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[发明专利]二硫化钼半导体的欧姆接触结构及其制备方法-CN202010284778.5在审
发明人：曾祥斌;曾薏蓉;王士博;鲁基昌;陆晶晶;胡一说;王文照;肖永红;袁俊茹;周宇飞;王君豪;王曦雅 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2020-04-13 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L29/43 文献下载
摘要：本发明提供了一种二硫化钼半导体的欧姆接触结构及其制备方法，二硫化钼半导体的欧姆接触结构，包括：基片、二硫化钼薄膜、掺杂二硫化钼薄膜、第一电极与第二电极；所述二硫化钼薄膜位于所述基片的一侧，所述掺杂二硫化钼薄膜形成于所述二硫化钼薄膜的与所述基片相背的一侧，所述第一电极设于所述掺杂二硫化钼薄膜的与所述二硫化钼薄膜相背的一侧，且与所述掺杂二硫化钼薄膜接触，所述第二电极设于所述第一电极的与所述掺杂二硫化钼薄膜相背的一侧，所述第一电极与所述第二电极为不同材料的金属
二硫化钼半导体欧姆接触结构及其制备方法

[发明专利]一种大面积单层及少层二硫化钼薄膜的转移方法-CN201810986245.4有效
发明人：王金斌;张东国;钟向丽;岳少忠 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种大面积单层及少层二硫化钼薄膜的转移方法，本发明利用胶带作为二硫化钼薄膜转移的支架，聚合物薄膜作为二硫化钼与透明胶的隔离层，二硫化钼薄膜及聚合物薄膜紧紧地附着在胶带上面，减少了二硫化钼薄膜与生长衬底分离时产生的薄膜破碎情况，而且便于二硫化钼薄膜的收集；同时，在转移过程中可以通过转移胶带来实现对二硫化钼薄膜及聚合物薄膜的转移，不会对二硫化钼薄膜造成破坏。此外，本发明将前驱体浸泡于丙酮中实现胶带和聚合物薄膜与二硫化钼薄膜分离，保证了胶带在脱离过程中不会对二硫化钼薄膜造成破坏，有利于实现大面积单层或少层二硫化钼薄膜实现较完整的转移。
一种大面积单层二硫化钼薄膜转移方法

[发明专利]一种硫化二硫化钼/铜复合薄膜、其制备方法及应用-CN202210197272.X在审
发明人：蒲吉斌;范昕;王海新;史彦斌;杨敏 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种硫化二硫化钼/铜复合薄膜、其制备方法及应用。所述制备方法包括：采用磁控溅射技术，在基体表面依次沉积钛过渡层、钛/铜/二硫化钼梯度过渡层和二硫化钼/铜掺杂层，获得二硫化钼/铜复合薄膜，之后进行硫化处理，制得硫化二硫化钼/铜复合薄膜。本发明提供的硫化二硫化钼/铜复合薄膜利用二硫化钼薄膜低摩擦特性的同时，采用二硫化钼和铜共溅射形成有效掺杂，提高了薄膜的摩擦学性能，并且二硫化钼和硫化铜的低摩擦磨损具有协同作用，有利于提高硫化二硫化钼/铜复合薄膜的耐磨性
一种硫化二硫化钼复合薄膜制备方法应用

[实用新型]基于二硫化钼薄膜结构太赫兹波开关-CN201621214564.6有效
发明人：王昊卿 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2016-11-09 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于二硫化钼薄膜结构太赫兹波开关。它包括开口环形二硫化钼薄膜、左侧矩形二硫化钼薄膜、右侧矩形二硫化钼薄膜、二氧化硅层、基底层、信号输入端、信号输出端；基底层的上层为二氧化硅层，二氧化硅层上铺有开口环形二硫化钼薄膜、左侧矩形二硫化钼薄膜和右侧矩形二硫化钼薄膜；通过调节施加在开口环形二硫化钼薄膜与基底层之间的偏置直流电压，调节开口环形二硫化钼薄膜的有效介电常数，实现太赫兹信号的通断。
基于二硫化钼薄膜结构赫兹开关

