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[实用新型]一种45度角反射50％的分光镀膜玻璃-CN202123352550.4有效
发明人：宋成红 -专利权人：台玻（青岛）光电科技有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种45度角反射50％的分光镀膜玻璃，其特征在于，包括超白玻璃基板；在超白玻璃基板上A面镀有一层第一五氧化二铌膜，在第一五氧化二铌膜的上表面镀有一层第一二氧化硅膜，在第一二氧化硅膜的上表面镀有一层第二五氧化二铌膜，在第二五氧化二铌膜的上面镀有一层第二二氧化硅膜；在超白玻璃基板上B面镀有一层第一五氧化二铌膜，在第一五氧化二铌膜的上表面镀有一层第一二氧化硅膜，在第一二氧化硅膜的上表面镀有一层第二五氧化二铌膜，在第二五氧化二铌膜的上表面镀有一层第二二氧化硅膜，在第二二氧化硅膜上，镀有一层第三五氧化二铌膜；在超白玻璃基板的A面形成减反射的AR膜，B面形成镜面反射的FR50膜。
一种 45 反射 50 分光镀膜玻璃

[实用新型]一种反射为70%的中性分光膜玻璃-CN202022786724.7有效
发明人：宋成红 -专利权人：台玻（青岛）光电科技有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种反射为70％的中性分光膜玻璃，包括超白玻璃基板，在超白玻璃基板上镀有一层第一五氧化二铌膜，在第一五氧化二铌膜的上表面镀有一层第一二氧化硅膜，在第一二氧化硅膜的上表面镀有一层第二五氧化二铌膜，在第二五氧化二铌膜的上表面镀有一层第二二氧化硅膜，在第二二氧化硅膜的上表面镀有一层第三五氧化二铌膜，在第三五氧化二铌膜的上表面镀有一层第三二氧化硅膜，在第三二氧化硅膜的上表面镀有一层第四五氧化二铌膜。
一种反射 70 中性分光玻璃

[实用新型]一种增透减反射AR膜-CN202122484692.X有效
发明人：高毓康;陈超;王志坚;陈涛;赵飞 -专利权人：浙江日久新材料科技有限公司
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G02B1/115 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种增透减反射AR膜，包括基材层，所述基材层的上表面涂布有上底涂层，所述上底涂层的上表面涂布有上IM层，基材层的下表面涂布有下底涂层，所述下底涂层的下表面涂布有下IM层，所述上IM层的上表面涂布有AR层，所述AR层的上表面镀有金属硅层，所述金属硅层的上表面镀有第一氧化铌层，所述第一氧化铌层的上表面镀有第一二氧化硅层，所述第一二氧化硅层的上表面镀有第二氧化铌层，所述第二氧化铌层的上表面镀有第二二氧化硅层本实用新型通过氧化铌层+二氧化硅层+氧化铌层+二氧化硅层的结构，并通过合理的厚度控制，有效降低了AR膜的反射率。
一种增透减反射 ar

[实用新型]一种反射为30%的中性分光膜玻璃-CN202022810917.1有效
发明人：宋成红 -专利权人：台玻（青岛）光电科技有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种反射为30％的中性分光膜玻璃，包括超白玻璃基板，在超白玻璃基板上镀有一层第一五氧化二铌膜，在第一五氧化二铌膜的上表面镀有一层二氧化硅膜，在二氧化硅膜的上表面镀有一层第二五氧化二铌膜。二氧化硅膜的厚度为所述第一五氧化二铌膜厚度的5倍，所述第二五氧化二铌层的厚度为所述第一五氧化二铌膜厚度的7倍。本实用新型提供的反射为30％的中性分光膜玻璃，通过在超白玻璃基板上依次镀五氧化二铌膜、二氧化硅膜和五氧化二铌膜，并设置三者之间的厚度关系，使得膜层结构能够带来反射30％，透射70％，CRI指数为99％分光中性色效果
一种反射 30 中性分光玻璃

[发明专利]一种含铌膜的超导量子芯片刻蚀方法-CN201810020989.0有效
发明人：杨夏;朱美珍 -专利权人：合肥本源量子计算科技有限责任公司
申请日： 2018-01-10 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L39/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种含铌膜的超导量子芯片刻蚀方法，属于超导量子芯片领域。本发明解决了现有量子芯片铌膜刻蚀工艺中刻蚀速度快则产生过刻，基片破损严重，即使刻蚀速度慢也会产生薄膜边缘粗糙，有点状残留且难以去除的问题。本发明的方法包括以下步骤：(1)清理基片，得到干净的基片；(2)在片上镀铌膜，得到镀铌膜的基片；(3)对镀铌膜的基片上的铌膜进行曝光显影，得显影后的基片；(4)对基片进行刻蚀；(5)对刻蚀后的基片进行后处理本发明可以达到快速刻蚀铌膜的同时还能有效除去点状刻蚀残留物，同时还不产生过刻，达到刻蚀表面干净、图形边缘平整的效果。
刻蚀后处理超导量子芯片含铌刻蚀残留物薄膜边缘刻蚀表面曝光显影图形边缘芯片领域点状膜刻去除去胶显影量子破损粗糙平整残留

