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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]电路板及其制作方法与电子装置-CN202210164117.8在审
发明人：黄俊瑞;路智强;林宜平;张茗婷;陈庆盛 -专利权人：欣兴电子股份有限公司
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：电路板包括第一基材、第二基材、第三基材、多个导电结构以及导通孔结构。第二基材配置于第一基材与第三基材之间。第三基材具有开口且包括第一介电层、第二介电层及第三介电层。开口贯穿第一介电层及第二介电层，而第三介电层填满开口。导通孔结构贯穿第一基材、第二基材、第三基材的第三介电层，且电性连接第一基材与第三基材，而定义出信号路径。第一基材、第二基材以及第三基材通过导电结构电性连接而定义出接地路径，其中接地路径环绕信号路径。本发明的电路板，其具有良好的信号回路，可具有较佳的信号完整性。
电路板及其制作方法电子装置

[发明专利]复合材料结构、包括复合材料的电路板结构与其形成方法-CN200910202902.2有效
发明人：余丞博 -专利权人：欣兴电子股份有限公司
申请日： 2009-05-18 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：一种复合材料电路板结构，包括一基材、一复合材料介电层以及一图案化导线层。复合材料介电层是位于基材上，并包括一催化介电层及一保护介电层。催化介电层包括一介电材料与一催化颗粒并接触基材，而保护介电层包括此介电材料并接触催化介电层。图案化导线层则位于催化介电层上。
复合材料结构包括电路板与其形成方法

[发明专利]白金电阻温度感测元件及其制造方法-CN98100363.X无效
发明人：庄丰如 -专利权人：光磊科技股份有限公司
申请日： 1998-01-21 - 公布日： 2003-07-30 - 主分类号： G01K7/18 文献下载
摘要：一种白金电阻温度感测元件及其制造方法，该方法包括下列步骤：在基材表面形成图案状遮罩；利用遮罩对基材进行蚀刻，以形成图案状凹槽；在基材与凹槽的表面形成一层介电层；在介电层表面镀上白金薄膜；介电层及白金薄膜层分别形成凹陷区域与平滑区域感测元件包括硅基材、附着在硅基材上的介电层及附着在介电层上的白金电路；在硅基材及介电层附着有白金电路的表面形成V形凹槽，介电层为氮化硅或二氧化硅层。
白金电阻温度元件及其制造方法

[发明专利]可改变光型的照明装置-CN201210285233.1无效
发明人：叶哲良;陈群文 -专利权人：齐瀚光电股份有限公司
申请日： 2012-08-06 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： F21S2/00 文献下载
摘要：一种可改变光型的照明装置，其具有：一散热基材；一光源，位于该散热基材上方；一第一介电液体，覆盖该光源且具有一第一介电常数；一第二介电液体，覆盖该第一介电液体且具有一第二介电常数；以及一封闭墙体，位于该散热基材上方以容纳该第一介电液体及该第二介电液体
改变照明装置

[发明专利]半导体结构与其形成方法-CN202110715815.8在审
发明人：蔡镇宇 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2021-06-24 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一种半导体结构包括基材、形成于基材内的底部栅极导电层、形成于基材内并堆叠在底部栅极导电层上的顶部栅极导电层、形成于底部栅极导电层与基材之间的底部栅极栅极介电层、形成于顶部栅极导电层与基材之间的顶部栅极介电层顶部栅极介电层的厚度大于底部栅极介电层的厚度。半导体结构也包括数个源极/汲极区，形成于基材内并位于顶部栅极导电层的相对两侧。借由提升顶部栅极介电层的介电常数、增厚顶部栅极介电层的厚度、或上述两者的结合，以提供较好的电性阻隔，借此减少半导体结构产生漏电的现象。
半导体结构与其形成方法

