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[发明专利]金属砂箱上表面清扫方法以及金属砂箱上表面清扫装置-CN201710897166.1在审
发明人：大野泰嗣;白井利典 -专利权人：新东工业株式会社
申请日： 2017-09-28 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： B22C23/00 文献下载
摘要：本发明提供金属砂箱上表面清扫方法以及金属砂箱上表面清扫装置，能够可靠地对堆积或者附着于在邻接的金属砂箱间形成的凹部的附着物进行清扫。通过在载置于在串联方向被搬运的底盘台车(1)上的金属砂箱组的上方位置，配置在固定安装于活塞的移动物体固定部(7)安装有刮刀(8)和吹气喷嘴(9)的无杆气缸(5)，并且使无杆气缸(5)在相对于金属砂箱搬运方向呈直角的水平方向往复运动，对堆积或者附着于在邻接的金属砂箱(2、2)间形成的凹部(10)的附着物(11)进行清扫。
金属砂箱上表面清扫附着物清扫装置无杆气缸邻接凹部附着搬运堆积活塞串联方向吹气喷嘴上方位置移动物体固定部底盘刮刀台车配置

[发明专利]半导体制备方法-CN201910492117.9有效
发明人：尹佳山;仇月东;周祖源;吴政达;林正忠 -专利权人：中芯长电半导体（江阴）有限公司
申请日： 2019-06-06 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体制备方法，包括步骤：提供半导体结构；于半导体结构的上表面形成封装层；自封装层的上表面减薄封装层；于封装层的上表面形成金属种子层；对金属种子层的上表面进行预处理，其中，预处理包括采用去胶液对金属种子层的上表面进行处理的步骤；于金属种子层的上表面形成光阻层。本发明的半导体制备方法，通过采用去胶液对金属种子层的上表面进行预处理，可提高光阻层与金属种子层的接触性能，可在金属种子层的上表面形成具有均匀厚度的光阻层，提高良率，提高产品性能。
半导体制备方法

[发明专利]一种高鲜映性印刷彩板及其制备方法-CN201810321395.3在审
发明人：李舒军;邹炎斌;赵秀娟;张波;管丽娜 -专利权人：合肥河钢新材料科技有限公司;青岛河钢复合新材料科技有限公司
申请日： 2018-04-11 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： C09D175/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种高鲜映性印刷彩板及其制备方法，其中高鲜映性印刷彩板主要包括金属层，金属层的上表面自金属层的表面起依次排布化学处理层、中涂层和清漆保护层；金属层的下表面自金属层的表面起依次排布化学处理层和背面漆层在金属层表面依次进行金属层预处理、金属层表面化学处理、金属层表面涂覆防锈底漆层和背面底漆层、金属层上表面涂覆中涂层、金属层上表面凹版印刷纹理层、金属层表面涂覆清漆保护层、金属层上表面粘结保护膜层，经过以上工艺处理后的印刷彩板鲜映性较高
金属层金属层表面上表面鲜映性彩板印刷化学处理层排布涂覆制备预处理背面底漆层防锈底漆层清漆保护层凹版印刷保护膜层背面漆层工艺处理化学处理涂覆清漆保护层纹理层下表面粘结

[发明专利]一种太阳能电池的制造方法-CN201310495934.2有效
发明人：丛国芳 -专利权人：溧阳市东大技术转移中心有限公司
申请日： 2013-10-21 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池的制造方法依次包括如下步骤：（1）提供衬底，在衬底上形成第一过渡金属层；（2）对第一过渡金属层的上表面进行粗化；（3）在第一过渡金属层的上表面上溅镀金属材料层，然后对该金属材料层的上表面进行粗化，从而形成粗化金属层；（4）在粗化金属层的上表面形成p型半导体层，然后对p型半导体层的上表面进行粗化处理；（5）在p型半导体层的上表面上形成n型半导体层，然后对n型半导体层的上表面进行粗化处理；（6）在n型半导体层的上表面上依次形成第二过渡金属层、ZnO层以及透明导电层。
一种太阳能电池制造方法

[发明专利]一种基于基片集成波导设计的双频椭圆缝隙天线-CN201910604839.9有效
发明人：王剑莹;彭业顺;张涵 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2019-07-05 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H01Q1/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于基片集成波导设计的双频椭圆缝隙天线，包括：介质基板、上表面金属层、下表面金属层、金属化通孔阵列、椭圆缝隙和共面波导输入端；所述上表面金属层覆盖在所述介质基板的上表面，所述下表面金属层覆盖在所述介质基板的下表面；所述金属化通孔阵列贯穿所述上表面金属层、介质基板和下表面金属层；所述金属化通孔阵列与上表面金属层及下表面金属层共同围成一个基片集成波导腔体；所述椭圆缝隙设置在所述基片集成波导腔体的上表面金属层；所述共面波导输入端设置在所述基片集成波导腔体开口一侧的上表面金属层处
一种基于集成波导设计双频椭圆缝隙天线

