[发明专利]浸渍型阴极组件及所用的阴极基体、采用这种组件的电子枪组件和电子管无效
申请号: | 96195427.2 | 申请日: | 1996-06-06 |
公开(公告)号: | CN1099125C | 公开(公告)日: | 2003-01-15 |
发明(设计)人: | 宇田英一郎;樋口敏春;中村修;小山生代美;松本贞雄;大内义昭;小林一雄;须藤孝;本间克久 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01J1/28 | 分类号: | H01J1/28;H01J1/14;H01J9/04;H01J29/04;H01J23/04 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 杜日新 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 浸渍 阴极 组件 所用 基体 采用 这种 电子枪 电子管 | ||
1.一种浸渍电子发射物的浸渍型阴极基体,包括:大粒径低孔隙率区域;和设置于大粒径低孔隙率区域的电子发射面上的小粒径高孔隙率区域,其平均粒径小于大粒径低孔隙率区域平均粒径,并且其孔隙率大于大粒径低孔隙率区域的孔隙率。
2.如权利要求1所述的浸渍型阴极基体,其特征在于,所述大粒径低孔隙率区域的平均粒径为2至10μm,孔隙率为15%至25%。
3.如权利要求1所述的浸渍型阴极基体,其特征在于,所述小粒径高孔隙率区域的平均粒径为0.1μm至2μm,并且孔隙率为25%至40%。
4.如权利要求1所述的浸渍型阴极基体,其特征在于,所述小粒径高孔隙率区域的厚度小于30μm。
5.如权利要求1所述的浸渍型阴极基体,其特征在于,在所述大粒径低孔隙率区域的电子发射面侧设有线状或点状的所述小粒径高孔隙率区域。
6.如权利要求1所述的浸渍型阴极基体,其特征在于,在从所述大粒径低孔隙率区域至所述小粒径高孔隙率区域上的平均粒径和孔隙率阶段性地变化。
7.如权利要求1至3中任意一项所述的浸渍型阴极基体,其特征在于,在其电子发射面上,还设置包含由铱、锇、铼、钌、铑和钪组成的组中选择的至少一种金属的层。
8.一种制造权利要求1所述的浸渍型阴极基体的方法,其特征在于包括:
形成大粒径低孔隙率的多孔质烧结体的步骤;
在该多孔质烧结体的电子发射面上形成小粒径高孔隙率区域,其平均粒径小于该大粒径低孔隙率区域的平均粒径,其孔隙率大于该大粒径低孔隙率区域的孔隙率,而获得多孔质阴极部件的步骤;
切断该多孔质部件,形成多孔质阴极基体的步骤;和
在该多孔质阴极基体中浸渍电子发射物的步骤。
9.如权利要求8所述的方法,其特征在于,用选自印刷法、旋涂法、喷涂法、电解沉淀法和溶射法中的方法形成所述小粒径高孔隙率区域。
10.一种制造权利要求1所述的浸渍型阴极基体的方法,其特征在于包括:
形成作为大粒径低孔隙率的多孔质烧结体的步骤;
在该多孔质烧结体的电子发射面上形成小粒径高孔隙率区域,其平均粒径小于该大粒径低孔隙率区域的平均粒径,其孔隙率大于该大粒径低孔隙率区域的孔隙率,从而获得多孔质阴极部件的步骤;
在该多孔质阴极部件的电子发射面上,配置由具有1200℃以下熔点的金属和合成树脂构成的组中选出的填充材料的步骤;
用熔化该填充材料得到的温度加热配置了所述填充材料的多孔质阴极部件,在该多孔质阴极部件内浸渍该填充材料的步骤;
按预定大小切断或冲切所述多孔质阴极部件,形成多孔质阴极基体的步骤;
对该多孔质阴极基体进行抛光处理,除去毛边和污物的步骤;
从该抛光处理的多孔质阴极基体中除去所述填充材料的步骤;和
在除去填充材料的该多孔质阴极基体中浸渍电子发射物的步骤。
11.一种制造权利要求1所述的浸渍型阴极基体的方法,其特征在于包括:
形成作为大粒径低孔隙率区域的高熔点金属的多孔质烧结体的步骤;
预备平均粒径小于该大粒径低孔隙率区域的平均粒径的高熔点金属粉末,以及选自由包含熔点低于1200℃的金属和合成树脂构成的填充剂组中的至少一种膏的步骤;
在作为所述大粒径低孔隙率区域的高熔点金属多孔质烧结体的电子发射面上涂敷该膏的步骤;
用熔化所述填充剂得到的温度加热涂敷该膏的大粒径低孔隙率区域的高熔点金属多孔质烧结体,在该高熔点金属多孔质烧结体上,形成小粒径高孔隙率区域,其平均粒径小于该大粒径低孔隙率区域的平均粒径,其孔隙率大于该大粒径低孔隙率区域的孔隙率,从而获得多孔质阴极部件的步骤;
对该多孔质阴极基体进行抛光处理,除去毛边和污物的步骤;
从该抛光处理的多孔质阴极基体中除去所述填充材料的步骤;和
在除去填充材料的该多孔质阴极基体中浸渍电子发射物的步骤。
12.一种浸渍型阴极组件,其特征在于包括权利要求1至7中任一项所述的浸渍型阴极基体。
13.如权利要求12所述浸渍型阴极组件,其特征在于,所述浸渍型阴极组件用于阴极射线管。
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