[发明专利]变容器与形成其的方法以及应用此变容器的三维集成电路-CN201010533990.7有效
发明人：颜孝璁;胡宪斌;吕哲庆;郭晋玮;陈明发;刘莎莉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-11-01 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： H01L29/92 文献下载
摘要：此变容器包含半导体基材、介电层、导电材料与杂质植入区域。半导体基材具有穿过基材表面的开口。介电层是设置于开口中的侧表面上。导电材料是形成介电层上并填充开口，形成可导电的穿透基材介层窗。杂质植入区域是设置于基材中且环绕穿透基材介层窗与介电层。此三维集成电路包含此变容器、电感与主动电路。在形成变容器的方法中，首先提供基材。接着，形成开口于基材的第一表面上。接着，形成介电层于位在开口中的被植入杂质的侧壁上。接着，以导电材料来填充开口。
容器形成方法以及应用三维集成电路

[发明专利]半导体装置-CN201510004828.9有效
发明人：姜序;胡耀文;施能泰;李宗翰 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2015-01-06 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置，包括有基材、穿硅通孔结构、阻挡层、第一介电层、第二介电层与镶嵌线路图案。基材具有与第一侧相反的第二侧。穿硅通孔结构突出于基材第二侧的表面。阻挡层共形地覆盖基材的表面以及穿硅通孔结构。第一介电层覆盖阻挡层除了直接位于穿硅通孔结构上方的部分。第二介电层设于第一介电层上。镶嵌线路图案设于第二介电层中。第二介电层直接接触第一介电层。
介电层穿硅通孔线路图案阻挡层基材半导体装置镶嵌覆盖基材共形覆盖

[发明专利]半导体元件-CN201910461963.4在审
发明人：胡振国;廖建舜 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L29/88 文献下载
摘要：在一些实施例中，元件包含基材、位于基材的表面上的隧道二极管介电层以及位于基材表面并邻近于隧道二极管介电层的栅极介电层。隧道二极管电极配置于隧道二极管介电层上，栅极电极配置于栅极介电层上。基材电极配置于基材的表面，而隧道二极管电极位于栅极电极与基材电极之间。
半导体元件

[发明专利]用可电沉积介电涂料组合物制备电路组件的方法-CN03817772.2有效
发明人： G·J·麦克克鲁姆;T·C·莫利雅利缇;K·C·奥尔森;M·G·桑德拉;A·E·王;S·R·扎瓦克 -专利权人： PPG工业俄亥俄公司
申请日： 2003-06-27 - 公布日： 2005-09-21 - 主分类号： H05K1/05 文献下载
摘要：提供一种在基材中形成金属化孔的方法，包括如下步骤：(I)涂布导电基材：将可电沉积的涂料组合物涂布于该基材的所有暴露表面上以形成共形介电涂层，(II)腐蚀介电涂层表面以暴露基材截面；和(III)将一层金属施加在所有表面上以在基材中形成金属化孔还公开了一种制备电路组件的方法，包括将可电沉积涂料组合物施于基材/芯的暴露表面上以在其上形成共形介电涂层。该可电沉积涂料组合物包括分散于含水相中的树脂相，其中树脂相具有共价键合卤素含量为至少1wt％。由其衍生的介电涂层具有低介电常数和低介电损失因子。
用可电沉积涂料组合制备电路组件方法

[发明专利]整合有介电液体透镜的LED照明组合-CN201210276960.1有效
发明人：叶哲良;陈群文 -专利权人：齐瀚光电股份有限公司
申请日： 2012-08-06 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： F21V14/00 文献下载
摘要：一种整合有介电液体透镜的LED照明组合，其具有：一散热基材；一LED芯片，位于该散热基材上方；一透明材料，是位于该散热基材及该LED芯片上方且具有一曲面；一透明液体，位于该透明材料上方；一透光层，位于该透明液体上方；一第一介电液体，位于该透光层上方；一第二介电液体，是位于该第一介电液体上方且具有一曲面，其中该第二介电液体的介电系数低于该第一介电液体的介电系数；一透明电极层，位于该第二介电液体上方，是用以施加一控制电压以对该第二介电液体产生一介电力
整合有介电液体透镜 led 照明组合

