[发明专利]用于超高真空的永磁体及其制造方法无效

专利信息
申请号: 96192129.3 申请日: 1996-12-20
公开(公告)号: CN1091537C 公开(公告)日: 2002-09-25
发明(设计)人: 菊井文秋;池上雅子;吉村公志 申请(专利权)人: 住友特殊金属株式会社
主分类号: H01F1/04 分类号: H01F1/04;H01F41/02
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 徐汝巽
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 为了提供可用于超高真空气氛的永磁体,所述磁体可用于要求低于1×10-9Pa的超高真空气氛的波动器,具有优异的磁性能,并涂敷致密的附着膜,避免产生气体或者排出气体;利用以下顺序的工艺在R-Fe-B系永磁体表面涂敷各种膜,亦即,(1)利用离子溅射法清洁磁体表面区域,(2)通过薄膜形成技术例如离子镀法形成Ti下涂层,(3)利用薄膜形成技术例如离子镀法,在氩气和氮气的混合气体中,形成具有朝向Ti涂敷层缓慢增大的氮浓度的氮扩散层(TiNx,x=0~1);或者利用离子镀法在Ti涂敷层上形成Al涂敷层;或者利用离子反应技术,在N2气氛中在所述Al涂敷层上形成AlN涂敷膜;或者在含N2气氛中提供离子反应镀法,在Al涂敷层上形成复合化合物Ti1-xAlxN。#!
搜索关键词: 用于 超高 真空 永磁体 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种R-Fe-B系合金制成的可用于超高真空的磁体,具有涂敷于所述磁体表面层上的Ti层作为下涂敷层、和AlN涂敷层或Ti1-xAlxN涂敷层(x:0.03~0.70)中任一种作为外涂敷层,其中在所述的下涂敷层和外涂敷层之间插入铝涂敷层作为中间层。
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