[发明专利]一种二硫化钼薄膜的制备方法-CN201710600863.6有效
发明人：赵士超;翁嘉鑫;吕燕飞;金圣忠 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2017-07-21 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种二硫化钼薄膜材料的制备方法。目前二硫化钼薄膜可通过化学气相沉积法生长，这种方法制备的二硫化钼薄膜往往存在重复性差、结晶质量低的问题，从而影响了二硫化钼薄膜性能研究和应用。本方法采用在化学气相沉积法中引入矿化剂，促进了硫化钼薄膜的生长。以固态硫化钼粉末为源，水蒸气作为矿化剂，低压高温下在基底上获得二硫化钼薄膜。该方法制备二硫化钼薄膜具有薄膜厚度可控、晶形完整和制备重复性高的优点，对于化学气相沉积法制备二硫化钼以及二维过渡金属硫族化合物等二维材料的制备是有益的。
二硫化钼薄膜制备化学气相沉积矿化剂硫化钼薄膜过渡金属硫族化合物水蒸气低压高温二硫化钼二维材料厚度可控性能研究生长二维基底晶形引入应用

[发明专利]锯齿状二硫化钼薄膜结构可调太赫兹波滤波器-CN201611208018.6有效
发明人：章乐;李九生 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2016-12-23 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种锯齿状二硫化钼薄膜结构可调太赫兹波滤波器。它包括基底层、二氧化硅层、右侧矩形二硫化钼薄膜、右侧锯齿形二硫化钼薄膜、中间锯齿形二硫化钼薄膜、左侧锯齿形二硫化钼薄膜、左上矩形二硫化钼薄膜、左下矩形二硫化钼薄膜、信号输入端、第一信号输出端、第二信号输出端；当无外加电压时，太赫兹信号从信号输入端输入，从信号第一输出端输出，当在二硫化钼薄膜与基底层之间添置偏置直流电压时，可以通过改变偏置电压实现调节二硫化钼薄膜的有效介电常数，使太赫兹信号从信号输入端输入，从第二信号输出端输出，实现太赫兹信号的可调滤波效果。
锯齿状二硫化钼薄膜结构可调赫兹滤波器

[发明专利]一种两步法制备厘米级碳点/二硫化钼薄膜的方法-CN202211555140.6在审
发明人：李猛;白一廷;李萍剑;李雪松 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：发明名称：一种两步法制备厘米级碳点/二硫化钼薄膜的方法摘要：本发明公开了一种两步法制备厘米级碳点/二硫化钼薄膜的方法，属于半导体材料制备技术领域。本发明第一步通过化学气相沉积法制备厘米级结构可控的二硫化钼薄膜，第二步通过真空退火直接在二硫化钼薄膜上沉积碳点制备得到厘米级碳点/二硫化钼薄膜。本发明提供的方法可以直接合成多种结构的尺寸可控的碳点/二硫化钼薄膜。本发明制备的碳点/二硫化钼薄膜，丰富了二硫化钼的物理化学特性，拓展了其在光电、电化学催化等领域上的应用。
一种步法制备厘米级碳点二硫化钼薄膜方法

[发明专利]一种二硫化钼薄膜的制备方法-CN202110432046.0有效
发明人：唐军利 -专利权人：金堆城钼业股份有限公司
申请日： 2021-04-21 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明一种二硫化钼薄膜的制备方法，将工件去油去污，超声波清洗30～60min，得到清洗后的工件，然后将清洗后的工件悬挂于磁控溅射炉内，使清洗后的工件表面正对二硫化钼靶材，二硫化钼靶材的纯度不小于99.9％，二硫化钼靶材与工件待涂面的距离为8～10cm，利用磁控溅射将二硫化钼均匀溅射在工件表面，形成二硫化钼薄膜材料初制品，最后将步骤2的二硫化钼薄膜材料初制品进行退火，得到二硫化钼薄膜。本发明通过在磁控溅射过程中使用高电压、低电流可以使得二硫化钼的晶型定向排列，从而得到银灰色二硫化钼薄膜，一方面可以提高二硫化钼润滑效果，另一方面磁控溅射控制容易，工艺简单，适于大规模工业化生产。
一种二硫化钼薄膜制备方法

