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[发明专利]具有导电电极的陶瓷喷头-CN201980088573.5在审
发明人：陈天发;S·辛格;L·卡琳塔;S·朴;D·卢博米尔斯基;L·罗;T·W·金 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：示例性半导体处理腔室喷头可包括介电板，其特征在于第一表面和与第一表面相对的第二表面。介电板可界定穿过介电板的多个孔。介电板可在介电板的第一表面中界定第一环形通道，且第一环形通道可围绕多个孔延伸。介电板可在介电板的第一表面中界定第二环形通道。第二环形通道可以从第一环形通道径向向外形成。喷头还可包括嵌入在介电板内并围绕多个孔延伸而不会被孔暴露的导电材料。导电材料可在第二环形通道处暴露。
具有导电电极陶瓷喷头

[发明专利]包含MIM电容的后端结构及其制作方法-CN202011169690.5有效
发明人：刘俊文 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本申请公开了一种包含MIM电容的后端结构及其制作方法，该方法包括：通过光刻工艺和刻蚀工艺在第二介质层中形成沟槽，第二介质层形成于NDC层上，NDC层形成于第一介质层上，第一介质层中形成有第一层引线；在第二介质层上形成台阶型MIM电容；在第二介质层、沟槽和台阶型MIM电容上形成第三介质层；通过光刻和刻蚀工艺在第三介质层中，第一引线的上方形成第一通孔；通过光刻和刻蚀工艺在第三介质层中形成第二通孔、第三通孔和第四通孔；在第一通孔、第二通孔、第三通孔和第四通孔中填充金属层，第一通孔中的金属层形成第二层接触通孔，第二通孔中的金属层形成第二层引线，第三通孔和所述第四通孔中的金属层分别形成第一电容引线和第二电容引线。
包含 mim 电容后端结构及其制作方法

[发明专利]一种n‑p异质型介孔气敏材料的制备方法-CN201610619885.2有效
发明人：徐靖才;王攀峰;王新庆;洪波;彭晓领;金顶峰;金红晓 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2016-08-02 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： C01G51/04 文献下载
摘要：一种n‑p异质型介孔气敏材料的制备方法，它涉及一种n型介孔SnO2负载p型金属氧化物Co3O4客体气敏材料的制备方法，包括步骤以有序介孔二氧化硅SBA‑15为模板，利用纳米复制法合成介孔SnO2，再利用水热浸渍法在介孔SnO2孔道中负载Co3O4，得到n‑p异质型介孔Co3O4@ SnO2气敏材料。本发明方法一方面通过介孔结构增加表面积以提高气敏性，另一方面通过调控n‑p异质型界面电子传输以提高气敏材料针对特定气体的选择性。本发明所采用的方法原料来源广泛，价格低廉，而且化学制备手段简单，得到的n‑p异质型介孔气敏材料灵敏度高，选择性强。
一种异质型介孔气敏材料制备方法

[发明专利]伪金属帽和再分布线的路由设计-CN201710482330.2有效
发明人：余振华;陈宪伟;李孟灿;林宗澍;吴伟诚;邱建嘉;王景德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-06-22 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：一种封装件包括第一介电层，位于第一介电层上方且附接至第一介电层的器件管芯，有源贯通孔和伪贯通孔以及密封器件管芯、有源贯通孔和伪贯通孔的密封材料。封装件还包括位于器件管芯、有源贯通孔和伪贯通孔上方并与其接触的第二介电层。有源金属帽位于第二介电层上方并与第二介电层接触并电连接至有源贯通孔。有源金属帽与有源贯通孔重叠。伪金属帽位于第二介电层上方并接触第二介电层。伪金属帽与伪贯通孔重叠。通过间隙将伪金属帽分成第一部分和第二部分。再分布线穿过伪金属帽的第一部分和第二部分之间的间隙。
贯通孔介电层金属帽再分布器件管芯封装件源金属路由密封材料密封器件电连接附接管芯穿过

[发明专利]一种亲水磁性介孔微球及其制备方法与应用-CN201310163661.1有效
发明人：林子俺;郑江南;张兰;杨黄浩;陈国南 -专利权人：福州大学
申请日： 2013-05-07 - 公布日： 2013-08-28 - 主分类号： H01F1/00 文献下载
摘要：本发明属于有机-无机复合材料和分析技术领域，具体涉及一种亲水磁性介孔微球及其制备方法与应用。亲水磁性介孔微球制备过程如下：（1）通过溶胶-凝胶反应，以表面活性剂作为结构导向剂，在磁性无机纳米粒表面包覆上一层具有有序介观结构的功能化二氧化硅/表面活性剂复合材料；（2）再通过溶剂萃取除去表面活性剂，得到表面功能化的磁性介孔微球；（3）与叠氮化钠反应，得到叠氮化磁性介孔微球；（4）利用点击化学反应将炔基化的糖类与叠氮化磁性介孔微球反应，得到亲水磁性介孔微球。本发明制得的亲水磁性介孔微球具有磁场感应性好、特异性强等优点，在蛋白质组学等领域有良好的使用价值和应用前景。
一种磁性介孔微球及其制备方法应用

