专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种纳米钛/硫化铜纳米复合材料-CN201710318274.9在审
  • 李小云;祝文豪 - 浙江理工大学
  • 2017-05-08 - 2017-08-18 - B01J27/04
  • 本发明公开了一种纳米钛/硫化铜纳米复合材料。以水热法制备出纳米线作为反应基底,经过次水热法在100℃,10h条件下成功制备出硫化铜纳米片与纳米线的复合结构,同时探究了水热温度以及水热时间对复合结构光催化性能的影响。本发明通过将硫化铜制成片状结构,增加了其与纳米线的复合量,通过两者形成异质结构,增大了钛的光吸收范围,最终提高了复合结构的光催化效率。本方法设备简单,工艺参数可控,可重复性高。所制纳米复合材料在光催化领域剂有重要的应用。
  • 一种纳米氧化硫化铜复合材料
  • [发明专利]一种纳米线的制备方法-CN201710449455.5有效
  • 冯春雷;冯魁星;单玉凤;尹浩 - 上海友兰科技有限公司
  • 2017-06-14 - 2019-08-06 - C01G23/053
  • 本发明提供了一种纳米线的制备方法,其包括:制备反应溶液;反应溶液由水、摩尔浓度为0.1M‑0.5M的碱、钛源、一元醇和/或多元醇组成;采用沸腾回流工艺或水热法对反应溶液进行加热,从而得到钛酸盐纳米线;对钛酸盐纳米线进行酸洗,以得到钛酸纳米线;加热钛酸纳米线,从而得到纳米线。采用低浓度的碱和一元醇和/或多元醇的共同作用,在较低的碱浓度反应溶液中就能够采用水热法或沸腾回流法制备出粒径均匀、纯度高的纳米线,从而降低了工艺成本和工艺危险性。
  • 一种氧化纳米制备方法
  • [发明专利]一种管状、碳包覆管状纳米复合材料的制备方法及应用-CN202010668721.5有效
  • 王俊海;温梓莹;黄家锐 - 滁州学院
  • 2020-07-13 - 2022-12-06 - C01G19/02
  • 本发明公开了一种管状、碳包覆管状纳米复合材料的制备方法及应用;首先,制备纳米级棒状羟基酸铜前驱物,再将其在酸性溶液中经水热反应制备纳米管,后再用多巴胺对纳米管进行碳包覆;管状纳米材料可作为气体传感器进行应用,在应用于气体传感器时,其中空结构有利于气体分子的在敏感膜内扩散传递,从而使其对空气中的有机挥发性气体有很高的敏感响应。碳包覆管状纳米复合材料可作为锂离子电池的负极活性物质进行应用,在应用于锂离子电池时,其能很好的缓冲在充放电过程中的体积效应,提高了负极材料的导电性,从而提高锂电池的循环稳定性和倍率性能。
  • 一种管状氧化碳包覆纳米复合材料制备方法应用
  • [发明专利]一种纳米线阵列的制备方法-CN200710144001.3无效
  • 林煜 - 华侨大学
  • 2007-12-06 - 2008-09-03 - C01G23/053
  • 本发明公开了一种纳米线阵列的制备方法,属于纳米材料制备的技术领域。通过如下方案实现:在双通氧化铝模板的一面镀上工作电极;在室温下,制备A液和B液备用,A液由体积比为15∶4-15∶3.5的无水乙醇和酯类组成,B液由体积比为15∶4∶1.8 15∶4∶2的无水乙醇、冰醋酸和去离子水组成;边搅拌边将A液缓慢滴加到B液中,滴加硝酸调节pH值,形成在室温下稳定的溶胶;将镀上电极的氧化铝模板作为阴极,在上要述溶胶中进行电泳沉积,将电泳沉积过后的模板在一定温度下退火,即可得到纳米线阵列本发明的方法采用电泳沉积在氧化铝模板中制备纳米线阵列,可获得填充率高、致密的纳米线阵列,所述纳米线阵列可广泛应用于光催化、染料敏化太阳能电池等领域。
  • 一种氧化纳米阵列制备方法
  • [发明专利]ZnO/GaN异质结纳米线光开关及其制备方法-CN201811065138.4有效
  • 刘志强;程成;伊晓燕;张勇;王军喜;李晋闽 - 中国科学院半导体研究所
  • 2018-09-12 - 2020-07-17 - H01L31/0296
  • 本公开提供一种ZnO/GaN异质结纳米线光开关及其制备方法,该ZnO/GaN异质结纳米线光开关包括:硅衬底、硅绝缘层以及ZnO/GaN异质结纳米线硅绝缘层生长于硅衬底上;ZnO/GaN异质结纳米线设置于硅绝缘层上,沿其长度方向分为:ZnO纳米线和GaN纳米线,ZnO纳米线远离异质结界面的一端设置有源电极,异质结界面处设置有漏电极;GaN纳米线靠近异质结界面的一端与漏电极连接,另一端设置有栅电极。本公开提供的ZnO/GaN异质结纳米线光开关及其制备方法利用ZnO纳米线优良的光敏效应,采用GaN纳米线发出的紫外光激发ZnO纳米线,调节ZnO纳米线光电导,实现栅极对源漏电流大小的有效控制,达到制作异质结纳米线光开关的目的
  • znogan异质结纳米开关及其制备方法
  • [发明专利]一种多功能突触仿生器件及其制备方法-CN201910243572.5有效
  • 齐红霞;赵波 - 江苏师范大学
  • 2019-03-28 - 2023-02-03 - H10N70/00
  • 本发明公开了一种多功能突触仿生器件及其制备方法,从下至上依次包括栅极、硅衬底层及硅薄膜层,硅薄膜层的上表面分别设有第一中间电极及第中间电极,该两电极通过纳米线相连接,第一中间电极及第中间电极的上表面分别设有源极及漏极,该源极及漏极将第一中间电极及第中间电极上的纳米线覆盖;制备时依次设置各层即可。本发明的突触仿生器件通过采用单根纳米线作为阻变单元,结构简单,功耗低,易于集成,且纳米线与电极可靠接触,器件性能稳定,能够模拟多种突触功能;同时,其制备方法简单,可操作性强。
  • 一种多功能突触仿生器件及其制备方法
  • [发明专利]一种太阳能电池的光阳极及其制备方法-CN202011265461.3在审
  • 李燕 - 湖北芯亮新能源科技有限公司
  • 2020-11-09 - 2022-05-10 - H01G9/20
  • 本发明涉及太阳电池,特指一种太阳能电池的光阳极及其制备方法;本发明的太阳能电池的光阳极是在石墨烯粉末上覆盖钛晶层为模板生长纳米线阵列并且在纳米线阵列上生长纳米颗粒形成复合结构,可应用在染料敏化太阳能电池中石墨烯的片层覆盖在FTO玻璃上作为阻隔层,阻止FTO玻璃与电解液的直接接触,在石墨烯的片层上覆盖一层纳米颗粒作为生长纳米线阵列的籽晶,水热法生长纳米线阵列,并且在纳米线阵列上生长纳米颗粒增大光阳极的比表面积
  • 一种太阳能电池阳极及其制备方法

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