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[发明专利]一种基于光子晶体反射器的LED发光元件-CN201410081376.X在审
发明人：杨幸明;杨毅彪;邹泽华;温建华;史雪津;乔娜;马瑞霞 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2014-03-07 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明属于光子晶体反射领域，特别是涉及一种基于光子晶体反射器的LED发光元件。一种基于光子晶体反射器的LED发光元件，包括一维光子晶体反射器和LED结构，所述一维光子晶体反射器与LED结构的衬底连接，所述一维光子晶体反射器是绿光一维光子晶体反射器、蓝光一维光子晶体反射器、紫光一维光子晶体反射器中的任意一种，绿光一维光子晶体反射器能高效的全角度反射绿光，蓝光一维光子晶体反射器能高效的全角度反射蓝光，紫光一维光子晶体反射器能高效的全角度反射紫光。
一种基于光子晶体反射 led 发光元件

[发明专利]一种一维光子晶体微球及其制备方法-CN201310081307.4无效
发明人：顾忠泽;刘慈慧;赵远锦;顾洪成 -专利权人：东南大学
申请日： 2013-03-14 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： B01J13/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种一维光子晶体微球，包括球形内核和一维光子晶体，所述一维光子晶体包裹所述球形内核，所述一维光子晶体由不同折射率的介质材料层状有序堆叠而成，所述一维光子晶体交替组装在球形内核表面上，以及所述一维光子晶体微球的制备方法通过上述方式，本发明能够使微球具有一维光子晶体特性。
一种光子晶体及其制备方法

[发明专利]二维光子晶体平板、设计方法及利用此平板的光器件-CN202010151013.4有效
发明人：侯金;杨春勇;陈少平 -专利权人：中南民族大学
申请日： 2020-03-06 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： G02B1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种二维光子晶体平板、设计方法以及利用此平板的光器件。所述二维光子晶体平板包括上包层、下包层和位于所述上包层和所述下包层之间的二维光子晶体核心层。二维光子晶体核心层为有限高的二维光子晶体。所述二维光子晶体平板具有完全光子带隙，其位于上包层和下包层所确定的包层光线以及二维光子晶体平板的类TE模式的最低阶光子能带曲线下方并位于类TM模式的最低阶光子能带曲线上方，并且所述有限高的二维光子晶体所对应的无限高理想二维光子晶体在TM模式的最低阶能带曲线与第二低阶能带曲线之间具有TM偏振态的光子带隙。所述二维光子晶体平板可以在最大折射率比较低的情况下形成完全光子带隙。
二维光子晶体平板设计方法利用器件

[发明专利]光子晶体激光器与光子晶体波导耦合输出方法及输出器-CN200510086955.4无效
发明人：郑婉华;马小涛;任刚;蔡向华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2005-11-23 - 公布日： 2007-05-30 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种使用于光子集成芯片的光子晶体激光器与光子晶体波导耦合输出方法及输出器。该方法包括：1)在半导体芯片上依次放置一二维半导体光子晶体激光器和一二维半导体光子晶体波导；2)利用泵浦源泵浦半导体光子晶体激光器，产生边发射激光；3)所述边发射激光与光子晶体波导耦合，实现二维半导体光子晶体激光器与光子晶体波导耦合输出该耦合输出器包括：二维半导体光子晶体激光器，二维半导体光子晶体波导与所述二维半导体光子晶体激光器依次放置在半导体芯片上，所述二维半导体光子晶体波导的区域与所述二维半导体光子晶体激光器的输出激光场有交叠，
光子晶体激光器波导耦合输出方法

[发明专利]温度调控一维光子晶体产生动态光子晶体的方法-CN200610169886.8无效
发明人：张晓玉;高洪涛;王长涛;邢廷文;姚汉民 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2006-12-30 - 公布日： 2007-07-11 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：温度调控一维光子晶体产生动态光子晶体的方法，以加热炉连接在多层膜结构一维光子晶体上，当加热炉温度改变时，一维光子晶体的温度也发生改变，温度的改变导致膜层材料折射率发生改变，一维光子晶体的光子禁带位置随之发生偏移，形成动态光子晶体。本发明采用温度调制多层膜结构的一维光子晶体产生动态光子晶体，并不涉及二、三维光子晶体结构的制作和液晶材料的填充实验，通过温度调制膜层材料的折射率变化从而使光子带隙发生偏移，并有多种膜层材料可应用于本发明
温度调控光子晶体产生动态方法