[发明专利]通孔限定方案-CN201410006825.4有效
发明人：卢彦丞;石志聪;游信胜;陈政宏;严涛南 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-01-07 - 公布日： 2017-11-21 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及通孔限定方案。本发明的方法包括在第一介电层上方限定金属图案化层。第一介电层设置在蚀刻停止层上方，且蚀刻停止层设置在第二介电层上方。在金属图案化层和第一介电层上方生长间隔层。在第一介电层中形成具有金属宽度的金属沟槽。在第二介电层中形成具有通孔宽度的通路孔。
限定方案

[发明专利]双重镶嵌结构的制造方法-CN02140148.9有效
发明人：黄义雄;黄俊仁;洪圭钧;严永松 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2002-07-03 - 公布日： 2003-05-28 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种双重镶嵌结构的制造方法，此方法的步骤如下首先，在已形成导线的衬底上依序形成一第一介电层、一第二介电层与一底层防反射涂层与一旋涂式介电层。然后，定义旋涂式介电层、底层防反射涂层与第二介电层，以于第二介电层中形成一孔洞，于该旋涂式介电层与该底层防反射涂层中形成一第一沟槽。以旋涂式介电层与底层防反射涂层为掩膜，去除孔洞所暴露的第一介电层，以形成暴露衬底的一通孔开口，同时去除第一沟槽所暴露的第二介电层，以形成暴露第一介电层的一第二沟槽。之后，去除旋涂式介电层与该底层防反射涂层，以及依序于第二沟槽与通孔开口内形成一共形的阻挡层以及一导体层，且导体层填满第二沟槽与通孔开口。
双重镶嵌结构制造方法

[发明专利]一种介孔Y沸石及吸附剂与吸附剂的制备方法-CN201710999841.1有效
发明人：高宁宁;王辉国;王德华;马剑锋;王红超;杨彦强;李犇;乔晓菲;刘宇斯 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司石油化工科学研究院
申请日： 2017-10-24 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： B01J20/18 文献下载
摘要：一种介孔Y沸石，其微孔孔容为0.20～0.36毫升/克，介孔孔容为0.12～0.86毫升/克，介孔孔直径为2.0～50.0纳米。将该介孔Y沸石作为活性组分制成吸附剂，可有效降低芳构同分异构体混合物在Y沸石中的传质阻力，从而显著改善吸附剂的传质性能，提高单位质量吸附剂的生产能力。
一种吸附剂制备方法

[发明专利]一种介孔X沸石及吸附剂与吸附剂制备方法-CN201710999842.6有效
发明人：高宁宁;王辉国;王德华;马剑锋;王红超;杨彦强;李犇;乔晓菲;刘宇斯 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司石油化工科学研究院
申请日： 2017-10-24 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： B01J20/18 文献下载
摘要：一种介孔X沸石，其微孔孔容为0.18～0.35毫升/克，介孔孔容为0.10～0.82毫升/克，介孔孔直径为2.0～50.0纳米。将该介孔X沸石作为活性组分制成吸附剂，可有效降低芳构同分异构体混合物在X沸石中的传质阻力，从而显著改善吸附剂的传质性能，提高单位质量吸附剂的生产能力。
一种吸附剂制备方法

[发明专利]双官能团功能化炭基磁性介孔氧化硅材料的制备及其应用-CN201410246540.8有效
发明人：丁德馨;彭国文;肖方竹;张志军;胡南;王永东;王晓亮;黄红;杨锦然 -专利权人：南华大学
申请日： 2014-06-06 - 公布日： 2014-08-13 - 主分类号： B01J20/22 文献下载
摘要：本发明涉及双官能团功能化磁性炭基介孔氧化硅材料的制备方法及其在含铀废水处理中的应用。具体是以啤酒酵母菌为生物大孔模板、以三嵌段聚合物P123为介孔相模板，采用双模板法制备介孔氧化硅SBA-15。再以介孔氧化硅SBA-15为模板，采用纳米浇筑技术在硬模板中分别填入不同质量比的铁源和炭源作为前驱物，经过原位聚合反应，制备合成介孔结构有序的磁性炭基介孔氧化硅。为了扩展磁性炭基介孔氧化硅材料的应用范围，使用[3-(三甲氧基硅烷)丙基]脲（UPTS）和氨丙基三乙氧基硅烷（APS）有机试剂对其表面的Si-OH进行后嫁接改性，使其具有吸附和配位反应双重功能。本发明所得的双官能团功能化磁性炭基介孔氧化硅材料介孔孔道规整有序，比表面积大，在铀矿冶含铀废水处理和铀回收等方面具有十分重要的实践意义。
官能团功能化炭基磁性氧化材料制备及其应用

