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[发明专利]频率可调柔性天线及其制作方法-CN202011625954.3在审
发明人：冯雪;王志建;陈颖 -专利权人：浙江清华柔性电子技术研究院;清华大学
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：频率可调柔性天线及其制作方法，该频率可调柔性天线包括柔性基体层、辐射贴片及介电可调电容，所述辐射贴片及所述介电可调电容均设置于所述柔性基体层上，所述介电可调电容包括介电弹性体变容介质、第一电极片及第二电极片，所述第一电极片及所述第二电极片均与所述辐射贴片电性相连，所述介电弹性体变容介质设置于所述第一电极片与所述第二电极片之间，所述介电弹性体变容介质在受到作用力时，使所述介电可调电容的电容值发生变化。该频率可调柔性天线能够较为容易地改变天线的工作频率。
频率可调柔性天线及其制作方法

[发明专利]带有内装直流阻塞的铁电可变电抗器-CN99813104.0无效
发明人：路易丝·C·森格普塔;史蒂文·C·斯托尔;朱永飞;萨默那斯·森格普塔 -专利权人：帕拉泰克微波公司
申请日： 1999-11-04 - 公布日： 2001-12-05 - 主分类号： H01P1/18 文献下载
摘要：一种电压可调节介电可变电抗器,包括一个可调节铁电层和第一与第二不可调节介电层。相邻可调节铁电层设置的第一和第二电极形成一个可调节电容器。一个第三电极相邻第一不可调节介电层设置,从而第三和第一电极及第一不可调节介电层形成一个第一阻塞电容器。一个第四电极相邻第二不可调节介电层设置,从而第四和第二电极及第二不可调节介电层形成一个第二阻塞电容器。
带有直流阻塞可变电抗

[发明专利]高介电可调性的陶瓷/高聚物功能复合材料及制备方法-CN201610130454.X在审
发明人：高峰;王利;张青青;胡国辛 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2016-03-08 - 公布日： 2016-07-20 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：一种高介电可调性的陶瓷/高聚物功能复合材料及制备方法。钛酸锶钡陶瓷颗粒分散在聚偏二氟乙烯基体中。在钛酸锶钡陶瓷颗粒与聚偏二氟乙烯之间通过γ‑氨丙基三乙氧基硅烷粘接。本发明所提供的介电常数在40～56范围内，具有高的介电可调性与易加工性的介电功能复合材料的组成和制备方法，能够满足通讯设备中作为微波移相器、相控阵天线、可调谐电容器等领域的器件对高介电可调性的介电功能材料的需求具有介电常数系列化、高介电可调性、低介电损耗、高储能密度的特点，并且加工性能良好，易于制造结构复杂的构件，降低了实际应用的成本。
高介电可调性陶瓷高聚物功能复合材料制备方法

[发明专利]一种介电可调微波介质材料及其制备方法-CN200710045604.8无效
发明人：翟继卫;丑修建;王思维;张景基 -专利权人：同济大学
申请日： 2007-09-05 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： C04B35/462 文献下载
摘要：本发明公开了一种介电可调微波介质材料，其化学组成为：Ba_1－xSr_x(M_1/3Ta_2/3)_y本发明还公开了一种制备介电可调微波介质材料的方法。本发明中的介电可调微波介质材料同时具有较高的介电可调性、低的介电损耗(高Q值)以及合适的介电常数，可以作为无源可调微波器件和介质功能模块设计开发的关键材料。
一种可调微波介质材料及其制备方法

[发明专利]一种相对介电系数可调氮化铝涂层的制备方法-CN201610399691.6有效
发明人：王周成;吴正涛;张东方;魏斌斌 -专利权人：厦门大学
申请日： 2016-06-07 - 公布日： 2018-04-10 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种相对介电系数可调氮化铝涂层的制备方法，涉及铜‑碳合金表面处理。1)在铜‑碳合金表面用脉冲直流溅射沉积Cr过渡层；(2)用中频电源共溅射双生阴极Al及BN靶，制备AlN‑BN纳米复合结构涂层；(3)交替反应溅射沉积AlN及BN单层膜，完成铜‑碳合金基体表面制备相对介电系数可调制备的相对介电系数可调氮化铝涂层具有相对介电系数可调、低介电损耗、高绝缘、高导热且膜‑基结合良好等性能。
一种相对系数可调氮化涂层制备方法

