[发明专利]高频器件用玻璃基板和高频器件用电路基板在审
申请号: | 201780056271.0 | 申请日: | 2017-08-30 |
公开(公告)号: | CN109715576A | 公开(公告)日: | 2019-05-03 |
发明(设计)人: | 小野和孝;野村周平;木寺信隆;竹下畅彦 | 申请(专利权)人: | AGC株式会社 |
主分类号: | C03C4/16 | 分类号: | C03C4/16;C03C3/078;C03C3/083;C03C3/089;C03C3/091;C03C19/00;H05K1/03 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李书慧;赵青 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的玻璃基板(2),以氧化物基准的摩尔百分率计,在0.001~5%的范围内含有碱金属氧化物,并且碱金属氧化物中由Na2O/(Na2O+K2O)表示的摩尔比为0.01~0.99的范围,且在合计含量1~40%的范围内含有Al2O3和B2O3,并且由Al2O3/(Al2O3+B2O3)表示的摩尔比为0~0.45的范围,以SiO2为主成分。玻璃基板(2)的至少一个主表面的表面粗糙度以算术平均粗糙度Ra的值计为1.5nm以下且35GHz下的介电损耗角正切为0.007以下。 | ||
搜索关键词: | 玻璃基板 碱金属氧化物 高频器件 摩尔比 介电损耗角正切 算术平均粗糙度 表面粗糙度 摩尔百分率 氧化物基准 主表面 路基 | ||
【主权项】:
1.一种高频器件用玻璃基板,是以SiO2为主成分的玻璃基板,以氧化物基准的摩尔百分率计,在合计含量0.001~5%的范围内含有碱金属氧化物,并且所述碱金属氧化物中由Na2O/(Na2O+K2O)表示的摩尔比为0.01~0.99的范围,另外在合计含量1~40%的范围内含有Al2O3和B2O3,并且由Al2O3/(Al2O3+B2O3)表示的摩尔比为0~0.45的范围,所述玻璃基板的至少一个主表面的表面粗糙度以算术平均粗糙度Ra的值计为1.5nm以下且35GHz下的介电损耗角正切为0.007以下。
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