[发明专利]外亚甲基降青霉烷类化合物的制造方法无效
| 申请号： | 98802433.0 | 申请日： | 1998-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN1099421C | 公开（公告）日： | 2003-01-22 |
| 发明（设计）人： | 鸟居滋;田中秀雄;龟山丰;德丸祥久 | 申请（专利权）人： | 大冢化学株式会社 |
| 主分类号： | C07D499/06 | 分类号： | C07D499/06;C07D499/00;C07D499/46;A61K31/43 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 隗永良 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 外亚甲基降青霉烷化合物的制造方法，其特征在于用至少等摩尔量的标准氧化还原电位为-0.3(V/SCE)以下的金属以及0.0001～30倍摩尔量的具有比上述金属高的标准氧化还原电位的金属化合物还原通式(1)表示的头孢烯化合物，得到通式(2)表示的外亚甲基降青霉烷化合物。式(1)中R1表示氢原子、氨基或被保护的氨基。R2表示氢原子、卤素原子等。R3表示氢原子或羧酸保护基。X表示卤素原子。式(2)中R1、R2及R3与上述相同。 | ||
| 搜索关键词： | 甲基 青霉 化合物 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.外亚甲基降青霉烷化合物的制造方法，其特征在于用至少等摩尔量的标准氧化还原电位为-0.3(V/SCE)以下的金属以及0.0001～30倍摩尔量的具有比上述金属高的标准氧化还原电位的金属化合物还原通式(1)表示的头孢烯化合物，得到通式(2)表示的外亚甲基降青霉烷化合物，式中R1表示氢原子、氨基或被保护的氨基，R2表示氢原子、卤素原子、低级烷氧基、低级酰基、低级烷基、羟基、被保护的羟基、或者具有羟基或被保护羟基作为取代基的低级烷基，R3表示氢原子或羧酸保护基，X表示卤素原子、可以具有取代基的低级烷基磺酰氧基、可以具有取代基的芳基磺酰氧基或卤代磺酰氧基；式中R1、R2及R3与上述相同。
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- 外亚甲基降青霉烷类化合物的制造方法-98802433.0
- 鸟居滋;田中秀雄;龟山丰;德丸祥久 - 大冢化学株式会社
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- 专利分类
C07 有机化学
C07D 杂环化合物
C07D499-00 杂环化合物，含有4-硫杂-1-氮杂双环［3.2.0］庚烷环系，即含有下式环系的化合物 ，例如，青霉素，青霉烯；这类环系进一步稠合，例如与含氧、含氮或含硫杂环2,3-稠合
C07D499-04 .制备
C07D499-21 .有氮原子直接连在位置6和3个键连杂原子至多1个键连卤素的碳原子，例如酯基或氰基，直接连在位置2
C07D499-86 .只有1个除氮原子外的原子直接连在位置6，3个键连杂原子至多1个键连卤素的碳原子，例如酯基或氰基，直接连在位置2
C07D499-87 .在位置3未取代或在位置3连有除仅两个甲基外的取代基，并有3个键连杂原子至多1个键连卤素的碳原子，例如酯基或氰基，直接连在位置2的化合物
C07D499-88 .在位置2和3之间有双键并有3个键连杂原子至多1个键连卤素的碳原子，例如酯基和氰基，直接连在位置2的化合物
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