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[发明专利]低成本氧化锆陶瓷磨介的制作方法-CN200710116340.0有效
发明人：张昂;吴伶俐;罗传志;胡勇 -专利权人：淄博华创精细陶瓷有限公司
申请日： 2007-12-22 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： C04B35/64 文献下载
摘要：本发明涉及一种低成本氧化锆陶瓷磨介的制作方法，属于研磨材料技术领域，经配料、成型和烧成后制得，其特征在于其配料重量百分组成为：氧化钇1－10％、化学法钇稳定氧化锆粉5－25％、高活性α－氧化铝粉0.5－10％和余量的工业法单斜氧化锆粉。
低成本氧化锆陶瓷制作方法

[发明专利]负载型层状硫酸锆催化剂及其在制备脂肪族醇醚醋酸酯中的应用-CN98124498.X无效
发明人：李峰;段雪;何静;孙鹏;杜以波;王作新 -专利权人：北京化工大学
申请日： 1998-11-13 - 公布日： 2000-05-24 - 主分类号： B01J27/053 文献下载
摘要：本发明涉及一种负载型层状硫酸锆催化剂及其在制备脂肪族醇醚醋酸酯中的应用;本发明催化剂的基本组成为ZrO2、γ－Al2O3、TiO2、介孔分子筛MCM－41及硅胶等载体和层状硫酸锆,其制备方法简单,将其用于脂肪族醇醚醋酸酯合成中
负载层状硫酸催化剂及其制备脂肪族醇醚醋酸中的应用

[发明专利]一种负载型茂金属催化剂及其制备方法-CN201110080394.2有效
发明人：亢宇;谢伦嘉;黄文氢;张明森;王洪涛;邱波;郭顺;刘长城;姜健准 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司北京化工研究院
申请日： 2011-03-31 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： C08F4/6592 文献下载
摘要：本发明公开了一种负载型茂金属催化剂及其制备方法，其特征在于，该催化剂包括载体以及负载在所述载体上的茂金属化合物和烷基铝氧烷，所述载体为棒状大孔介孔二氧化硅，其中，所述棒状大孔介孔二氧化硅的最可几孔径为11-20纳米，所述茂金属化合物具有式1所示的结构，式1中，M为钛、锆和铪中的一种，X为卤素。
一种负载金属催化剂及其制备方法

[发明专利]一种烯烃聚合的方法-CN201110080375.X有效
发明人：亢宇;谢伦嘉;张明森;王洪涛;邱波;郭顺;刘长城 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司北京化工研究院
申请日： 2011-03-31 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： C08F10/00 文献下载
摘要：本发明提供一种烯烃聚合方法，该方法包括在烯烃聚合条件下，将一种或多种烯烃与负载型茂金属催化剂接触，其特征在于，该催化剂包括载体以及负载在所述载体上的茂金属化合物和烷基铝氧烷，所述载体为棒状大孔介孔二氧化硅，其中，所述棒状大孔介孔二氧化硅的最可几孔径为11-20纳米，所述茂金属化合物具有式1所示的结构，式1中，M为钛、锆和铪中的一种，X为卤素。
一种烯烃聚合方法

[发明专利]氧化镧掺杂改性的锆钛酸钡钙陶瓷及其制备方法-CN201110425177.2有效
发明人：郑少英;刘来君;黄延民;方亮;徐伟华 -专利权人：桂林理工大学
申请日： 2011-12-16 - 公布日： 2012-06-27 - 主分类号： C04B35/49 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化镧掺杂改性的锆钛酸钡钙陶瓷及其制备方法。锆钛酸钡钙陶瓷分子式为：Ba1-xLaxCa0.075(Zr0.9Ti0.1)1-x/4O3，其中：0.01≤x≤0.1；锆钛酸钡钙陶瓷的制备方法为：将分析纯的碳酸钡、碳酸钙、氧化锆、氧化钛和氧化镧按化学计量比通过调节氧化镧的掺杂量和Zr/Ti比，可以在很大程度上调节居里温度范围和提高介电性能。本发明制备的陶瓷具有更好的耐压特性以及在顺电相具有更优越的温度稳定性，同时具有低的介电损耗约0.004，高的介电常数达3000以上，以及高的调谐率。
氧化掺杂改性钛酸钡陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种制备Zn掺杂CaZrO3-CN202010936195.6有效
发明人：李春宏;刘显波;康晓丽;崔旭东 -专利权人：中物院成都科学技术发展中心
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： C04B35/488 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备Zn掺杂CaZrO3微波介质陶瓷的方法，步骤包括：(1)将锆酸四丁酯溶于无水乙醇，形成锆酸四丁酯乙醇溶液；(2)将锌的无机盐和钙的无机盐按掺杂比例溶解于无水乙醇形成锌盐、钙盐的混合溶液；(3)按(锌+钙):锆的摩尔比为1:1将锌盐、钙盐的混合溶液缓慢加入锆酸四丁酯乙醇溶液中，并加入分散剂；(4)加入硝酸调节PH值；(5)将溶胶静置，使其充分凝胶化；(6)将凝胶与80℃烘干后，经700℃‑900℃热处理得到粉体；(7)向粉体中添加PVA进行造粒，压片机压制成型；(8)于1250℃‑1350℃烧结；(9)介电性能测试。本发明降低了CaZrO3微波介质陶瓷的烧结温度，提高其介电性能；使烧结温度从高于1550℃降低至1350℃。
一种制备 zn 掺杂 cazro base sub

