专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]钪酸盐扩散阴极-CN200580043917.9无效
  • G·F·格特纳;E·克莱因 - 皇家飞利浦电子股份有限公司
  • 2005-12-13 - 2007-12-05 - H01J1/28
  • 一种钪酸盐扩散阴极,其具有设置在阴极支座(3)上的阴极体(4)、阴极涂层(5,6),以及设置在阴极体(4)和层体系(6)之间的活化加速层体系(5),其中所述阴极涂层包括由铼或铼合金(61)的一个或多个交替层和氧化钪或钪合金(62)的一个或多个交替层组成的层体系(6),所述活化加速层体系包括由碱土金属氧化物组成的至少一个释放层(52)和活化剂层体系(51),其中所述碱土金属氧化物优选氧化钡,所述活化剂层体系(51)由抗氧化性比所述阴极体的材料大的阻隔材料和用于还原所述碱土金属氧化物的活化剂材料组成,其中所述活化剂材料优选氧化钡。
  • 钪酸盐扩散阴极
  • [发明专利]储备式阴极-CN200480007122.8无效
  • 皮特·克鲁特;斯蒂恩·W·H·K·斯蒂恩布林克 - 迈普尔平版印刷IP有限公司
  • 2004-02-13 - 2006-09-06 - H01J1/28
  • 一种储备式阴极,其包括发射表面,当被加热时,用于释放功函数降低颗粒材料的储腔,和至少一个用于允许功函数降低颗粒从所述储腔扩散到所述发射表面的通道,所述发射表面包括至少一个发射区域和至少一个非发射区域,该非发射区域涂覆有发射抑制材料并包围每个发射区域,所述非发射区域包括至少一个通道,该通道连接所述储腔和所述非发射区域,并在距离发射区域扩散长度的范围内开口,以便允许功函数降低颗粒从所述储腔扩散到所述发射区域。
  • 储备阴极
  • [发明专利]浸渍型阴极单元及其制造方法-CN01805318.1无效
  • 今林大智 - 索尼公司
  • 2001-12-26 - 2003-03-19 - H01J1/28
  • 一种浸渍型阴极结构及制造该结构的方法,该阴极结构能够不利用插入件而牢固将多孔基体金属连接到帽体上并能够通过消除出现有缺陷焊接而提高多孔基体金属和帽体之间的焊接可靠性和生产率,该浸渍型阴极结构包括浸渍以发射材料的多孔基体金属(11)和使得多孔基体金属(11)的表面暴露出来并固定多孔基体金属(11)以便覆盖其底面和侧面的帽体(12),其中,非多孔致密部分(14)形成在多孔基体金属(11)的底面上,紧密配合区域(16)通过沿着致密部分(14)的外形压变形帽体(12)的底部而形成,且帽体(12)的底部在该紧密配合区域(16)内焊接到多孔基体金属(11)的致密部分(14)上。
  • 浸渍阴极单元及其制造方法
  • [发明专利]阴极用浸渍圆片及其生产方法-CN93108001.0无效
  • 李庆相 - 株式会社金星社
  • 1993-06-26 - 1999-07-14 - H01J1/28
  • 按照本发明的一种阴极用浸渍圆片,它是通过如下步骤来生产的;将许多金属条排放在难熔金属制成的两端敞开的圆筒内以形成许多孔隙;用电子发射材料浸灌这些孔隙制备成棒形圆片坯材;将此棒形圆片坯材切割成有预定厚度的各浸渍圆片;以及用振动和倾斜工作板的工序修整这些圆片的表面。这种浸渍圆片能广泛地应用于阴极射线管、电子管和类似的要求高电流密度的器件中。
  • 阴极浸渍及其生产方法

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