[发明专利]一种RGB器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202310939583.3 | 申请日： | 2023-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN116936705A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 王思维;方士伟;葛明月 | 申请（专利权）人： | 星钥（珠海）半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/24 | 分类号： | H01L33/24;H01L33/06;H01L33/00;H01L27/15 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郑晓璇 |
| 地址： | 519000 广东省珠海市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了一种RGB器件及其制备方法，该器件包括由多步刻蚀工艺依次连接的基底缓冲层、n型氮化镓层、多量子阱结构、p型氮化镓层和电极连接层；所述基底缓冲层通过隔离层与所述p型氮化镓层及多量子阱结构隔离；所述电极连接层在非连接位置通过隔离层与所述p型氮化镓层及基底缓冲层隔离，并通过隔离层与外部隔离；所述n型氮化镓层和p型氮化镓层均与所述多量子阱结构接触，以使n型氮化镓和p型氮化镓与多量子阱结构顶部或四周接触。本发明所制备的RGB器件，通过多步刻蚀工艺令n型氮化镓和p型氮化镓均与多量子阱结构接触，其顶部及四周均可发光，可以有效增加器件单位面积内可排布的像素点，有利于RGB器件进一步微型化应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 rgb 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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