[发明专利]应用于MOS场效应晶体管的栅电介质材料氮铝酸锆薄膜及制法-CN03113462.9无效
发明人：朱俊;刘治国 -专利权人：南京大学
申请日： 2003-05-15 - 公布日： 2005-06-29 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供了一种应用于金属－氧化物－半导体场效应晶体管的高介电系数栅电介质材料氮铝酸锆及其薄膜的制备方法。本发明的技术方案是利用脉冲激光沉积技术，在1250℃温度下，把氧化锆和氧化铝粉末经球磨混合后，再冷压成型成圆片然后烧结达6小时得铝酸锆陶瓷靶材，在生长室中引入氮气，使氮元素在薄膜中的原子百分比浓度为6％，氮原子的结合能是404.1eV，高氧化态，进而可得氮铝酸锆薄膜。该材料的性能指标已经达到国际上同行的高介电栅电介质材料研究所达到的较高水平，同时也可能满足功耗要求不高的半导体中场效应晶体管的实际应用要求。
应用于 mos 场效应晶体管电介质材料氮铝酸锆薄膜制法

[发明专利]一种添加二氧化锆的介电复合材料的制备方法及其应用-CN201810115416.6在审
发明人：杨秀枝 -专利权人：杨秀枝
申请日： 2018-02-06 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： C08L67/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种添加二氧化锆的介电复合材料的制备方法及其应用，该方法采用将二氧化锆、溴化亚铜、聚碳酸纤维加入到高锰酸钾溶液中进行超声分散，将超声反应液在油浴中保温搅拌、离心分离并干燥后得到氧化改性产物，得到球磨产物，再将聚对苯二甲酸丁二醇酯、3‑氨丙基三甲氧基硅烷和球磨产物于冰水浴中添加乙二醇溶液，超声震荡后加入硫化剂和偶联剂继续超声震荡，并将得到的混合液与2‑巯基苯并咪唑熔融共混、造粒、热压，得到成品介电复合材料制备而成的添加二氧化锆的介电复合材料，其介电常数高、耐高温，在电容器制造上具有良好的应用前景。
介电复合材料二氧化锆制备超声反应超声震荡球磨产物氧化改性聚对苯二甲酸丁二醇酯氨丙基三甲氧基硅烷应用高锰酸钾溶液巯基苯并咪唑电容器制造乙二醇溶液保温搅拌超声分散介电常数硫酸溶液熔融共混溴化亚铜冰水浴混合液硫化剂耐高温偶联剂碳酸超声球磨热压稀释油浴造粒沉淀过滤纤维

[实用新型]一种干压成型氧化锆磨介设备-CN202123356921.6有效
发明人：王兵;孟广川;韩和根;赵东凯;郑海燕 -专利权人：山东盛太锆业资源有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： B02C17/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种干压成型氧化锆磨介设备，包括两个竖直设置的支撑板，所述支撑板的内部活动套设有套管，两个所述套管之间固定连接有磨筒，所述磨筒的外圈固定套设有齿环，所述磨筒的内部转动连接有第二转轴，所述第二转轴上固定连接有多个固定杆，所述固定杆远离第二转轴的一端固定连接有磨介板，所述磨筒的下方设有与支撑板固定连接的双轴电机，所述双轴电机的一端输出轴固定连接有第一转轴，所述第一转轴的外部套设有两个凸轮。本实用新型将磨介板和磨筒则相向运动，从而可以对氧化锆进行高效粉碎，而第一转轴则通过凸轮对磨筒进行振动，这样避免氧化锆粉碎时压实固定住，从而方便被充分粉碎。
一种成型氧化锆设备

[发明专利]多级孔铈锆氧化物担载尖晶石型钯钴复合氧化物催化剂-CN201810666716.3有效
发明人：韦岳长;熊靖;刘坚;赵震 -专利权人：中国石油大学(北京)
申请日： 2018-06-26 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： B01J23/89 文献下载
摘要：本发明提供了一种多级孔铈锆氧化物担载尖晶石型钯钴复合氧化物催化剂，所述催化剂以多级孔铈锆金属氧化物为载体，以尖晶石型钯钴复合氧化物纳米颗粒为活性组分制备得到；尖晶石型钯钴复合氧化物纳米颗粒以高度分散的形式担载于多级孔铈锆金属氧化物载体的内表面以及介孔孔道之中
多级孔铈锆氧化物尖晶石型钯钴复合催化剂

