“二硫属化物层”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果14057877个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]类沸石镉硫属化物、其制备方法及应用-CN201610917770.1有效
发明人：张仁春;曹智;袁柏青;王军杰;张竞超 -专利权人：安阳师范学院
申请日： 2016-10-21 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： B01J31/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型类沸石镉硫属化物，所述化合物的分子式为[Cd₈S(SPh)₁₄]Cd(2Me‑Im)₄，其中2Me‑Im为2‑甲基咪唑经试验发现，本发明类沸石镉硫属化物常温下具有高效的光催化性质，能降解有机污染物甲基橙。
新型类沸石镉硫属化物制备方法应用

[发明专利]电子设备以及用于制造其的方法-CN201910615394.4有效
发明人：李泂奭 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-07-09 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：一种用于制造包括半导体存储器的电子设备的方法包括：形成硫族化物层，在硫族化物层上形成第一导电层，以及通过将离子注入或辐射到硫族化物层与第一导电层之间的界面上来增大所述界面的密度。
电子设备以及用于制造方法

[发明专利]一种硫属有机半导体的制备方法-CN202111522448.6有效
发明人：胡鹏;蔡明杰 -专利权人：西北大学
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C07D495/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种硫属有机半导体的制备方法，该方法以升华硫、二苯二硫、噻吩等为硫源，以并五苯、并四苯、二萘嵌苯、蒽、菲等芳香族化合物作原料，将两者混合添入石英管并真空密封，实现了化学气相输运法制备出与原料对应的形貌规整的硫属有机半导体本发明反应过程简单，反应条件温和、易控制并且不需要大型设备和苛刻的反应条件，通过对反应原料的量与反应温度的控制，生成形貌规整的硫属有机半导体，制备出的材料作为电解水催化剂时，表现出较好的电催化析氢性能。
一种有机半导体制备方法

[发明专利]改性硫和包括作为粘合剂的改性硫的产品-CN200680021577.4无效
发明人： M·J·莱恩霍特;R·A·M·范特里尔;G·L·M·M·维比斯特 -专利权人：国际壳牌研究有限公司
申请日： 2006-06-14 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： C04B28/36 文献下载
摘要：本发明提供了由熔融的元素硫与一种或多种烯属的硫改性剂混合而制备的改性硫，其中至少50wt％的所述烯属硫改性剂是5－亚乙基－2－降冰片烯和/或5－乙烯基－2－降冰片烯，且其中烯属硫改性剂的总量占硫的重量的本发明还提供了包括作为粘合剂的这类改性硫的产品，其制备如下：在温度高于硫的熔融温度下混合这类改性硫、填料和/或聚集物、和任选的元素硫，和通过将该混合物冷却到低于硫的熔融温度的温度来凝固该混合物。
改性包括作为粘合剂产品

[发明专利]一种熔融体系下磷改性过渡金属硫属化合物的方法-CN202010219105.1有效
发明人：王佳宏;喻彬璐;喻学锋 -专利权人：深圳先进技术研究院
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： C01G39/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种熔融体系下磷改性过渡金属硫属化合物的方法，属于新材料制备领域。制备方法是将过渡金属单质M、硫属单质X、磷源、熔融盐原料进行充分混合均匀，抽真空密封于石英管中进行烧结，最终得到尺寸均一且表面亲水的薄层纳米过渡金属硫属化合物。该方法一次性直接合成纳米层状材料，并且改性后的过渡金属硫属化合物具有不同的表界面特性，如亲水性，这些优点使得该材料具有广阔的应用前景。
一种熔融体系改性过渡金属化合物方法