[发明专利]用于微波用途的电压可调谐分层介电材料-CN99813274.8无效
发明人：路易斯·森古塔;史蒂文·斯特沃尔;朱永飞;瑟纳斯·森古塔;鲁纳·H·丘;张虚白 -专利权人：帕拉泰克微波公司
申请日： 1999-10-15 - 公布日： 2001-12-12 - 主分类号： H01P3/00 文献下载
摘要：一种可调谐介电结构,包括一个第一介电材料层一个第二介电材料层,相邻第一介电材料层定位,第二介电材料层具有比第一介电材料层的介电常数小的介电常数;及诸电极,用来跨过第一介电材料施加一个可控制电压的,由此控制第一介电材料的介电常数,其中至少一个电极定位在第一与第二介电材料层之间。介电材料能以各种形状形成,并且彼此相对以各种方位装配。该可调谐介电结构用在各种器件中,包括同轴电缆、空腔天线、微波传输带线、共面线、及波导管。
用于微波用途电压调谐分层材料

[发明专利]介电可调介质陶瓷材料的制备方法-CN200910273101.5无效
发明人：张光祖;姜胜林;曾亦可;范茂彦;王静;王青萍 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2009-12-08 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： C04B35/465 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备多孔钛酸锶钡介电可调介质陶瓷的方法，先将原料按各自化学式中的化学计量比进行混合，再对混合物进行预烧，温度为800～1200℃，保温时间为1～6小时，得到预烧后的陶瓷粉体；然后加入有机物造孔剂本发明制备的多孔BST介电可调介质陶瓷具有较高的可调率，低的介电损耗和合适的零电场介电常数，具有良好综合介电可调性能，符合制作介电可调器件的要求。
可调介质陶瓷材料制备方法

[发明专利]层状复合结构可调控电容和压电应力调控介电的方法-CN201510220750.4有效
发明人：董蜀湘;慈鹏弘;刘国希 -专利权人：北京大学
申请日： 2015-05-04 - 公布日： 2017-12-29 - 主分类号： H01G7/06 文献下载
摘要：本发明公布一种包括铁电压电片和铁电介电体的层状复合结构的可调控电容和通过施加静电场和利用压电效应产生的压电应力来调控复合结构中介电体电容的调控方法。所述铁电压电片和铁电介电体通过紧密粘接或共烧在一起构成多种层状复合结构；介电体为被调控的片状介电体；在静电场作用下，压电片产生的压电应力或应变传递给被调控的片状铁电介电体，铁电介电体因外应力作用其电畤界面状态发生变化，从而实现对介电电容的调控。本发明有效克服现有可调控电容存在的结构复杂及可调频率范围窄等缺点，具有制作工艺简单，便于实际使用等优点，可广泛用于可调控智能电子器件和设备领域。
层状复合结构调控电容压电应力方法

[发明专利]介电可调微波陶瓷介质材料及其制备方法-CN200910046268.8有效
发明人：翟继卫;张景基 -专利权人：同济大学
申请日： 2009-02-17 - 公布日： 2009-07-29 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明涉及电子材料与器件技术领域，公开了一种介电可调微波陶瓷介质材料及其制备方法，本发明的介电可调微波陶瓷介质材料的成分为：Ba_1-xSr_xTi_{1-本发明的介电可调微波陶瓷介质材料具有致密的微结构、低的介电常数、高的介电可调率和高的Q值，是能被用于可调微波器件的材料。}
可调微波陶瓷介质材料及其制备方法

[发明专利]基于植入式纳米线电极的介电可调薄膜及其制备方法-CN200810059996.8有效
发明人：杜丕一;胡安红;翁文剑;韩高荣;赵高凌;沈鸽;宋晨路;徐刚;张溪文 -专利权人：浙江大学
申请日： 2008-03-07 - 公布日： 2008-08-13 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：本发明公开的基于植入式纳米线电极的介电可调薄膜，在基板上自下而上依次沉积有硅化钛导电薄膜层，硅化钛导电纳米线层和电介质薄膜层。该薄膜可以采用磁控溅射沉积法或溶胶－凝胶法制备。本发明的基于植入式纳米线电极的介电可调薄膜将硅化钛导电纳米线植入介质薄膜内部，充分利用纳米线电极的巨大边缘电场，可在极低的调制电压下获得很高的可调性，比没有纳米线电极的介电可调薄膜的调制电压有了大大下降本发明的基于植入式纳米线电极的介电可调薄膜致密性好，缺陷少，损耗小。植入硅化钛导电纳米电极后的介电薄膜是一种高可调低损耗的高性能介电可调薄膜，具有良好的应用前景。
基于植入纳米电极可调薄膜及其制备方法

[发明专利]一种柔性透明压控薄膜电容器及其制备方法-CN201810727819.6在审
发明人：宁平凡;梁立君;李玉强;牛萍娟;刘宏伟;张建新 -专利权人：天津工业大学
申请日： 2018-07-04 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： H01G7/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性透明压控薄膜电容器及其制备方法，所述薄膜电容器包含基底、底电极、介电可调的薄膜和顶电极。通过顶电极和底电极施加电压信号控制介电可调薄膜的介电常数从而达到调整电容大小的功能。所述薄膜电容器的制备方法包括：首先，在衬底上制备透明纳米银纤维网络作为底电极；其次，以脉冲激光沉积方法在所述底电极上制备介电可调薄膜；然后在所述介电可调薄膜上制备透明纳米银网络作为顶电极。本发明所制得的薄膜电容器具有介电调谐率大、介电损耗低、透光光谱范围宽、柔性可弯折的优点。
薄膜电容器底电极制备顶电极薄膜透明纳米银介电可调纤维网络调谐脉冲激光沉积调整电容介电常数介电损耗施加电压信号控制制备介电透明可弯折电极透光衬底光谱基底介电可调网络

