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[发明专利]2，4-二氮杂芴衍生物和电子器件-CN202111584936.X在审
发明人：袁晓冬;张业欣;陈华 -专利权人：维思普新材料（苏州）有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： C07D401/14 文献下载
摘要：本发明涉及2，4‑二氮杂芴衍生物和电子器件。本发明的2，4‑二氮杂芴衍生物通过引入2，4‑二氮杂芴衍生物结构，得到的2，4‑二氮杂芴衍生物具有良好的成膜性和热稳定性，可用于制备有机电致发光器件。本发明的2，4‑二氮杂芴衍生物可以作为发光层、空穴阻挡层或电子传输层的构成材料，能够降低驱动电压，提高效率、亮度和寿命等。
二氮杂芴衍生物电子器件

[发明专利]1，3-二氮杂芴酮衍生物和电子器件-CN202111513809.0在审
发明人：朱向东;张业欣;袁晓冬 -专利权人：维思普新材料（苏州）有限公司
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： C07D403/10 文献下载
摘要：本发明涉及1，3‑二氮杂芴酮衍生物和电子器件。本发明的1，3‑二氮杂芴酮衍生物通过引入1，3‑二氮杂芴酮结构，得到的1，3‑二氮杂芴酮衍生物的热稳定性优异，用于制备有机电致发光器件。另外，本发明的1，3‑二氮杂芴酮衍生物可以作为发光层、空穴阻挡层或电子传输层的构成材料，能够降低驱动电压，提高效率、亮度和寿命等。
二氮杂芴酮衍生物电子器件

[发明专利]1，3-二氮杂螺芴类衍生物和电子器件-CN202111513807.1在审
发明人：朱向东;袁晓冬;张业欣 -专利权人：维思普新材料（苏州）有限公司
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： C07D471/10 文献下载
摘要：本发明涉及1，3‑二氮杂螺芴类衍生物和电子器件。本发明的1，3‑二氮杂螺芴类衍生物通过引入1，3‑二氮杂螺芴类衍生物母核结构，得到的1，3‑二氮杂螺芴类衍生物成膜性和热稳定性优异，可用于制备有机电致发光器件。本发明的1，3‑二氮杂螺芴类衍生物可以作为发光层、空穴阻挡层或电子传输层的构成材料，能够降低驱动电压，提高效率、亮度和寿命等。此外，本发明的1，3‑二氮杂螺芴类衍生物的制备方法简单，原料易得，能够满足工业化的发展需求。
二氮杂螺芴类衍生物电子器件

[发明专利]2,4-二氮杂螺芴类衍生物和电子器件-CN202111584815.5在审
发明人：刘向阳;朱向东;袁晓冬 -专利权人：维思普新材料（苏州）有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C07D239/70 文献下载
摘要：本发明涉及2，4‑二氮杂螺芴类衍生物和电子器件。本发明的2，4‑二氮杂螺芴类衍生物通过引入独特的联苯螺芴与D‑π‑A结构的组合的2，4‑二氮杂螺芴类衍生物母核结构，得到的2，4‑二氮杂螺芴类衍生物成膜性和热稳定性优异，可用于制备有机电致发光器件。本发明的2，4‑二氮杂螺芴类衍生物可以作为发光层、空穴阻挡层或电子传输层的构成材料，能够降低驱动电压，提高效率、亮度和寿命。
二氮杂螺芴类衍生物电子器件

[发明专利]2，4-二氮杂芴酮衍生物和电致发光器件-CN202111584937.4在审
发明人：朱向东;袁晓冬;陈华 -专利权人：维思普新材料（苏州）有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C07D401/14 文献下载
摘要：本发明涉及2，4‑二氮杂芴酮衍生物和有机电致发光器件。本发明的2，4‑二氮杂芴酮衍生物通过引入2，4‑二氮杂芴酮衍生物母核结构，得到的2，4‑二氮杂芴酮衍生物成膜性和热稳定性优异，可用于制备有机电致发光器件。另外，本发明的2，4‑二氮杂芴酮衍生物可以作为发光层、空穴阻挡层或电子传输层的构成材料，能够降低驱动电压，提高效率、亮度和寿命等，能够满足工业化的发展需求。
二氮杂芴酮衍生物电致发光器件