[发明专利]用于光电薄层太阳能电池的多层背电极及其用于制造薄层太阳能电池和模块的应用、包含多层背电极的光电薄层太阳能电池和模块及其制造方法-CN201380028771.5有效
发明人： V.普罗布斯特 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2013-02-18 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：用于光电薄层太阳能电池的多层背电极按如下顺序包括至少一个块体背电极层（4），至少一个尤其欧姆的接触层（8a，8b），通过借助物理和/或化学气相沉积在使用至少一种金属硫族化物源的情况下涂敷至少一个层而获得，所述层包含至少一种金属硫族化物或基本上由至少一种金属硫族化物形成，其中金属选自钼、钨、钽、钴和/或铌并且硫族元素选自硒和/或硫，或通过涂敷至少一个金属层（第一层，10）和金属硫族化物层（第二层，12）而获得，其中第一层和块体背电极层在其一种或多种金属的成分上在这些金属中的一种或所有金属方面并不一致（Mo、W、Ta、Nb和/或Co），将该多层背电极用于制造薄层太阳能电池和薄层太阳能模块，包含该多层背电极的光电薄层太阳能电池和模块以及用于制造光电薄层太阳能电池和模块的方法
用于光电薄层太阳能电池多层电极及其制造模块应用包含方法

[发明专利]化合物半导体薄膜形成用油墨及其制造方法-CN201280048204.1无效
发明人：张毅闻;山田明 -专利权人：凸版印刷株式会社;国立大学法人东京工业大学
申请日： 2012-09-25 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明为使含有金属盐或金属配位化合物的溶液与含有硫属化物盐的溶液发生反应来获得CZTS化合物纳米粒子的CZTS化合物半导体薄膜形成用纳米粒子的制造方法。通过将该CZTS化合物半导体薄膜形成用纳米粒子进行涂布或印刷、并进行热处理，可以形成CZTS化合物半导体薄膜，从而可以构成具备该CZTS化合物半导体薄膜作为光吸收层（103）的太阳能电池。
化合物半导体薄膜形成油墨及其制造方法

[发明专利]一种Cr基硫属化合物硬磁纳米材料-CN201710042070.7在审
发明人：许小红;王芳;杜娟;马珍珍;张燕庆 -专利权人：山西师范大学
申请日： 2017-01-20 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： H01F1/11 文献下载
摘要：本发明公开了一种Cr基硫属化合物硬磁纳米材料，Cr基硫属化合物硬磁纳米材料具有式(I)结构Cr2‑xMxTe3(I)，所述M选自3d过渡金属，0＜x≤0.4。本发明公开的Cr基硫属化合物硬磁纳米材料具有较高矫顽力，是一种新型无稀土硬磁纳米材料。
一种 cr 基硫属化合物纳米材料

[发明专利]一种碳复合的硫族化合物复合材料及其制备方法和应用-CN201910623741.8在审
发明人：张隆;刘艳艳 -专利权人：燕山大学
申请日： 2019-07-11 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳复合的硫族化合物复合材料及其制备方法和应用，属于二次离子电池技术领域。本发明提供的碳复合的硫族化合物复合材料包括硫族化合物纳米晶和乱层石墨碳，所述硫族化合物纳米晶位于乱层石墨碳的网络化框架结构中，所述硫族化合物纳米晶的材质包括金属硫族化合物、二硫化硅和二硒化硅中的至少一种本发明所提供的碳复合的硫族化合物复合材料在循环充放电100次以上时，仍然能够保持较高的质量比容量和99％以上的库伦效率，具有优异的循环稳定性和倍率性能。
硫族化合物复合材料碳复合纳米晶制备方法和应用乱层石墨碳金属硫族化合物循环充放电循环稳定性质量比容量倍率性能库伦效率框架结构离子电池硫化硅网络化硒化

[发明专利]具有热障的相变化存储单元及其制造方法-CN200710196462.5有效
发明人：陈士弘;龙翔澜;陈逸舟 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2007-12-05 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：在一特定实施例中，此存储元件为硫属化物，例如GST。沉积于此接点上以及凹口的侧壁上的导电阻挡层，将底电极耦合到接点，其中凹口形成于接点上。
具有热障相变存储单元及其制造方法

