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[发明专利]开关装置-CN202010933847.0有效
发明人：陈志欣;王世辰;赖宗沐;景文澔;罗俊元;张纬宸 -专利权人：力旺电子股份有限公司
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：开关装置包含P型基底、第一栅极结构、第一N型井、浅沟槽隔离结构、第一P型井、第二栅极结构、第一N型掺杂区、第二P型井及第二N型掺杂区。第一N型井形成于P型基底上，且有部分设置在第一栅极结构的下方。浅沟槽隔离结构形成于第一N型井，且设置在第一栅极结构的第一侧下方。第一P型井形成于P型基底上，且设置在第一栅极结构下方。第一N型掺杂区形成于P型基底，且设置在第一栅极结构及第二栅极结构之间。第二P型井形成于P型基底，且设置在第二栅极结构下方。第二N型掺杂区形成于第二P型井，且设置在第二栅极结构下方。
开关装置

[实用新型]一种煤系气多层共采井型结构-CN201920260941.7有效
发明人：赵欣;孙杰;刘杰刚;赵文扬;徐强;赵岳 -专利权人：中国煤炭地质总局勘查研究总院
申请日： 2019-03-01 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： E21B43/30 文献下载
摘要：本实用新型涉及煤系气生产井井型结构领域，尤其涉及一种煤系气多层共采井型结构。本实用新型实施例所述的煤系气多层共采井型结构中，直井段竖向穿过至少两层目标储气层，每层目标储气层内分别设有水平分井单元，各层水平分井单元分别连接在直井段上。该结构利用直井段连通横向分布的多层水平分井单元，从而将整个井型结构形成多个竖向罗列的L形井型结构，用以解决单井开发储层接触面积较少，合采难度大的问题，该结构能够实现安全可靠的多层煤系气共采，达到提高采收率
煤系井型结构多层直井段本实用新型储气层竖向横向分布结构领域土地占用采收率气生产单井合采两层连通穿过开发

[实用新型]一种双煤层U型煤层气井井身结构-CN201721821119.0有效
发明人：何庆宏;郭盛强;李峰;秦辉;樊利沙;常凌霄;王雪晴;苗媛媛 -专利权人：山西蓝焰煤层气集团有限责任公司
申请日： 2017-12-23 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： E21B43/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及煤层气以及煤矿开采技术，针对包含上下两种煤层的煤矿区在采用传统U型井施工时存在的投入大、资源浪费、抽采效率低等问题，本实用新型提供了一种双煤层U型煤层气井井身结构，包括1口U型井和1口垂直井，垂直井采用二开井身结构，U型井采用三开井身结构，U型井的二开井身段着陆于两层不同的目的煤层上并分别继续钻进延伸为三开井身段，两目的煤层内的U型井三开井身段分别定向对接至垂直井。本实用新型是采用双煤层U型井施工，造价低于传统普通U型井，能节省1口垂直井的工程费，且1口U型井能产两层煤的煤层气，经济效益明显。
煤层开井垂直井煤层气本实用新型两层煤矿开采技术效率低等煤矿区抽采施工钻进着陆延伸

[实用新型]一种保温一体式水表井-CN201621337687.9有效
发明人：房涛;吴永兴;国玺 -专利权人：山东朝启电子科技有限公司
申请日： 2016-12-08 - 公布日： 2017-09-01 - 主分类号： E02D29/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种保温一体式水表井，包括加强型复合水表井井体、加强型复合水表井井肩、加强型复合水表井井盖，所述的加强型复合水表井井体顶部通过密封结构设置有加强型复合水表井井肩，加强型复合水表井井肩顶部通过密封结构设置有加强型复合水表井井盖；本实用新型的有益效果本装置结构简单，生产成本低；本专利装置为整体密封一体式结构的同时采用保温轻型复合材料，整体式安装，方便快捷；同时，具备质量轻、承重强、保温性能好、耐腐蚀等特点；此外，水表井内设置有单向排水系统
一种保温体式水表

[发明专利]瞬时电压抑制装置-CN202310129624.2在审
发明人：陈致维;林冠宇;范美莲;林昆贤 -专利权人：晶焱科技股份有限公司
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开一种瞬时电压抑制装置，其包括至少一个N型轻掺杂结构、一第一P型井区、一第二P型井区、一第一N型重掺杂区与一第二N型重掺杂区。第一P型井区与第二P型井区设于N型轻掺杂结构中，第一N型重掺杂区与第二N型重掺杂区分别设于第一P型井区与第二P型井区中，第一P型井区的掺杂浓度高于第二P型井区的掺杂浓度。第一P型井区与第二P型井区可以P型轻掺杂井区来取代，其中P型轻掺杂井区分别具有位于N型重掺杂区的下方的P型重掺杂区。
瞬时电压抑制装置