[发明专利]一种绝缘介质层刻蚀方法及金属层导通连接方法-CN201610387777.7有效
发明人：任连娟;陆飞;丁振宇 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2016-06-02 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明涉及一种绝缘介质层刻蚀方法及金属层导通连接方法，利用气相沉积法中沉积物在不同介质上表面沉积速率不同原理，合理选用用于气相沉积的反应气体，使之满足在金属层上表面的沉积速率大于绝缘介质层上表面的沉积速率，使晶元上表面生成的阻挡层在金属介质层上表面的厚度大于绝缘介质层上表面的厚度，从而在对晶元上表面的绝缘介质层进行等离子体刻蚀中，能够利用金属介质层上表面与绝缘介质层上表面阻挡层的厚度差，有效保护晶元上表面的金属层免受刻蚀，避免金属飞溅导致等离子体刻蚀反应腔受金属污染，提高等离子体刻蚀反应腔的稳定性，且整个流程均可在等离子体刻蚀反应腔中进行，无需光罩，简化了工艺流程，降低了工艺成本。
一种绝缘介质刻蚀方法金属通连

[发明专利]一种单行载流子光探测器及其制备方法-CN202210034950.0在审
发明人：李国强;陈亮;王文樑;柴吉星 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：该单行载流子光探测器结构包括：AlN衬底；位于所述衬底上表面的第一金属焊盘、第二金属焊盘和第三金属焊盘；位于所述第一金属焊盘上表面的第一N型电极；位于所述第三金属焊盘上表面的第二N型电极；位于所述第二金属焊盘上表面的P型电极；位于所述P型电极上表面的P型接触层；位于所述P型接触层上表面的电子阻挡层；位于所述电子阻挡层上表面的收集层；位于所述收集层上表面的吸收层；位于所述吸收层、所述第一N型电极和第二N型电极上表面的N型接触层；位于所述N型接触层上表面的抗反射层；所述吸收层为p型梯度掺杂InGaN层。
一种单行载流子探测器及其制备方法

[实用新型]一种具有环保、阻燃的金属墙布-CN201920839263.X有效
发明人：刘立巍 -专利权人：北京美丝华金属装饰有限公司
申请日： 2019-06-05 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： B32B3/24 文献下载
摘要：本实用新型公开一种具有环保、阻燃的金属墙布，包括支撑层，所述支撑层的上表面固定连接有上固定层，支撑层的上表面开设有放置槽，放置槽的内部设有氮气囊，上固定层的上表面固定连接有上阻燃层，上阻燃层的上表面固定连接上金属层，上金属层的上方设有上粘连层，上金属层的上表面与上粘连层的底面粘接，上粘连层的上方设有上布层，上布层的底面与粘连层的上表面粘接，支撑层的底面固定连接有下固定层。本实用新型设计结构合理，它能够保证金属墙布整体平整性的同时，提高金属墙布的美观性，能够避免金属墙布长时间燃烧时对上金属层和下金属层造成损伤，同时避免出现上金属层和下金属层过热对接触人员造成烫伤的现象。
一种具有环保阻燃金属

[发明专利]MOS电容及其制作方法-CN201410107155.5在审
发明人：潘宏菽;马杰 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2014-03-21 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： H01L29/94 文献下载
摘要：本发明公开了一种MOS电容及其制作方法，涉及金属-绝缘体-半导体的电子器件技术领域。所述MOS电容包括硅衬底，还包括位于硅衬底上表面的金属与硅的合金层，所述金属与硅的合金层的上表面设有面积小于合金层的绝缘介质层，在绝缘介质层和绝缘介质层以外的部分合金层的上表面设有多层金属化种子层，绝缘介质层上表面的多层金属化种子层的上表面设有上金属电极，绝缘介质层以外的多层金属化种子层的上表面设有下电极金属引出电极。
mos 电容及其制作方法

[发明专利]一种准垂直型功率器件的结构及其制作方法、芯片-CN202211128870.8在审
发明人：吴龙江 -专利权人：深圳天狼芯半导体有限公司
申请日： 2022-09-16 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明适用于半导体的技术领域，提供一种准垂直型功率器件的结构，准垂直型功率器件的结构包括衬底、缓冲层、第一金属层、绝缘层以及第二金属层：缓冲层位于衬底的上表面，且在水平面上设有多个依次排列的沟槽；第一金属层设置于多个沟槽中且位于多个沟槽的下表面，第一金属层的上表面低于多个沟槽的上表面；绝缘层设置于多个沟槽中且位于第一金属层的上表面；第二金属层位于绝缘层的上表面和缓冲层的上表面；防止了电流集边效应，并提高了耐压能力。
一种垂直功率器件结构及其制作方法芯片