[发明专利]一种镉基锑硫属化合物及其制备方法和应用-CN202111453169.9在审
发明人：刘畅;玉深深;刘晓艳;张皓然 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： C07C211/65 文献下载
摘要：本发明公开了一种镉基锑硫属化合物及其制备方法和应用。本发明得到的镉基锑硫属化合物，分子式为C8H26CdNiN6Sb26CdFeN6Sb2Se5，是含有过渡金属的新型硫属化合物本发明提供的以上镉基锑硫属化合物的制备方法，具有合成产率高，工艺和设备简单，可操作性和可调变性好，反应条件温和，合成温度低等优点。采用本发明得到的镉基锑硫属化合物，能隙分别1.56eV和1.55eV，可用于制备光学半导体器件。
一种镉基锑硫属化合物及其制备方法应用

[发明专利]系列碱土金属镁基硫属（硒属）化合物及其非线性光学晶体及其制备方法及其用途-CN202111400480.7在审
发明人：俞洪伟;陈佳乐;吴红萍;胡章贵 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明涉及碱土金属镁基硫属(硒属)化合物及碱土金属镁基硫属(硒属)非线性光学晶体及其制备方法及其用途，该系列化合物和晶体化学式通式均为AMg6Ga硫属(硒属)化合物采用真空高温固相反应法合成，碱土金属镁基硫属(硒属)晶体采用高温溶液法或布里奇曼法(坩埚下降法)生长。该材料可用于制造二次谐波发生器，上、下频率转换器，光参量振荡器等。
系列碱土金属镁基硫属硒属化合物及其非线性光学晶体制备方法用途

[发明专利]半导体层的制造方法、光电转换装置的制造方法和半导体层形成用溶液-CN201080045441.3无效
发明人：稻井诚一郎;西村太佑;田中勇 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2010-12-16 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供可容易制造所期望的厚度的良好的半导体层的半导体层的制造方法、光电转换装置的制造方法和半导体层形成用溶液。为了达成该目的，首先制成含有金属元素、含硫属元素的有机化合物和路易斯碱性有机化合物的原料溶液。然后，通过对所述原料溶液进行加热，从而制成多个微粒。该多个微粒含有作为所述金属元素和包含在所述含硫属元素的有机化合物中的硫属元素的化合物的金属硫属化物。随后，使用分散有所述多个微粒的半导体层形成用溶液来形成半导体层。
半导体制造方法光电转换装置形成溶液

[发明专利]用于层状过渡金属硫属化合物层的组合物及形成层状过渡金属硫属化合物层的方法-CN201610258537.7有效
发明人：金海龙;申铉振;朴晟准 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-04-22 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：提供用于层状过渡金属硫属化合物层的组合物及形成层状过渡金属硫属化合物层的方法。所述组合物包括选自由式1表示的过渡金属前体和由式1d表示的过渡金属前体的至少一种，和由式2表示的硫属前体。
用于层状过渡金属化合物组合形成方法

[发明专利]硫族化物薄膜太阳能电池生产中的碱金属掺杂方法-CN201410320423.1无效
发明人：谢承智;刘德昂;钱磊;章婷;杨一行;冯宗宝 -专利权人：苏州瑞晟纳米科技有限公司
申请日： 2014-07-04 - 公布日： 2014-09-24 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种硫族化物薄膜太阳能电池生产中的碱金属掺杂方法,用于解决现有硫族化物薄膜太阳能电池大规模生产时碱元素掺杂不均的问题。其制备流程包括以下几个步骤：采用公知技术真空磁控溅射方法在刚性或柔性衬底上溅射底电极薄膜，并在底电极上沉积金属或硫族化金属反应层，后在常温的环境中,把配制的含碱元素前驱体溶液利用常规工艺在金属反应层上沉积碱和硫族元素层，以低温烘烤,形成固态薄膜,再经高温退火处理使反应层完全转变为多晶的硫族化物半导体薄膜。最后镀上缓冲层、窗口层和上电极便制成硫族化物薄膜太阳能电池。本发明是一种简单、容易控制，并适合于工业化生产的碱金属掺杂方法。
硫族化物薄膜太阳能电池生产中的碱金属掺杂方法