[发明专利]一类二氮杂芴酮和芴及螺二芴衍生物和制备方法及其应用-CN201010505993.X无效
发明人：刘乾才;吴国洪;杨玲玲 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2010-10-14 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： C07D237/26 文献下载
摘要：本发明公开了一类芳基取代的3，4-二氮杂芴酮和芴及螺二芴衍生物，特点是在3，4-二氮杂芴及螺二芴的2-位引入不同类别的芳基取代基团；其制备方法是采用不同类别的乙酰基取代的芳香化合物与水合茚三酮、水合肼经缩合，关环形成各种2-芳基取代的3，4-二氮杂芴酮衍生物。再经水合肼还原或与2-溴联苯的锂盐或者格氏试剂生成叔醇中间体，最后经酸化关环形成2-位芳基取代的3，4-二氮杂芴酮和芴及螺二芴衍生物。本发明涉及有机半导体器件等有机电子领域；芴以及氮杂螺二芴结构基元为核构建光电材料表现出高的热稳定性和高的玻璃化温度，而且合成反应路线简单。该类化学物为探索新型有机发光和电存储光电材料提供新的材料。
一类二氮杂芴酮螺二芴衍生物制备方法及其应用

[发明专利]1,3-二氮杂芴化合物和电子器件-CN202010641980.9有效
发明人：张业欣;朱向东;崔林松;刘向阳;陈华 -专利权人：苏州久显新材料有限公司
申请日： 2020-07-06 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： C07D403/10 文献下载
摘要：本发明涉及1,3‑二氮杂芴化合物和电子器件。本发明的1,3‑二氮杂芴化合物通过引入1,3‑二氮杂芴刚性结构，其的成膜性和热稳定性优异，可用于制备有机电致发光器件、有机场效应晶体管和有机太阳能电池。另外，本发明的1,3‑二氮杂芴化合物可以作为空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子阻挡层、空穴阻挡层或电子传输层的构成材料，能够降低驱动电压，提高效率、亮度和寿命等。此外，本发明的1,3‑二氮杂芴化合物的制备方法简单，原料易得，能够满足工业化的发展需求。
二氮杂芴化合物电子器件

[发明专利]3,4-二氮杂芴衍生物及其合成方法和含有3,4-二氮杂芴衍生物的电子器件-CN201911143857.8有效
发明人：崔林松;刘向阳;张业欣;陈华 -专利权人：苏州久显新材料有限公司
申请日： 2019-11-20 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C07D403/10 文献下载
摘要：本发明涉及有机光电材料技术领域，具体涉及3,4‑二氮杂芴衍生物及其合成方法和含有3,4‑二氮杂芴衍生物的电子器件，其由通式(1)表示：其中，L1和L2各自独立地表示单键、羰基、具有6至18个碳原子的芳香族烃基或具有5至18个碳原子的芳香族杂环基中的一个或多个。本发明的3,4‑二氮杂芴衍生物通过引入3,4‑二氮杂芴刚性结构，得到的3,4‑二氮杂芴衍生物成膜性和热稳定性优异，可用于制备有机电致发光器件、有机场效应晶体管和有机太阳能电池。另外，本发明的3,4‑二氮杂芴衍生物可以作为空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子阻挡层、空穴阻挡层或电子传输层的构成材料，能够降低驱动电压，提高效率、亮度和寿命等。
二氮杂芴衍生物及其合成方法含有电子器件

[发明专利]一种新化合物及制备方法和用途-CN201711333777.X在审
发明人：江国庆;姜国民;施磊;吴增辉;谢晓玲;邓自发;陈婷婷;李忠强 -专利权人：南通大学
申请日： 2017-12-14 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： C07D519/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种新化合物Ⅰ及制备方法和用途，以邻菲罗啉为起始原料，经氧化反应、格氏反应和Friedel‑Crafts酰基化反应合成得到了乙酰基氮杂螺二芴，再与2‑氨基吡啶‑3‑甲醛通过Friedlander反应合成目标产物2'‑(1,8‑二氮杂萘‑2‑基)螺[环戊二烯并[1,2‑b：5,4‑b']二吡啶‑5,9'‑芴]。本发明在4,5‑二氮杂‑9,9'‑螺二芴上引入1,8‑二氮杂萘，通过多步反应，制备得到了产品，方法简便、易操作，产品熔点：＞300℃，收率高。
一种化合物制备方法用途

[发明专利]4,5-二氮杂芴-9-醇及其傅克反应后修饰材料的制备方法-CN201410003801.3无效
发明人：黄维;解令海;刘彬;余洋;李伟杰 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2014-01-06 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： C07D471/04 文献下载
摘要：4,5-二氮杂芴-9-醇及其傅克反应后修饰材料涉及有机合成和光电材料领域，包括有机电致发光、有机太阳能电池、有机场效应晶体管、生物传感、有机电存储等领域。本发明为一种4,5-二氮杂芴-9-醇及其傅克反应后修饰材料的制备方法，包括：（1）在不同的反应温度下，将格氏试剂加入到4,5-二氮杂芴-9-酮中，反应生成三种4,5-二氮杂芴-9-醇；（2）将催化剂加入含4,5-二氮杂芴-9-醇和材料通式II中Ar2分子的混合溶液中反应，可得到傅克反应后修饰材料。
二氮杂芴及其反应修饰材料制备方法