[发明专利]一种二开井身结构煤层气地面L型预抽井完井方法-CN201911390259.0有效
发明人：宋志敏;刘见宝;李冰;任建刚;曲艳伟;郭士礼;陈锋;杨昌永 -专利权人：河南工程学院;河南理工大学
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： E21B33/14 文献下载
摘要：一种二开井身结构煤层气地面L型预抽井完井方法，属于煤层气地面预抽井完井技术领域，可解决现有煤层气地面L型预抽井的多开井身结构的施工难度大、技术要求高、施工周期长、施工成本昂贵的问题，本发明提供一种二开井身结构煤层气地面L型预抽井完井方法。所述地面L型预抽井井身结构为二开井身结构，包括直井段、造斜段和水平段。该方法简化了井身结构，由原来的三开井身结构简化为二开井身结构、降低了施工难度和技术要求、缩短了施工周期、节约了施工成本、减少了对煤储层污染及提高了井眼附近煤储层的渗透性能，有利于经济、高效开发煤层气资源
一种二开井身结构煤层气地面型预抽井完井方法

[实用新型]一种变截面井字箱型-箱型井字转换柱-CN202222515611.2有效
发明人：井泉;陈殿翔;金良;李冰 -专利权人：同济大学建筑设计研究院（集团）有限公司
申请日： 2022-09-22 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： E04C3/40 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种变截面井字箱型‑箱型井字转换柱，包括由上至下依次连接的等截面井字箱型柱、变截面井字箱型柱和箱型井字柱，其中，等截面井字箱型柱的顶部通过第一水平节点板与上部柱体相连接，等截面井字箱型柱的底部通过第二水平节点板与变截面井字箱型柱相连接，箱型井字柱的顶部通过第三水平节点板与变截面井字箱型柱相连接。与现有技术相比，本实用新型兼具箱型井字柱的美感和井字箱型柱便于连接工字形钢梁的特性，使得新的结构柱形式得以实现；变截面井字箱型柱减小应力突变，使得结构合理，大大提高了箱型井字柱对上部井字箱型柱的支撑性能和稳定性；各水平节点板的设置，实现了上下结构的协调受力，并具有成本低、施工效率高的优点。
一种截面井字箱型箱型井字转换

[发明专利]一种双煤层U型煤层气井施工的方法-CN201711411010.4在审
发明人：何庆宏;郭盛强;李峰;秦辉;樊利沙;常凌霄;王雪晴;苗媛媛 -专利权人：山西蓝焰煤层气集团有限责任公司
申请日： 2017-12-23 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： E21B43/00 文献下载
摘要：本发明涉及煤层气以及煤矿开采技术，针对包含上下两种煤层的煤矿区在采用传统U型井施工时存在的投入大、资源浪费、抽采效率低等问题，本发明提供了一种双煤层U型煤层气井施工的方法，采用1口U型井钻至两层不同的目的煤层，且采用同1口垂直井进行排采；施工时先施工垂直井，后施工U型井；垂直井采用二开井身结构，U型井采用三开井身结构，U型井的三开井身段定向对接至垂直井后，往前延伸至设计深度。双煤层U型井施工造价低于传统普通U型井，能节省1口垂直井的工程费，且1口U型井能产两层煤的煤层气，经济效益明显。
垂直井煤层施工开井煤层气井煤层气两层煤矿开采技术施工造价效率低等煤矿区抽采延伸

[发明专利]一种用于B型LNG舱的泵井结构及具有B型LNG舱的船-CN202310189354.4在审
发明人：潘果;李立新;刘二斌 -专利权人：沪东中华造船（集团）有限公司
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： B63B11/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于B型LNG舱的泵井结构及具有B型LNG舱的船，包括泵井围壁、泵井底板、泵井边缘反面加强筋、加强板、泵井中部嵌入板；B型LNG舱的底部设有B型舱底板，B型舱底板上设有泵井开口，泵井围壁沿泵井开口一圈设置在B型舱底板的下方，泵井底板围合在泵井围壁下端形成泵井主体；泵井主体沿船宽方向呈长腰圆型；泵井边缘反面加强筋沿泵井井口设置在B型舱底板的上方；加强板设置在泵井围壁和B型舱底板之间的夹角区域与泵井中部嵌入板的位置相对应；泵井中部嵌入板嵌入泵井主体内。本发明的泵井结构采用长腰圆型的设计，可有效规避其与B型舱底板或者泵井底板形成三面相交的尖角，避免了尖角处的应力集中，以保证整个泵井区域结构的密性。
一种用于 lng 结构具有

