[发明专利]用于高频电路的具有低介电常数的玻璃组合物无效
| 申请号： | 96122504.1 | 申请日： | 1996-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN1130315C | 公开（公告）日： | 2003-12-10 |
| 发明（设计）人： | 川上弘伦;谷広次 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | C03C4/16 | 分类号： | C03C4/16;C03C3/089 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 林蕴和 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明揭示了一种用于高频电路的具有低介电常数的玻璃组合物，它含有SiO2，并含有B2O3和K2O中的至少一种，各组分的比例位于SiO2、B2O3和K2O三元系统组分图中A点(65，35，0)、B点(65，20，15)、C点(85，0，15)和D点(85，15，0)连线所包围的区域内。所述玻璃组合物可掺有少量澄清剂，以降低熔点和玻璃软化点。作为绝缘材料，它特别适合用于小型快速电子装置和设备中的高频电路。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 高频 电路 具有 介电常数 玻璃 组合 | ||
【主权项】：
1.一种玻璃组合物，它含有SiO2，并含有B2O3和K2O中的至少一种，各组分的比例位于SiO2、B2O3和K2O三元系统组分图中A点(65，35，0)，B点(65，20，15)，C点(85，0，15)和D点(85，15，0)连线所包围的区域内；它还含有至少一种选自As2O3，As2O5，Sb2O3和Na2SO4的澄清剂，澄清剂的数量为少于SiO2，B2O3和K2O的总重量的2％。
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