[发明专利]单模垂直腔面发射半导体激光器无效
| 申请号： | 98103136.6 | 申请日： | 1998-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN1098552C | 公开（公告）日： | 2003-01-08 |
| 发明（设计）人： | 黄永箴 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种单模垂直腔面发射半导体激光器的器件结构，其结构特征是在激光器的上部布拉格反射器的顶层进行区域选择腐蚀形成一柱形结构，并保证基横模的光强主要限制在柱形中心未腐蚀的区域，而高阶横模则有较大比例的光强分布在顶层部分或全部腐蚀掉的较低反射率区域，达到抑制高阶横模的目的。部分区域腐蚀掉顶层对横向波导的影响几乎可忽略不计，因此横向光场分布可独立控制，有利于选择最佳的控制条件。 | ||
| 搜索关键词： | 单模 垂直 发射 半导体激光器 | ||
【主权项】：
1.一种基横模垂直腔面发射半导体激光器，它包括下部布拉格反射器，含有源区的谐振腔和上部布拉格反射器，其特征在于：在基横模光场分布中心区周围上部布拉格反射器的顶层腐蚀出园形、方形或多边形的环状区域，在环状区域中腐蚀深度可以与顶层厚度相同或腐蚀深度比顶层厚度小10到50纳米；或上部布拉格反射器高折射率的顶层只在基横模光场分布中心区选择生长。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/98103136.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：香菇鱼酱罐头
- 下一篇：一种健脑补肾的口服液
