[其他]摄象管靶无效
申请号: | 87104843 | 申请日: | 1987-07-11 |
公开(公告)号: | CN87104843A | 公开(公告)日: | 1988-01-27 |
发明(设计)人: | 云内高明;野中育光;井上荣典 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立制作所 |
主分类号: | H01J29/45 | 分类号: | H01J29/45 |
代理公司: | 中国专利代理有限公司 | 代理人: | 何耀煌,曹济洪 |
地址: | 日本东*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种摄象管靶,它包括一层在透明基片上形成的N型导电薄膜、一层与该N型导电薄膜构成整流接触的P型光电导薄膜和一个电子束射击层;所述P型光电导薄膜包括含有砷和硒的、按次序命名的第一层、第二层和第三层,其中第一层中砷的平均浓度低于8%(按重量计),第二层和第三层的砷的浓度在8%至20%的范围内(按重量计),并且第三层的厚度在所述P型光电导薄膜的总厚度的5%至50%的范围内。 | ||
搜索关键词: | 象管 | ||
【主权项】:
1、一种摄象管靶,其特征在于包括:-一层在透明基片上形成的N型导电薄膜,-一层与所述N型导电薄膜构成整流接触的P型光电导薄膜,所述P型光电导薄膜包括含有砷和硒的、按次序命名的第一层、第二层和第三层,其中第一层中砷的平均浓度低于8%(按重量计),第二层和第三层的砷的浓度在8%至20%(按重量计)的范围内,并且第三层的厚度在所述P型光电导薄膜总厚度的5%至50%的范围内,以及-一个电子束射击层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日立制作所,未经株式会社日立制作所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/87104843/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 摄象管靶-87104843.4
- 云内高明;野中育光;井上荣典 - 株式会社日立制作所
- 1987-07-11 - 1989-07-05 -
- 本发明公开一种摄象管靶,它包括一层在透明基片上形成的N型导电薄膜、一层与该N型导电薄膜构成整流接触的P型光电导薄膜和一个电子束射击层;所述P型光电导薄膜包括含有砷和硒的、按次序命名的第一层、第二层和第三层,其中第一层中砷的平均浓度低于8%(按重量计),第二层和第三层的砷的浓度在8%至20%的范围内(按重量计),并且第三层的厚度在所述P型光电导薄膜的总厚度的5%至50%的范围内。
- 专利分类