[实用新型]一种高强电容器金属化膜-CN201821289262.4有效
发明人：章阳华;李伟;李正强 -专利权人：安徽长容电子有限公司
申请日： 2018-08-10 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： H01G4/008 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高强电容器金属化膜，包括第一锌金属层、第一铝金属层、第一塑料薄膜层、加强筋、第二锌金属层、第二铝金属层、第二塑料薄膜层；所述第二塑料薄膜层上表面设有第二铝金属层，所述第二铝金属层上表面设有第二锌金属层；所述第二锌金属层上表面设有第一塑料薄膜层，所述第一塑料薄膜层上表面设有第一铝金属层，所述第一铝金属层上表面设有第一锌金属层；所述第一塑料薄膜层与第二塑料薄膜层中间设有加强筋，所述加强筋为尼龙纤维。本实用新型提高了金属化膜金属化强度，能够防止在卷制中出现破损情况，提高电容产品的质量。
塑料薄膜层铝金属层锌金属层上表面加强筋电容器金属化膜本实用新型电容产品金属化膜尼龙纤维金属化卷制破损

[发明专利]一种太阳能电池-CN201310495955.4有效
发明人：丛国芳 -专利权人：溧阳市东大技术转移中心有限公司
申请日： 2013-10-21 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池，具有以下结构：具有衬底，在衬底上依次具有第一过渡金属层，粗化金属层、p型半导体层、n型半导体层、第二过渡金属层、ZnO层以及透明导电层。衬底具有平坦的上表面，第一过渡金属层的上表面与粗化金属层的下表面之间的接触面为第一粗化面，粗化金属层的上表面与p型半导体层的下表面之间的接触面为第二粗化面；p型半导体层的上表面与n型半导体层的下表面之间的接触面为第三粗化面；n型半导体层的上表面与第二过渡金属层的下表面之间的接触面为第四粗化面；第二过渡金属层的上表面与ZnO层的下表面之间的接触面为平坦的接触面；ZnO层的上表面与透明导电层的下表面之间的接触面为平坦的接触面
一种太阳能电池

[发明专利]一种宽带SIW缝隙天线-CN201910674808.0在审
发明人：包晓军;李琳;王育才;刘会涛;刘远曦;辛勇豪 -专利权人：珠海纳睿达科技有限公司
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本申请提出一种宽带SIW缝隙天线，包括：介质基片，包括上表面和下表面；上表面金属层，覆盖在所述介质基片的上表面处；下表面金属层，覆盖在所述介质基片的下表面处；金属化通孔阵列，以指定方向排列在所述介质基片上，并贯穿所述介质基片以开设至所述上表面金属层和所述下表面金属层；矩形缝隙，蚀刻在所述上表面金属层上；以及馈电结构，设置在所述介质基片上并连接至同轴线或同轴接头，以接收外部信号并激励所述宽带SIW缝隙天线向外辐射其中，所述金属化通孔阵列、所述上表面金属层和所述下表面金属层构成一段封闭的基片集成波导腔体。所述金属化通孔阵列排列为包围所述矩形缝隙的矩形，并使得与所述矩形缝隙的长边形成夹角。
介质基片上表面金属层金属化通孔阵列下表面金属层缝隙天线矩形缝隙宽带上表面下表面基片集成波导腔体蚀刻方向排列馈电结构同轴接头同轴线长边覆盖包围辐射封闭贯穿外部申请

[实用新型]一种宽带SIW缝隙天线-CN201921186506.0有效
发明人：包晓军;李琳;王育才;刘会涛;刘远曦;辛勇豪 -专利权人：珠海纳睿达科技有限公司
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2020-03-20 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本申请提出一种宽带SIW缝隙天线，包括：介质基片，包括上表面和下表面；上表面金属层，覆盖在所述介质基片的上表面处；下表面金属层，覆盖在所述介质基片的下表面处；金属化通孔阵列，以指定方向排列在所述介质基片上，并贯穿所述介质基片以及所述上表面金属层和所述下表面金属层；矩形缝隙，蚀刻在所述上表面金属层上；以及馈电结构，设置在所述介质基片上并连接至同轴线，以接收外部信号并激励所述宽带SIW缝隙天线向外辐射。其中，所述金属化通孔阵列、所述上表面金属层和所述下表面金属层构成一段封闭的基片集成波导腔体。所述金属化通孔阵列排列为包围所述矩形缝隙的矩形，并使得与所述矩形缝隙的长边形成夹角。
一种宽带 siw 缝隙天线

[实用新型]一种基于半模基片集成波导的双频段缝隙天线-CN201320482362.X有效
发明人：谭立容;刘豫东;王抗美;张照锋 -专利权人：南京信息职业技术学院
申请日： 2013-08-07 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： H01Q13/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于半模基片集成波导的双频段缝隙天线，包括矩形的介质基片和内壁设有导电金属层的金属通孔，介质基片的上表面设有上表面金属层和馈电微带线，介质基片的下表面设有下表面金属层，下表面金属层上设有条形缝隙，金属通孔沿上表面金属层的边缘分布并围成一个半包围结构，半包围结构构成谐振腔，馈电微带线位于谐振腔开口处，并与上表面金属层相连，上表面金属层和下表面金属层通过金属通孔内壁的导电金属层相连，条形缝隙位于的谐振腔内且长度方向指向谐振腔的开口
一种基于半模基片集成波导双频缝隙天线

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