[发明专利]一种多cell纯铌腔内表面铌三锡镀膜设备-CN202310605740.7在审
发明人：杨自钦;何源;李璐;张军辉;赵玉刚;张生虎;王志军;蒋广泽 -专利权人：中国科学院近代物理研究所
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C23C14/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种多cell纯铌腔内表面铌三锡镀膜设备。它包括：外真空系统，用于提供镀铌三锡薄膜的温度与真空度条件，包括真空炉的外真空腔体和用于提供外真空腔体内真空环境的外腔体真空系统；内真空系统，用于提供镀铌三锡薄膜洁净的生长环境，包括真空炉的纯铌腔室和用于提供纯铌腔室内真空环境的内腔体真空系统；纯铌腔室设置于外真空腔体内，用于放置多cell铌腔和锡源蒸发腔，锡源蒸发腔固定在多cell铌腔两端，用于盛放锡源的容器；铌腔输送装置，用于将多cell铌腔输送至内真空腔体内；加热电源系统，用于提供蒸镀铌三锡薄膜过程热量；电气自动控制系统，用于控制镀铌三锡薄膜制备过程并采集制备过程各项参数且进行分析反馈。
一种 cell 纯铌腔内表面铌三锡镀膜设备

[发明专利]用电弧离子镀沉积氮化钛铌硬质薄膜的方法-CN00108514.X无效
发明人：林国强 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2000-04-28 - 公布日： 2003-12-03 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：用电弧离子镀沉积氮化钛铌硬质薄膜的方法属于金属材料表面改性技术领域。该方法通过控制电弧离子镀纯钛、纯铌阴极靶在镀膜过程中的弧电流来控制薄膜的成分，在工模具钢基体上沉积合成硬度高于常用的氮化钛的氮化钛铌硬质薄膜，操作简便、控制容易。
用电离子镀沉积氮化硬质薄膜方法

[实用新型]布儒斯特角铌酸锂Q开关元件-CN201320888928.9有效
发明人：张辉荣;罗辉;姚超;张伟;张志斌 -专利权人：西南技术物理研究所
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本实用新型公开的一种布儒斯特角铌酸锂Q开关元件，包括布儒斯特角铌酸锂晶体。作为铌酸锂Q开关元件的下电极设置在铌酸锂晶体的带布儒斯特角的平行四边形下底的镀铟层上，作为铌酸锂Q开关元件的上电极设置在铌酸锂晶体的带布儒斯特角的平行四边形上底的镀铟层上，环氧酚醛树脂围绕所述布儒斯特角铌酸锂晶体形状包裹封装为一体，形成封装结构，且将与铌酸锂晶体侧面呈布儒斯特角的矩形通光面显露在外。本实用新型采用环氧酚醛树脂封装布儒斯特角铌酸锂晶体，防止了高压漏电和温度变形，使电光开关的关断能力得到了很大的提高，增强了电光开关的工作性能。
布儒斯特角铌酸锂开关元件

[实用新型]一种常温单面镀膜单面消影ITO导电膜-CN201920094813.X有效
发明人：徐风海 -专利权人：台玻（青岛）光电科技有限公司
申请日： 2019-01-21 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种常温单面镀膜单面消影ITO导电膜，属于光电玻璃技术领域，包括TG基板、分别镀于TG基板上表面的五氧化二铌膜、镀于五氧化二铌膜上表面的二氧化硅膜和镀于二氧化硅膜上表面的ITO导电层，其中，二氧化硅膜的厚度大于五氧化二铌膜厚度的8倍且小于五氧化二铌膜厚度的10倍，ITO导电层的厚度大于五氧化二铌膜厚度的3倍且小于五氧化二铌膜厚度的4倍，由于采用的上述厚度配合下的五氧化二铌膜和二氧化硅膜组成的消影层，可以实现在TG基板上常温下形成单面镀膜单面消影结构，避免ITO导电膜需要在高温镀膜线上实现，简化了ITO导电膜的镀膜难度，并提高了ITO导电膜的镀膜成功率，同时，解决了低温镀ITO消影的难题。
五氧化二铌二氧化硅膜消影单面镀膜上表面基板本实用新型基板上表面镀膜难度高温镀膜光电玻璃厚度配合常温下消影层镀膜成功率

[发明专利]一种铌靶材与铜背板的钎焊方法-CN202110954929.8在审
发明人：姚力军;边逸军;潘杰;王学泽;陈石;廖培君 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： B23K1/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种铌靶材与铜背板的钎焊方法，包括：在铌靶材的焊接面依次进行喷砂预处理和化学镀镍，随后采用钎料分别浸润铌靶材与铜背板，再对浸润处理后的铌靶材的焊接面与铜背板进行焊接。本发明实现了铌靶材与铜背板的焊接，仅在铌靶材表面进行喷砂和镀镍处理，简化了工艺流程，降低了工作复杂度，且镀镍处理改善了铌靶材以及铜背板的焊接性能，使铌靶材与铜背板能够实现可靠结合；将铜丝设置于铌靶材与铜背板的焊接面之间，有效保留了靶材和背板焊接面间的焊料，提高了铌靶材与铜背板的结合强度。
一种铌靶材背板钎焊方法

