[发明专利]浸渍型阴极组件及所用的阴极基体、采用这种组件的电子枪组件和电子管无效
| 申请号： | 96195427.2 | 申请日： | 1996-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN1099125C | 公开（公告）日： | 2003-01-15 |
| 发明（设计）人： | 宇田英一郎;樋口敏春;中村修;小山生代美;松本贞雄;大内义昭;小林一雄;须藤孝;本间克久 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01J1/28 | 分类号： | H01J1/28;H01J1/14;H01J9/04;H01J29/04;H01J23/04 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 杜日新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种以浸渍电子发射物使用浸渍型阴极基体的浸渍型阴极组件，它包括大粒径低孔隙率区域；和小粒径高孔隙率区域，其平均粒径小于大粒径低孔隙率区域的平均粒径、其孔隙率大于大粒径低孔隙率区域的孔隙率。 | ||
| 搜索关键词： | 浸渍 阴极 组件 所用 基体 采用 这种 电子枪 电子管 | ||
【主权项】：
1.一种浸渍电子发射物的浸渍型阴极基体，包括：大粒径低孔隙率区域；和设置于大粒径低孔隙率区域的电子发射面上的小粒径高孔隙率区域，其平均粒径小于大粒径低孔隙率区域平均粒径，并且其孔隙率大于大粒径低孔隙率区域的孔隙率。
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