[发明专利]一种原子层数可控的二硫化钼薄膜及其制备方法-CN202111028757.8在审
发明人：胡忠强;赵亚楠;朱媛媛;刘明;胡天存;王新波;张毅;崔万照 -专利权人：西安交通大学;西安空间无线电技术研究所
申请日： 2021-09-02 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种原子层数可控的二硫化钼薄膜及其制备方法，包括基片和抑制二次电子发射层；抑制二次电子发射层设置在基片上；抑制二次电子发射层包括若干层单原子二硫化钼层，若干层单原子二硫化钼层叠加设置。利用磁控溅射技术生长厚度可控的二硫化钼薄膜，首次实现了使用磁控溅射技术生长单层及多层的层数可通过溅射时间控制的二硫化钼薄膜，二硫化钼薄膜相对于同样是二维材料的石墨烯，通过层数调节的费米能级，且对于石墨烯的零带隙，二硫化钼薄膜具有带隙，其中二硫化钼具有直接带隙，介于二硫化钼的优点，以及其本身较低的二次电子发射系数，首次将磁控溅射制备的二硫化钼薄膜应用于对二次电子发射的抑制中，有效的降低了器件的二次电子发射系数。
一种原子层数可控二硫化钼薄膜及其制备方法

[发明专利]一种二硫化钼半导体薄膜材料的制备方法-CN201710082163.2在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：苏州思创源博电子科技有限公司
申请日： 2017-02-15 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种二硫化钼半导体薄膜材料的制备方法，该制备方法采用在上下两层二硫化钼膜层之间插入一层铜金属层，利用所插入的铜金属薄层中的自由电子对对上下两层二硫化钼膜层的电子注入效应，提高薄膜材料中的电子载流子浓度和电子迁移率，达到显著降低二硫化钼薄膜材料的电阻率值，显著提高了二硫化钼薄膜材料的导电性能，并且所形成的二硫化钼/铜/二硫化钼薄膜的结构稳定，性能可重复性强。
一种二硫化钼半导体薄膜材料制备方法

[发明专利]一种基于液态浸泡法增强单层二硫化钼薄膜铁磁性的方法-CN201710934027.1有效
发明人：杨森;张垠;姚康康;周超 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2017-10-10 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： H01F41/02 文献下载
摘要：本公开涉及一种基于液态浸泡法增强单层二硫化钼薄膜铁磁性的方法，包括：1、利用多温区气氛炉制备单层二硫化钼薄膜；2、制备不同浓度的锰离子溶液，将制备好的单层二硫化钼薄膜分别浸入不同浓度的锰离子溶液中，然后对锰离子溶液进行密封处理；3、将浸有单层二硫化钼薄膜的锰离子溶液在50℃‑300℃加热装置中加热1‑4小时；4、将单层二硫化钼薄膜从锰离子溶液中取出吹干。经本公开所述方法处理后的单层二硫化钼具有较强的铁磁性，可从侧面证明掺杂后的单层二硫化钼薄膜发生谷劈裂，跟已有的理论计算结果一致，使单层二硫化钼薄膜具备应用在谷电子学器件的可能。
一种基于液态浸泡增强单层二硫化钼薄膜铁磁性方法