[发明专利]蒸镀材料及利用该材料制得的光学薄膜-CN200880007708.2有效
发明人：高桥修平;小坂金雄;冈田均 -专利权人：富士钛工业株式会社
申请日： 2008-03-27 - 公布日： 2010-01-27 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明提供一种包含铌及镧的二元系氧化物、或者除该二元系氧化物外还包含金属铌及/或金属镧的蒸镀材料、及由该蒸镀材料得到的光学薄膜。其特征在于，该蒸镀材料中的铌和镧的摩尔比为25∶75～90∶10。
材料利用光学薄膜

[发明专利]用于去除铜表面铌镀层的化学退镀液和退镀方法-CN201711186414.8有效
发明人：初青伟;谭腾;何源;郭浩;熊平然;游志明 -专利权人：中国科学院近代物理研究所
申请日： 2017-11-23 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： C23F1/26 文献下载
摘要：一种用于去除铜表面铌镀层的化学退镀液和退镀方法，所述化学退镀液包括：质量浓度为0.1‑0.5％的间硝基苯磺酸盐、质量浓度为1.0‑4.0％的氢氟酸和质量浓度为0.8‑2.0％的氟硼酸。本发明在不损伤铜基材表面的情况下，可以简单、迅速、稳定、完全去除铜基材表面的铌镀层，完好地回收利用已镀铌膜的铜制品。
化学退镀液镀层去除铜表面铜基材退镀间硝基苯磺酸盐回收利用氟硼酸氢氟酸铜制品损伤

[发明专利]一种纯铌腔内表面镀铌三锡薄膜的方法及真空炉-CN201911314280.2有效
发明人：刘佰奇;董超;沙鹏;翟纪元 -专利权人：中国科学院高能物理研究所;上海三井真空设备有限公司
申请日： 2019-12-19 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： C23C14/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种纯铌腔内表面镀铌三锡薄膜的方法及真空炉。本发明的真空炉特征在于，包括由外真空系统与内真空系统构成的双真空结构；其中，外真空系统内设有用于对内真空系统加热的加热器以及用于测量内真空系统设定区域温度的测温探头；所述内真空系统内设有一铌腔吊装装置，该旋转吊装装置用于连接待镀膜的铌腔和锡坩埚，并通过传动机构对铌腔进行循环转动。通过该真空炉，可在纯铌腔内镀一层纯净、完全覆盖、均匀分布的铌三锡薄膜，从而实现铌三锡在超导腔上的应用。
一种纯铌腔内表面镀铌三锡薄膜方法真空炉

[发明专利]一种在镁及其合金上镀铌的方法-CN202210591279.X在审
发明人：蒋航宇;赵尹;王璐 -专利权人：江西思远再生资源有限公司
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： C25D5/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种在镁及其合金上镀铌的方法，包括以下步骤：a)、制备电镀液，将离子液体与溶剂混合，往混合液中加入一定量铌盐，搅拌混合后作为电镀液，调节电镀液的pH值；离子液体为1‑丁基‑2，3‑二甲基咪唑四氟硼酸；b)、组装电镀装置，以铌电积为阳极，处理后的镁及其合金作为阴极，放入电镀槽；c)、电镀，电镀一段时间后，取出阴极得到镀铌的材料。本发明采用上述结构的一种在镁及其合金上镀铌的方法，采用电沉积法在镁合金表面形成Nb涂层，提高镁及镁合金的性能，增强其实用性，并且电积过程使用的离子液体绿色无腐蚀性，对环境友好无污染。
一种及其合金上镀铌方法

[发明专利]一种流沙纹理冰钻黑的镀膜方法-CN201810275290.9有效
发明人：钟吉林;黄译刚;胡继凤;邱积新 -专利权人：江西泽发光电有限公司
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： C23C14/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种流沙纹理冰钻黑的镀膜方法，包括以下原材:铟棒、五氧化二铌板以及二氧化硅粉，其中，铟棒、五氧化二铌板以及二氧化硅粉设置在真空镀膜机的不同原料喷射口内，在对转印板进行辉光放电离子镀膜时，按照铟离子镀、二氧化硅分子镀、五氧化二铌分子镀、二次五氧化二铌分子镀和二次二氧化硅分子镀的顺序对进行。本发明的配方设计特点在于配方在实际的镀膜时能够镀出流沙纹理冰钻黑的外壳，整加工配方易于实现，满足了市场需求。
电镀五氧化二铌配方纹理冰钻镀膜流沙二氧化硅分子二氧化硅粉真空镀膜机辉光放电金属原材离子镀膜配方设计市场需求铟离子对转印板喷射离子加工

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