[其他]光电导膜无效
| 申请号： | 85104072 | 申请日： | 1985-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN85104072B | 公开（公告）日： | 1988-02-24 |
| 发明（设计）人： | 谷冈健吉;设乐圭一;栗山孝夫;高崎幸男;平井忠明;野中育光;井上荣神 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所;日本放送协会 |
| 主分类号： | H01J29/45 | 分类号： | H01J29/45;H01J31/38;H01L31/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 吴大建,全菁 |
| 地址： | 日本东京都千*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明披露了有关光电导型摄象管靶的光电导膜的一种结构。此类光电导膜主要由Se制成并在其中央部分掺杂Te而形成。除此，将据认为可以形成俘获Se中电子的深陷阱能级之As；以及通过俘获Se中的电子形成负空间电荷的GaF3等可添加到存在有Te的区域。另外，于存在有GaF3等的区域中选定了较以往所用的为薄的膜层厚度(不小于20埃且不大于90埃)。 | ||
| 搜索关键词： | 电导 | ||
【主权项】：
1.一种主要由Se组成的且在光电导层厚度方向上的一部分中掺杂碲使其敏化的光电导膜，其中，在面对扫描电子束的一面邻近于掺碲区域的部分区域上，含有至少一种这样的物质，该物质选自在硒中能形成负空间电荷的氧化物和氟化物以及属于第II、III或VII族的且能在硒中形成负空间电荷的元素，其浓度按重量百分数的平均值计算，不小于10ppm，而又不大于1％，其特征在于：包含能在硒中形成负空间电荷的掺杂物的薄层置于与碲掺杂区相接触的位置上，并且其厚度不小于20A，而又不大于90A。
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- 本发明公开一种摄象管靶，它包括一层在透明基片上形成的N型导电薄膜、一层与该N型导电薄膜构成整流接触的P型光电导薄膜和一个电子束射击层；所述P型光电导薄膜包括含有砷和硒的、按次序命名的第一层、第二层和第三层，其中第一层中砷的平均浓度低于8％(按重量计)，第二层和第三层的砷的浓度在8％至20％的范围内(按重量计)，并且第三层的厚度在所述P型光电导薄膜的总厚度的5％至50％的范围内。
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