[发明专利]用于雷达感测的可调介电超材料透镜装置-CN201880032757.5有效
发明人： A·奥尔克;T·施皮尔曼 -专利权人： IEE国际电子工程股份公司
申请日： 2018-05-15 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： G01S7/02 文献下载
摘要：一种用于雷达感测的可调介电超材料装置(40)，其包括至少一个超材料层(42)、多个导电电极(52、58)和多个导电控制线(60)。超材料层(42)包括包含可调材料的多个介电共振器(46)，其中可调材料的至少一个电磁特性随施加到其上的外部可控电场而变化。两个不同的导电电极(52、58)分别以间隔的方式布置在介电共振器(46)中的任何一个上，以覆盖介电共振器(46)。导电控制线(60)被配置用于控制要施加到可调材料上的电场，其中每个导电线(60)被电连接到导电电极(52、58)。对于至少两个介电共振器(46)而言，布置在同一层中以覆盖所述至少两个介电共振器(46)的导电电极(52、58)彼此不同。
用于雷达可调介电超材料透镜装置

[发明专利]低居里点的高介电电场双向可调的PZT基反铁电陶瓷材料及其制备-CN201110348574.4有效
发明人：杨同青;王瑾菲;郑琼娜;姚熹 -专利权人：同济大学
申请日： 2011-11-07 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： C04B35/493 文献下载
摘要：本发明涉及一种低居里点TC的高介电电场双向可调PZT基反铁电陶瓷材料及其制备，属于电子材料与器件技术领域。本发明的具有介电电场双向可调性的PZT基反铁电陶瓷材料的化学通式为(Pb0.99-x-yBaxLay)(Zr0.51Sn0.39Ti0.10)O3，其中，0＜x≤0.20，0＜y≤0.06。本发明的介电双向可调的PZT基反铁电陶瓷材料在较低居里点TC附近，在一定的偏压下，具有高的介电常数，低的介电损耗，并且随偏压的增大先增大后减小，具有双向介电可调特性，同时呈现很高的热释电系数及热释电电流
居里高介电电场双向可调 pzt 基反铁电陶瓷材料及其制备

[发明专利]一种低损耗、高介电可调钛酸锶钡基陶瓷材料及其制备方法-CN201110183011.4有效
发明人：翟继卫;张奇伟 -专利权人：同济大学
申请日： 2011-06-30 - 公布日： 2012-02-22 - 主分类号： C22C29/00 文献下载
摘要：本发明属于电子材料与器件技术领域，涉及一种低损耗、高介电可调钛酸锶钡基陶瓷材料及其制备。本发明的介电可调的钛酸锶钡基微波陶瓷材料，其结构为单相的立方钙钛矿结构，其成分包括如下质量百分比的组分：BaxSr1-xTiO3(x=0.3～0.8)50wt.%～99.9wt.本发明的介电可调的钛酸锶钡基微波陶瓷材料将Fe粉添加到不同Ba/Sr组分的钛酸锶钡铁电材料中，研制得到一种具有低损耗，高介电可调特性，且可用于可调器件的陶瓷材料，尤其适合用作可调微波器件的微波介质陶瓷铁电移相器材料
一种损耗高介电可调钛酸锶钡基陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种可调介电超表面-CN201610830329.X有效
发明人：毕科;王青敏;郝亚楠;张家萌;许建春 -专利权人：北京邮电大学
申请日： 2016-09-18 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： H01Q15/00 文献下载
摘要：本发明公开一种可调介电超表面。所述可调介电超表面包括：金属板，其中：金属板所在的平面与电磁波的传播方向垂直，金属板上设置有阵列排布的多个具有相同尺寸的亚波长孔，同一行或同一列相邻的亚波长孔之间的间距相等，且每个亚波长孔的中心位置均分别设置有贯穿亚波长孔的介电颗粒，每个介电颗粒在在金属板两侧伸出的长度相等；每个介电颗粒在金属板所在的平面上的投影形状相同不同的介电颗粒在电磁波的传播方向上具有不同的尺寸，其中，不同的介电颗粒在电磁波的传播方向上的尺寸由预设的电磁波散射波形确定本发明提供的可调介电超表面，通过在金属板上的亚波长孔上设置不同尺寸的介电颗粒，使得对电磁波散射波形的调控方便和灵活。
一种可调介电超表面

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