连接于P点，其源极与VSS端口连接。
一种集成开关电源智能功率模块

[发明专利]晶体管的形成方法-CN201110431456.X有效
发明人：涂火金;三重野文健 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-12-20 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种晶体管的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括半导体衬底、位于所述半导体衬底表面的栅极结构、以及位于所述栅极结构两侧的半导体衬底内的开口；采用氢气和具有还原能力的物质对所述基底进行预处理；所述预处理后形成的晶体管沟道区的载流子迁移率低，晶体管的热预算低，晶体管的性能好。
晶体管形成方法

[发明专利]改良式电荷帮浦电路-CN200710180965.3无效
发明人：陈政宏;谢明宏 -专利权人：达盛电子股份有限公司
申请日： 2007-10-10 - 公布日： 2009-04-15 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：一种改良式电荷帮浦电路包含：一电荷帮浦电路，由上而下包含一第二PMOS晶体管、第一PMOS晶体管、第一NMOS晶体管及第二NMOS晶体管N2顺序迭接于一电源和接地参考点之间，其中，第一PMOS晶体管与第一NMOS晶体管的连接端是输出端，第一PMOS晶体管以第一固定偏压控制、第二PMOS晶体管由周期性第一脉波信号控制，两者形成充电段以对一低通滤波电路充电，第一NMOS晶体管以第二固定偏压控制，第二NMOS晶体管由周期性第二脉波信号控制，两者形成放电段以提供一低通滤波电路放电路径；一快速拉低电位电路及一快速拉高电位电路。
改良电荷电路

[发明专利]半导体器件和具有该半导体器件的逆变器电路-CN200810174833.4有效
发明人：福田丰;都筑幸夫 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2008-11-07 - 公布日： 2009-05-13 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：一种半导体器件包括半导体衬底(1)、形成到所述半导体衬底(1)的绝缘栅极晶体管(21)、形成到所述半导体衬底(1)的二极管(22)、以及形成到所述半导体衬底(1)的控制晶体管(ST1-ST3)。所述绝缘栅极晶体管(21)的第一电流端子在高电位侧耦合到所述二极管(22)的阴极。所述绝缘栅极晶体管(21)的第二电流端子在低电位侧耦合到所述二极管(22)的阳极(22a)。将所述控制晶体管(ST1-ST3)配置成，在所述二极管(22)传导电流时，通过降低所述绝缘栅极晶体管(21)的栅极端子的电位来使所述绝缘栅极晶体管(21)截止。
半导体器件具有逆变器电路

[发明专利]像素电路-CN202110019549.5有效
发明人：郑贸熏;洪嘉泽 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2021-01-07 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：本发明揭露一种像素电路，其包含第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管、第一电容及第二电容。其中，像素电路可解决临界电压补偿不足的问题，避免在低帧率模式下，因漏电流而使显示品质下降。
像素电路

[发明专利]混合标准单元和使用其设计集成电路的方法-CN202010840467.2在审
发明人：李庭镇;金珉修;金雅凛 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-08-19 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本公开涉及一种混合标准单元，该混合标准单元包括半导体衬底、第一电力轨、第二电力轨、高速晶体管区域和低功率晶体管区域。高速晶体管区域和低功率晶体管区域在第一方向上彼此相邻，并且布置在第一电力轨和第二电力轨之间的行区域中。形成在高速晶体管区域中的高速晶体管的操作速度高于形成在低功率晶体管区域中的低功率晶体管的操作速度，并且低功率晶体管的功耗低于高速晶体管的功耗。
混合标准单元使用设计集成电路方法

[发明专利]一种电流减法电路-CN202010697791.3在审
发明人：闫锋;任势达;王凯;沈凡翔;李张南;柴智 -专利权人：南京大学
申请日： 2020-07-20 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H03K5/22 文献下载
摘要：该电路包括9个晶体管，其中，晶体管M1的漏端和晶体管M5的漏端分别连接输入电流信号I1、I2；晶体管M1的源端、晶体管M3的栅端和漏端分别与晶体管M4的栅端相连；晶体管M2的源端和晶体管M4的漏端相连；晶体管M5的源端、晶体管M7的栅端和漏端分别与晶体管M8的栅端相连；晶体管M6的源端和晶体管M8的漏端相连；晶体管M2的漏端、晶体管M6的漏端、晶体管M9的栅端分别和晶体管M9的源端相连。本发明具有面积小，功耗低，成本低，集成度高等优点，能够很好地抑制微纳米工艺下晶体管的沟道长度调制效应，从而提高电流减法电路的线性度和精确度。
一种电流减法电路

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