[实用新型]一种双面柔性覆铜板及移动电子设备-CN202222604630.2有效
发明人：杨丽娟 -专利权人：深圳市信维通信股份有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： B32B27/30 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双面柔性覆铜板及移动电子设备，包括绝缘基材层、介电层和导电层；所述介电层包括第一介电层和第二介电层，分别设置于所述绝缘基材层上方和下方，所述第一介电层和第二介电层为间规聚苯乙烯树脂；所述导电层包括第一导电层和第二导电层，分别设置在第一介电层和第二介电层远离绝缘基材层那一面；通过设置XPS薄膜的介电层，使整个产品的介电常数和介电损耗得到最大限度的降低，并且耐热性、耐湿热性能好，是能在高频条件下适用于挠性电路板使用的双面柔性覆铜板
一种双面柔性铜板移动电子设备

[发明专利]高集成度积层基材制造方法-CN02140388.0有效
发明人：何昆耀;宫振越 -专利权人：威盛电子股份有限公司
申请日： 2002-07-02 - 公布日： 2003-02-05 - 主分类号： H05K3/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种积层基材，由多个介电层以及多个线路层交互堆栈构成。其中，介电层中具有多个导通孔，而线路层通过介电层中的导通孔而彼此电性连接，本实施例的积层基材结构的特征在于介电层之间的线路层图案为与传统的孔环垫设计不同，而采取黏着力较佳的高信赖度的嵌入式结构设计无导通孔环垫本发明还公开了一种积层基材的制造方法，系先进行具有图案化线路的介电层以及具有导通孔的介电层的制作，当具有图案化线路的介电层以及具有导通孔的介电层制作完成之后，再将其同步进行对位并压合以完成积层基材的制作
集成度基材制造方法

[发明专利]集成电路结构及其形成方法-CN201010131800.9有效
发明人：陈能国;蔡正原;曾国华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-03-16 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明提供一种集成电路结构及其形成方法，该方法包括以下步骤：提供一具有上表面的半导体基材；形成一开口，从半导体基材的上表面延伸至半导体基材中；进行一第一沉积步骤，以将一第一介电材料填充至开口中；凹陷第一介电材料；进行一第二沉积步骤，以将一第二介电材料填充至开口的一剩余部分，其中第二介电材料较第一介电材料致密；以及凹陷第二介电材料，直到第二介电材料的上表面低于半导体基材的上表面。
集成电路结构及其形成方法

[发明专利]用于降低氮化物消耗的聚集体介电层-CN02104751.0无效
发明人： K·M·穆凯;S·察恩狄岚 -专利权人：应用材料有限公司
申请日： 2002-02-10 - 公布日： 2002-10-02 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种方法,包括,在基材上形成在包含氮的第一介电层和包含磷的第二介电层之间具有隔绝层的聚集体,并在形成该聚集体之后,热处理该基材。本发明公开了包括基材和在该基材上形成的聚集体的装置,该聚集体包括在包含氮的第一介电层和包含磷的第二介电层之间的隔绝层。
用于降低氮化物消耗聚集体介电层

[发明专利]含基于氮化硅-或氮氧化硅的层和基于氧化锌锡的层的低发射率材料-CN202180009805.0在审
发明人： Y·科欣;M·班奇;C·维克多 -专利权人：法国圣戈班玻璃厂
申请日： 2021-05-07 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种材料，该材料包括涂有叠层的透明基材，该叠层包括至少一个银‑基功能金属层和至少两个介电涂层，每个介电涂层包括至少一个介电层，使得每个功能金属层置于两种介电涂层，其特征在于与基材接触的介电涂层包括：‑包含硅的层，其选自位于与基材直接接触的基于氮化硅的层或基于氧氮化硅的层，‑基于氧化锌锡的层，包含至少20质量％的锡，相对于与包含硅的层直接接触的锌和锡的总质量，‑位于基材和第一功能金属层之间的介电涂层中和/或位于第一功能层上方的一个或每个介电涂层中存在的所有基于氧化物的层的总厚度大于介电涂层总厚度的50%。
基于氮化氧化氧化锌发射材料

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