[发明专利]光子晶体二维码实体标签及其读取方法-CN201910462084.3在审
发明人：王星泽;赖嘉炜 -专利权人：合刃科技（深圳）有限公司
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： G06K19/06 文献下载
摘要：本发明实施例公开了光子晶体二维码实体标签，包括一衬底，衬底上设置有周期性排列分布的光子晶体单元，光子晶体单元包括反射红光的红光光子晶体单元、反射绿光的绿光光子晶体单元和反射蓝光的蓝光光子晶体单元，光子晶体单元反射光的光谱范围由光子晶体单元的材料、占空比、厚度、边长和周期长度确定；红光光子晶体单元在衬底上的分布与第一二维码对应，绿光光子晶体单元在衬底上的分布与第二二维码对应，蓝光光子晶体单元在衬底上的分布与第三二维码对应；光子晶体二维码实体标签对应的目标二维码信息由第一二维码、第二二维码和第三二维码确定，本发明实施例还公开了针对上述光子晶体二维码实体标签的读取方法，相较于现有技术隐秘性更好。
光子晶体单元二维码衬底光子晶体实体标签红光蓝光读取绿光反射二维码信息周期性排列长度确定反射绿光反射光隐秘性占空比边长光谱

[发明专利]具有光子晶体的构造体和表面发射激光器-CN200810145337.6有效
发明人：长友靖浩;内田武志 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2008-08-07 - 公布日： 2009-02-18 - 主分类号： H01S5/18 文献下载
摘要：一种具有二维光子晶体的构造体，在该构造体中，具有不同折射率的结构以二维周期布置，所述构造体包括沿着与在所述二维光子晶体的平面内方向上传播的光的共振方向垂直的方向发射的结构，其中该构造体包括一维光子晶体，在所述一维光子晶体中，具有不同折射率的构造以一维周期排列，并且，沿着所述二维光子晶体的平面内方向传播的光被所述一维光子晶体的光子带边反射。
具有光子晶体构造表面发射激光器

[发明专利]二维光子晶体面发光激光器-CN202080015129.3在审
发明人：野田进;井上卓也;吉田昌宏;M·德佐萨 -专利权人：国立大学法人京都大学
申请日： 2020-02-04 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01S5/18 文献下载
摘要：二维光子晶体面发光激光器(10)具备：活性层(11)；以及光子晶体层(12)，其具有在配置于活性层(11)的一侧的板状的母材(121)上设置的、作为第1二维光子晶体区域的二维光子晶体光放大部(123)以及作为第2二维光子晶体区域的二维光子晶体光反射部(125)，二维光子晶体光放大部(123)具有放大部光子带隙(15)，该放大部光子带隙(15)是在倒易空间的规定的点具有能带端的2个光子能带之间形成的光子带隙，二维光子晶体光反射部(125)设置于二维光子晶体光放大部(123)的周围，具有反射部光子带隙(16)，该反射部光子带隙(16)是在倒易空间的所述规定的点具有能带端的2个光子能带之间形成的光子带隙，其中，放大部光子带隙(15)的能量范围与反射部光子带隙(16)的能量范围不同且有一部分重叠。
二维光子晶体发光激光器

[发明专利]三维可控缺陷态光子晶体的制备方法-CN02160212.3无效
发明人：田洁;程丙英;张道中 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2002-12-31 - 公布日： 2004-07-21 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：本发明涉及一种三维可控缺陷态光子晶体的制备方法，该方法采用单光束光镊法与自组织法相结合制备可控缺陷态的三维光子晶体。三维光子晶体是由单分散的微粒组成，用光镊控制适当的小球，制成大面积无缺陷的单晶光子晶体。还可以在光子晶体制备的过程中引入缺陷，制备具有可控缺陷态的三维光子晶体。本发明克服了以往单纯自组织生长三维光子晶体无法控制缺陷态的缺点，达到在自组织生长三维光子晶体时缺陷态可以任意设置。该方法易于操作，制作的三维光子晶体的缺陷态控制准确。
三维可控缺陷光子晶体制备方法

[发明专利]一种二维光子晶体及其作为光开关的应用-CN03100044.4无效
发明人：胡小永;王义全;刘元好;程丙英;张道中 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2003-01-07 - 公布日： 2004-07-28 - 主分类号： G02F1/05 文献下载
摘要：本发明涉及一种光子晶体及其作为光开关的应用。本发明提供的一种二维光子晶体，由一二维平面薄膜构成，所述的二维平面薄膜上有呈周期性分布的微腔，所述的微腔之间的距离由晶格常数确定。本发明还提供了一种二维光子晶体作为光开关的应用，泵浦光信号与探测光信号同时到达所述二维光子晶体内的同一区域，改变泵浦光信号强度，使得所述二维光子晶体的光子带隙移动，从而实现对探测光信号的开关作用。本发明的二维光子晶体通过改变晶格常数、孔半径等结构参数，可以实现从可见光到红外波段的二维光子晶体光开关；光子晶体光子带隙改变的响应速度在ps量级；光子晶体制备简单，使用和测量方便。
一种二维光子晶体及其作为开关应用