[发明专利]高电压集成电路及其半导体结构-CN201911197731.9有效
发明人：韦维克;陈柏安;张育麒 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H03K19/0175 文献下载
摘要：一种高电压集成电路及其半导体结构，其中该半导体结构包括一衬底，衬底有依序相邻的高电压N型井区、N型井区及高电压P型井区。P型掺杂隔离区域位于N型井区将N型井区隔离出第一井区与第二井区，第二井区与高电压N型井区相邻。高电压P型晶体管，设置在高电压N型井区上，高电压P型晶体管有栅极、漏极以及源极，源极接收一操作高电压。N型晶体管有一栅极形成在N型井区及高电压P型井区的交界区域上；漏极形成在N型井区上与高电压P型晶体管的漏极连接；及源极形成在高电压P型井区上。电压箝制元件连接在高电压P型晶体管的漏极与源极之间。分压元件，连接在高电压P型晶体管的漏极到接地电压之间，提供一分压给N型晶体管的栅极。
电压集成电路及其半导体结构

[发明专利]集成电路结构-CN201810987026.8在审
发明人：郭锡瑜;朱又麟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种集成电路结构。集成电路结构包括P型基底、在P型基底的深N型井区、在深N型井区上的第一N型井区、在第一N型井区的第一N型掺杂区、第二N型井区、第一P型井区与放电电路。第二N型井区与第一P型井区在P型基底中且与深N型井区分离。放电电路包括在第一P型井区的第一P型掺杂区、在第二N型井区的第一PMOS晶体管、第一电性路径以及第二电性路径。第一电性路径耦接于第一PMOS晶体管的源极与第一N型掺杂区之间。第二电性路径耦接于第一PMOS晶体管的漏极与第一P型掺杂区之间。
电性路径集成电路结构深N型井基底放电电路耦接漏极源极申请

[发明专利]半导体结构及其形成方法、横向扩散P型金氧半晶体管-CN200610019889.3有效
发明人：李国廷;伍佑国;陈富信;姜安民 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2006-03-01 - 公布日： 2007-05-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体结构，包括设置于半导体基板上的埋层，埋层为第一型掺杂。第一磊晶层形成于埋层上，其为第二型掺杂。第二磊晶层形成于埋层上，其为第二型掺杂；隔离结构设置于埋层上并设置于第一磊晶层与第二磊晶层之间，且该隔离结构为第一型掺杂。第一井区形成于第一磊晶层上，其为第二型掺杂；第二井区形成于第二磊晶层上，其为第二型掺杂；以及第三井区形成于隔离结构上并设置于第一井区与第二井区之间，且该第三井区为第一型掺杂。隔离结构与埋层及第三井区交界，以阻挡第一井区与第二井区的漏电流路径。
半导体结构及其形成方法横向扩散型金氧半晶体管

[实用新型]存储器结构-CN202320948234.3有效
发明人：杨智铨;张朝渊;林士豪;包家豪;张峰铭;洪连嵘;王屏薇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H10B10/00 文献下载
摘要：本公开提出一种存储器结构。存储器单元阵列包括存储器单元和在第一方向上延伸的第一N型井。存储器结构还包括形成在存储器结构的外围区中的第二N型井。第二N型井在第二方向上延伸，并且与第一N型井的一个接触。存储器结构还包括形成在第二N型井中的拾取区。拾取区电性耦合至第一N型井的一个。
存储器结构

[发明专利]可承受高电压及负电压的静电放电保护装置-CN200410030950.5有效
发明人：王泰和 -专利权人：凌阳科技股份有限公司
申请日： 2004-04-01 - 公布日： 2005-10-05 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：本发明是关于一种可承受高电压及负电压的静电放电保护装置，其包括第一型基底、第一型井区、第二型井区、第二型第一掺杂区、第二型第二掺杂区以及隔离结构。第一型井区设置在第一型基底中，并且此第一型井区为浮接(float)。第二型井区设置在第一型基底中，并且隔开第一型井区与第一型基底。第二型井区耦接至第一电压线。第二型第一掺杂区设置在第一型井区中，并耦接至第二电压线。第二型第二掺杂区也设置在第一型井区中，并且耦接至焊垫。隔离结构设置在第二型第一掺杂区以及第二型第二掺杂区之间。
承受电压静电放电保护装置

[发明专利]晶体管结构及其制造方法-CN201910783483.X有效
发明人：邓筱璇;潘钦寒 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2019-08-23 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种晶体管结构，包括基底、外延层、井区、高压井区、源极区、漏极区、栅极结构与第一埋入层。外延层具有第一导电型，且设置在基底上。井区具有第二导电型，且位于外延层中。高压井区具有第一导电型，且位于井区的一侧的外延层中。源极区具有第一导电型，且位于井区中。漏极区具有第一导电型，且位于高压井区中。栅极结构设置在源极区与漏极区之间的外延层上。第一埋入层具有第二导电型，且位于高压井区下方的基底中。第一埋入层的至少一部分的厚度在第一埋入层远离井区的方向上逐渐缩小。以及，晶体管结构的制造方法。
晶体管结构及其制造方法

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