[其他]光电导膜无效
| 申请号： | 85104072 | 申请日： | 1985-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN85104072B | 公开（公告）日： | 1988-02-24 |
| 发明（设计）人： | 谷冈健吉;设乐圭一;栗山孝夫;高崎幸男;平井忠明;野中育光;井上荣神 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所;日本放送协会 |
| 主分类号： | H01J29/45 | 分类号： | H01J29/45;H01J31/38;H01L31/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 吴大建,全菁 |
| 地址： | 日本东京都千*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电导 | ||
1、一种主要由Se组成的且在光电导层厚度方向上的一部分中掺杂碲使其敏化的光电导膜，其中，在面对扫描电子束的一面邻近于掺碲区域的部分区域上，含有至少一种这样的物质，该物质选自在硒中能形成负空间电荷的氧化物和氟化物以及属于第Ⅱ、Ⅲ或Ⅶ族的且能在硒中形成负空间电荷的元素，其浓度按重量百分数的平均值计算，不小于10ppm，而又不大于1%，其特征在于：包含能在硒中形成负空间电荷的掺杂物的薄层置于与碲掺杂区相接触的位置上，并且其厚度不小于20A，而又不大于90A。
2、按照权利要求1所述的光电导膜，其中，在硒内形成负空间电荷的前述氧化物至少是选自CuO、In2O3、SeO2、V2O5、MoO3和WO3中的一种，而在硒中形成负空间电荷的前述氟化物，则至少是GaF3或InF3中的任一种，且所说的属于Ⅱ、Ⅲ或Ⅶ族中的于硒中能形成负空间电荷的元素，则为选自Zn、Ga、In、Cl、I和Br中的至少一种。
3、根据权利要求2所述的光电导膜，其中，厚度不低于20埃且不大于500埃的区域与上述至少掺杂有碲的区域邻接，其中含有至少一种选自As、Bi、Sb、Ge和Si的元素，其浓度按重量百分数平均值计算不小于1%且不大于30%。
4、根据权利要求3所述的光电导膜，其中，至少有一种选自LiF、MgF2、CaF2、AlF3、CrF3、MnF2、CoF2、PbF2、BaF2、CaF3和TlF的组分包含在以下区域的至少一部分中，此区域吸收入射光并产生绝大部分的信号电流以使所含组分的浓度按重量百分数平均值计算不小于50ppm，且不大于5%。
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