[发明专利]一种C/SiC复合材料基底薄膜传感器用绝缘层及其制备方法

摘要

本发明属于薄膜传感器设计与生产技术领域，具体为一种C/SiC复合材料基底薄膜传感器用绝缘层及其制备方法。是利用相似化学键能够形成键过渡这一特点:采用SiO2薄膜层作为填补层、采用Si3N4薄膜层作为缓冲层，依次设于C/SiC复合材料基底上后，三者具有相同Si元素，存在类似化学键，使其在各自界面处可形成键过渡，使整个绝缘层具有良好的附着力。阻挡层采用Al2O3薄膜层，绝缘层选择以Al2O3为主要成分材料制备且设于阻挡层之上，同样利用绝缘层材料与Al2O3化学成分相近这一特点，在界面处形成化学键合，提高绝缘层与Al2O3阻挡层之间的附着力。从而实现薄膜传感器在高温高压恶劣环境下的稳定性和可靠性的提升。