[发明专利]硅基光子晶体微腔拉曼激光器结构-CN200510086312.X无效
发明人：许兴胜;陈弘达 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2005-08-31 - 公布日： 2007-03-07 - 主分类号： H01S5/32 文献下载
摘要：一种硅基光子晶体微腔拉曼激光器结构，包括：一绝缘体硅材料；一二维光子晶体，该二维光子晶体制作在绝缘体硅材料的上面，位于绝缘体硅材料的中间部分处；一二维光子晶体微腔，该二维光子晶体微腔形成在二维光子晶体的中心处；一P型硅，该P型硅制作在绝缘体硅材料上面的一侧，位于二维光子晶体的一边；一N型硅，该N型硅制作在绝缘体硅材料上面的另一侧，位于二维光子晶体的另一边。本发明二维光子晶体微腔硅基拉曼激光器的结构，该拉曼激光器结构紧凑，模体积小，阈值低，便于与其他器件的集成。
光子晶体微腔拉曼激光器结构

[发明专利]基于一维光子晶体全向反射镜的二次聚光器-CN202110050266.7在审
发明人：钟翔;章宝飞;任杰;邓华夏;陈晓珊;桂栋梁;马孟超 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2021-01-14 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： G02B19/00 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种基于一维光子晶体全向反射镜的二次聚光器，包括基底和镀在所述基底上的一维光子晶体镀层；所述光子晶体镀层包含多个串联的一维光子晶体分层，所述多个串联的一维光子晶体分层具有不同的晶格常数；所述一维光子晶体分层包括折射率不同的两种材料。本发明实施例提出的方案中，利用折射率仅沿一个方向周期性排列的复合结构，即一维光子晶体，可以反射某个波段内任意入射角和任意偏振方向的光，最终形成全向光子带隙。
基于光子晶体全向反射二次聚光器

[实用新型]一种基于叠层一维光子晶体的半透明有机太阳能电池-CN201721834818.9有效
发明人：龙拥兵;钟锦耀;梁文跃;邓海东;徐海涛 -专利权人：华南农业大学
申请日： 2017-12-25 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于叠层一维光子晶体的半透明太阳能电池，包括基底以及依次位于所述基底上的第一电极、第一传输层、光活性层、第二传输层和第二电极。所述的第二电极上设有叠层一维光子晶体，所述的叠层一维光子晶体由顶一维光子晶体和底一维光子晶体叠加而成，所述的顶一维光子晶体位于所述的第二电极和所述的底一维光子晶体之间。通过设置两个一维光子晶体的结构参数，可以调节电池器件的透过率光谱和透视颜色，获得透视颜色为红色、蓝色、绿色等不同颜色的半透明有机太阳能电池。
一维光子晶体叠层第二电极半透明有机太阳能电池传输层基底透视本实用新型太阳能电池第一电极电池器件光活性层结构参数透过率光谱叠加

[发明专利]一种角度无偏一维光子晶体及其制备方法-CN201310081370.8无效
发明人：顾忠泽;刘慈慧;赵远锦;顾洪成 -专利权人：东南大学
申请日： 2013-03-14 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： B01J13/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种角度无偏一维光子晶体，包括平面模板和一维光子晶体，所述平面模板含有凸出球面或凹陷球面，所述一维光子晶体由不同折射率的介质材料层状有序堆叠而成，所述一维光子晶体交替组装在平面模板表面上，以及所述角度无偏一维光子晶体的制备方法通过上述方式，本发明一维光子晶体结构的颜色不随观察视角的改变而发生变化，具有颜色鲜亮，制备简单等优点。
一种角度无偏一维光子晶体及其制备方法

[实用新型]一种光子晶体激光耦合输出器-CN200520114672.1无效
发明人：马小涛;郑婉华;任刚;蔡向华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2005-11-23 - 公布日： 2007-03-28 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种使用于光子集成芯片的光子晶体激光器与光子晶体波导耦合输出器。该耦合输出器包括：二维半导体光子晶体激光器，二维半导体光子晶体波导与所述二维半导体光子晶体激光器依次放置在半导体芯片上，所述二维半导体光子晶体波导的一端与所述二维半导体光子晶体激光器的输出激光场有交叠，
一种光子晶体激光耦合输出

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