[发明专利]一种高频通讯用高介电合金复合膜及其制备方法-CN202211503253.1在审
发明人：李栋;赵阳;张良;刘璐;陈奇轩;刘雯 -专利权人：天津氟膜新材料有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C04B35/524 文献下载
摘要：一种高频通讯用高介电合金复合膜及其制备方法，通过高介电共混剂和聚四氟乙烯悬浮树脂制成，高介电共混剂由如下质量份数的原料组成：采用钛酸锶钡粉30‑60份、钛酸铜钙粉7‑17份、锆酸锌粉3‑6份、钛酸铋粉0.7‑2.9份、钛酸铁粉0.2‑0.6份、锆酸铝粉0.5‑1.2份、钛酸镁粉8‑12份、硅微粉6‑12份和二氧化钛粉10‑18份；然后经过一次干燥、一次研磨、一次过筛、三维混合、高速混合、一次烧结、二次研磨、二次干燥、二次过筛、低温高速混合、压制、二次烧结、旋切、分切最终得到聚四氟乙烯基高介电合金复合膜产品。本发明制备的聚四氟乙烯基高介电合金复合膜，性能一致性较好，可以满足应用需要。
一种高频通讯用高介电合金复合及其制备方法

[发明专利]用于宽带UHF天线的陶瓷介电配方-CN201210460675.5无效
发明人： E·别尔莎德斯基;M·克拉夫钦克;R·卡特拉奥;D·本巴萨特;D·阿隆 -专利权人：威世科技公司
申请日： 2007-06-07 - 公布日： 2013-02-20 - 主分类号： C04B35/47 文献下载
摘要：本申请提供了介电陶瓷组合物，其在1MHz下的介电常数K为至少200，介电损耗DF为0.0006或者更小。所述介电陶瓷组合物可通过在空气中烧结而制得，而不需控制气氛。所述介电陶瓷组合物可以具有92.49-97.5重量%的主要组分和2.50-7.51重量%的次要组分，其中所述主要组分含有60.15-68.2重量%的钛酸锶、11.02-23.59重量%的钛酸钙以及7.11-21.32重量%的钛酸钡；所述次要组分含有1.18-3.55重量%的锆酸钙、0.50-1.54重量%的三氧化铋、0.2-0.59重量%的氧化锆、0.02-0.07重量%的二氧化锰、0.12-0.35重量所述介电陶瓷组合物可用于UHF天线和单片陶瓷元件。
用于宽带 uhf 天线陶瓷配方

[发明专利]用于宽带UHF天线的陶瓷介电配方-CN200780053242.5无效
发明人： E·别尔莎德斯基;M·克拉夫钦克;R·卡特拉奥;D·本巴萨特;D·阿隆 -专利权人：威世科技公司
申请日： 2007-06-07 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： C04B35/645 文献下载
摘要：本申请提供了介电陶瓷组合物，其在1MHz下的介电常数K为至少200，介电损耗DF为0.0006或者更小。所述介电陶瓷组合物可通过在空气中烧结而制得，而不需控制气氛。所述介电陶瓷组合物可以具有92.49-97.5重量％的主要组分和2.50-7.51重量％的次要组分，其中所述主要组分含有60.15-68.2重量％的钛酸锶、11.02-23.59重量％的钛酸钙以及7.11-21.32重量％的钛酸钡；所述次要组分含有1.18-3.55重量％的锆酸钙、0.50-1.54重量％的三氧化铋、0.2-0.59重量％的氧化锆、0.02-0.07重量％的二氧化锰、0.12-0.35重量所述介电陶瓷组合物可用于UHF天线和单片陶瓷元件。
用于宽带 uhf 天线陶瓷配方

[发明专利]一种叠层介电材料及其制备方法与应用-CN202310255291.8在审
发明人：孙佳;刘婉蓉;阳军亮 -专利权人：中南大学
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H10K10/46 文献下载
摘要：本发明提供了一种叠层介电材料及其制备方法与应用，属于有机电子器件技术领域。该材料具有三层或多层的氧化铪(H)/氧化锆(Z)/氧化铪(H)叠层介电结构；该方法通过依次溅射沉积一层氧化铪薄膜、一层氧化锆薄膜，如此反复溅射沉积；此外，该材料在有机晶体管中的应用，该有机晶体管包括自下至上依次设置的基底、介电层(该材料)、有机半导体层和源、漏电极。
一种叠层介电材料及其制备方法应用

[发明专利]带有具有低可见光透射率的低E涂层的涂覆制品-CN201680091674.4有效
发明人：阿里特拉·比斯瓦斯;贝恩德·迪斯特尔多尔夫;拉金德兰·文卡特斯安 -专利权人：佳殿玻璃管理服务有限责任公司;佳殿欧洲责任有限公司
申请日： 2016-10-18 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：在某些示例性实施方案中，所述低E涂层被设置在基板(例如，玻璃基板)上，并且包括由接触层(例如，NiCr基层)间隔开的至少第一红外(IR)反射层和第二红外反射层(例如，银基层)，以及诸如氮化硅之类的材料的介电层或包含所述材料的介电层所述介电层被氧化锆的层或包含氧化锆的层分开以便改善耐久性。在某些示例性实施方案中，所述涂覆制品具有低可见光透射率(例如，不大于60％，更优选地不大于约55％，并且最优选地不大于约50％)。
带有具有可见光透射率涂层制品