[发明专利]一种二硫化钼掺银的硫化薄膜及其制备方法与应用-CN202011125570.5有效
发明人：王海新;王立平;蒲吉斌;史彦斌;郭武明 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2020-10-20 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种二硫化钼掺银的硫化薄膜及其制备方法与应用。所述二硫化钼掺银的硫化薄膜包括在其厚度方向上依次层叠的钛过渡层、钛/银/二硫化钼多层梯度过渡层和二硫化钼/银掺杂硫化层。所述制备方法包括：采用磁控溅射技术，在基体表面依次沉积钛过渡层、钛/银/二硫化钼多层梯度过渡层和二硫化钼/银掺杂硫化层，之后在真空惰性气氛中，对所获复合薄膜进行高温硫化处理，获得所述二硫化钼掺银的硫化薄膜本发明的高温硫气氛退火处理的二硫化钼银复合薄膜在真空和大气环境下均具有良好的摩擦磨损性能，大气环境下薄膜的润滑性能得到进一步改善，能满足航空航天飞行器润滑稳定及长寿命服役要求。
一种二硫化钼硫化薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备方法-CN201710569811.7有效
发明人：曾祥斌;吴少雄;王文照;曾洋;丁佳;胡一说;周广通;徐素娥 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2017-07-13 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备工艺，光探测器包括从上之下依次排列的电极结构、多个层状二硫化钼薄膜以及衬底；电极结构为电极、主支、分支三部分，相邻主支之间和相邻分支之间的间距为二硫化钼薄膜的平均大小，起到并联二硫化钼薄膜、增大光敏面积的作用。二硫化钼薄膜的生长采用化学气相沉积(CVD)的方法，硅片作为衬底，MoO₃粉末作为钼源，硫粉作为硫源，通过控制钼源与衬底之间的间距、硫蒸气进入反应的时间和反应温度，制备得到大面积的层状二硫化钼薄膜使用该方法制备层状二硫化钼薄膜，对设备要求低，实验过程简单方便、重复性高。
一种二维层状二硫化钼薄膜探测器制备方法

[发明专利]一种一步法制备厘米级碳点/二硫化钼薄膜的方法-CN202211554584.8在审
发明人：周婷;张睿龙;李萍剑;李雪松 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种一步法制备厘米级碳点/二硫化钼薄膜的方法，属于半导体材料制备技术领域。本发明提供的方法可以在制备二硫化钼薄膜的同时沉积碳点，即一步法完成碳点/二硫化钼薄膜的制备。本发明提供的方法可以合成多种结构的尺寸可控的碳点/二硫化钼薄膜。本发明制备的碳点/二硫化钼薄膜，丰富了二硫化钼的物理化学特性，拓展了其在光电、电化学催化等领域上的应用。
一种一步法制备厘米级碳点二硫化钼薄膜方法

[发明专利]二硫化钼/二硫化钨多层掺钽薄膜及其制备方法与应用-CN202010057982.3在审
发明人：蒲吉斌;曾春;王海新;王立平;薛群基 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2020-01-19 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种二硫化钼/二硫化钨多层掺钽薄膜及其制备方法与应用。所述二硫化钼/二硫化钨多层掺钽薄膜包括在其厚度方向上依次层叠的钛过渡层、钛/钽/二硫化钼/二硫化钨多层梯度过渡层和二硫化钼/二硫化钨多层钽掺杂层。所述制备方法包括：采用磁控溅射技术，在基体表面依次沉积钛过渡层、钛/钽/二硫化钼/二硫化钨多层梯度过渡层和二硫化钼/二硫化钨多层钽掺杂层，获得二硫化钼/二硫化钨多层掺钽薄膜。本发明的二硫化钼/二硫化钨多层掺钽薄膜具有良好的基底结合强度、硬度及弹性模量，在大气环境不同温度下均具有良好的摩擦磨损性能、良好温度自适应性能、耐湿热、耐高温氧化性能，能满足航空航天飞行器润滑稳定及长寿命服役要求
二硫化钼硫化多层薄膜及其制备方法应用

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