[发明专利]3;4-二氮杂芴酮衍生物及其合成方法和含有3;4-二氮杂芴酮衍生物的电子器件-CN201911132249.7在审
发明人：崔林松;刘向阳;张业欣;陈华 -专利权人：苏州久显新材料有限公司
申请日： 2019-11-19 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： C07D403/10 文献下载
摘要：本发明涉及有机光电材料技术领域，具体涉及3,4‑二氮杂芴酮衍生物及其合成方法和含有3,4‑二氮杂芴酮衍生物的电子器件，其由通式(1)表示：其中，L
氮杂芴酮衍生物个碳原子有机场效应晶体管有机电致发光器件有机太阳能电池芳香族杂环基有机光电材料电子传输层电子阻挡层芳香族烃基空穴传输层空穴注入层空穴阻挡层电子器件刚性结构构成材料驱动电压热稳定性成膜性发光层单键可用羰基制备合成引入

[发明专利]3;4-二氮杂螺芴类衍生物及其合成方法和含有3;4-二氮杂螺芴类衍生物的电子器件-CN201911128641.4在审
发明人：崔林松;刘向阳;张业欣;陈华 -专利权人：苏州久显新材料有限公司
申请日： 2019-11-18 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： C07D403/10 文献下载
摘要：本发明涉及有机光电材料技术领域，具体涉及3,4‑二氮杂螺芴类衍生物及其合成方法和含有3,4‑二氮杂螺芴类衍生物的电子器件，其由通式(1)表示：其中，L
芴类衍生物二氮杂螺个碳原子有机场效应晶体管有机电致发光器件有机太阳能电池芳香族杂环基有机光电材料电子传输层电子阻挡层芳香族烃基空穴传输层空穴注入层空穴阻挡层电子器件刚性结构构成材料驱动电压热稳定性成膜性氮杂芴发光层单键可用羰基制备合成引入

[发明专利]氮杂芴酮类共轭聚合物光电材料及其制备和应用方法-CN201110006992.5无效
发明人：解令海;黄维;林进义;李伟杰;林宗琼;陈琳;殷成蓉;赵剑锋 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2011-01-13 - 公布日： 2011-07-27 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：氮杂芴酮类共轭聚合物材料及其制备和应用方法涉及一类含特殊的氮杂芴单体的聚合物材料，并涉及该类材料在有机太阳能电池、有机电致发光、有机场效应管和有机电存储等领域的应用。该类共轭聚合物材料具有4，5-二氮杂芴酮单元骨架。具有：(1)4，5-二氮杂芴酮单元具有强的电子受体特性，通过共聚可制备给受体窄带隙材料；(2)具有线性平面构象，具有结晶性；(3)与金属离子配位等优点。
氮杂芴酮类共轭聚合物光电材料及其制备应用方法

[发明专利]一种二氮杂芴的化合物及用于有机电致发光器件的材料和有机电致发光器件-CN202211488827.2在审
发明人：黄扬兵 -专利权人：东莞伏安光电科技有限公司
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C07D413/14 文献下载
摘要：本申请公开了一种二氮杂芴的化合物，以二氮杂芴为基础结构，在基础结构上引入芳基或杂芳基，其具有如下通式Ⅰ：其中，X1～X8分别独立的表示为N原子或C原子，且氮原子的数量为2；所述芳基或杂芳基为取代或未被取代的芳基或杂芳基；该化合物的折射率大于或等于1.85。本申请所述的二氮杂芴的化合物具有较高的折射率、热稳定性和成膜性能，可以作为光取出层材料，合用于蒸镀方式制作OLED器件。
一种二氮杂芴化合物用于有机电致发光器件材料

[发明专利]一种1-氮杂芴及含轴手性1-氮杂芴的制备方法-CN202310608492.1在审
发明人：刘文博;彭锦煌 -专利权人：武汉大学深圳研究院
申请日： 2023-05-27 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C07D221/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种1‑氮杂芴类化合物以及4号位含手性轴的1‑氮杂芴类化合物的合成方法。本发明使用的具体方法是，将镍催化剂、配体、炔腈化合物以及路易斯酸添加剂加入溶剂中搅拌，再将混合物中加入另一种炔类化合物，反应完成后经过分离提纯，得到1‑氮杂芴类化合物或4号位含手性轴的1‑氮杂芴类化合物该方法实现了从炔腈化合物以及炔烃到1‑氮杂芴骨架的一步合成，具有操作简便安全、原料易得、反应条件温和、反应效率高、对映选择性高的优点，所制备一系列1‑氮杂芴化合物可以被广泛应用于有机化学合成和药物化学领域
一种氮杂芴手性制备方法

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