[发明专利]介电滤波器-CN97102037.X无效
发明人：远田淳;角田纪久夫;松本治雄 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 1997-01-08 - 公布日： 2003-10-15 - 主分类号： H01P1/205 文献下载
摘要：一种能容易地改善除基本模式(TEM模式)以外模式中伪特性的介电滤波器。穿通一对端面之间的介电块形成两个共振孔，在这两个共振孔的内表面上形成内导体。在介电块的外表面上形成外导体。穿通介电块两个主表面之间介电块的中央部分形成通孔，在通孔的内表面上形成连到介电块两个主表面上外导体部分的短路导体。
滤波器

[实用新型]一种带状线低通滤波器及电子设备-CN202221949235.1有效
发明人：王浩臣 -专利权人：荣耀终端有限公司
申请日： 2022-07-27 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01P1/203 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种带状线低通滤波器及电子设备，包括：由上至下依次堆叠设置的第一介质层、第二介质层、第三介质层以及第四介质层；铺设在第三介质层表面的带状线；第一导电孔和第二导电孔；第一导电孔和第二导电孔由第一介质层的表面贯穿至第三介质层的表面，且第一导电孔与带状线的一端相接触，以使第一导电孔与带状线电气互连，第二导电孔与带状线的另一端相接触，以使第二导电孔与带状线电气互连；第二介质层和第四介质层用于耦合至零电位，以形成参考地平面。
一种带状线滤波器电子设备

[发明专利]一种有源芯片高密度TSV结构及制作方法-CN202010744766.6有效
发明人：张春艳;曹立强;孙鹏 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2020-07-29 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种有源芯片高密度TSV结构，包括：硅衬底；第一介质层，所述第一介质层设置在所述硅衬底的上表面；高密度硅通孔开口槽，所述高密度硅通孔开口槽贯穿所述第一介质层，露出所述第一介质层；第二介质层，所述第二介质层设置在所述高密度硅通孔开口槽中；高密度硅通孔，所述高密度硅通孔由所述高密度硅通孔开口槽的槽底向所述硅衬底内部延伸；以及高密度硅通孔互连结构，所述高密度硅通孔互连结构电连接至所述高密度硅通孔
一种有源芯片高密度 tsv 结构制作方法

[发明专利]介质碳电极材料及其制备方法-CN201210353300.9无效
发明人：余丽丽;赵景泰;陈昊鸿;杨昕昕 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2012-09-20 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明提供一种介孔碳电极材料，所述介孔碳电极材料的介孔率不低于80%，且具有由10-20nm的介孔和3-6nm的孔壁构成的纳米空心球孔结构。本发明还提供一种介孔碳电极材料制备方法，所述电极材料通过非模板凝胶一步还原法制备得到，具有空心球结构：内径10-20nm，壁厚为3-6nm；所述方法制备所得电极材料具有介孔率高（>80%），比表面积较大，孔结构可调控等特点。
介质电极材料及其制备方法

[实用新型]一种带放疗功能的纳米抗癌药物-CN201220520065.5有效
发明人：唐伟钊 -专利权人：唐伟钊
申请日： 2012-09-25 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： A61K51/00 文献下载
摘要：一种带放疗功能的纳米抗癌药物，由介孔放射性纳米微球、防辐射惰性金属层、抗癌药物层、介孔放射性纳米微球辐射介孔口、纳米防辐射阀门、纳米靶向载体层等组成，由内至外依次是介孔放射性纳米微球、防辐射惰性金属层、抗癌药物层、纳米靶向载体层；在外界驱动因素例如电、光、磁、声的作用和控制下，纳米防辐射阀门的开关都能被自动打开，介孔放射性纳米微球内部的抗癌靶向药物或非靶向常规药物通过介孔放射性纳米微球辐射介孔口向外缓释
一种放疗功能纳米抗癌药物