[发明专利]一种发光二极管器件及发光元件在审
申请号: | 202310806090.2 | 申请日: | 2020-04-09 |
公开(公告)号: | CN116936702A | 公开(公告)日: | 2023-10-24 |
发明(设计)人: | 蔡琳榕;杨力勋;曾信义;朱立钦 | 申请(专利权)人: | 厦门市三安光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/20 | 分类号: | H01L33/20;H01L33/12;H01L33/44;H01L33/00 |
代理公司: | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人: | 李兰 |
地址: | 361009 福建省厦*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明公开了一种发光二极管器件及发光元件,不仅适用于垂直结构的发光二极管器件,还适用于水平结构、高压结构等其他系列的发光二极管器件。该发光二极管器件包括基板以及位于基板的上表面的多个台面结构,该台面结构包括位于发光区域的发光二极管台面和位于切割区域的切割区台面,发光二极管台面与切割区台面间隔排列,切割区域包括切割道以及间隔区,切割道内部的反射金属层、牺牲层和第一绝缘层呈梯形分布,这种梯形分布的方式有效改善了切割道处应力的连续方向,减小了应力的持续累积,进而减少或者消除了应力纹及半导体外延层易剥离、易脱落的异常,能够有效改善发光二极管器件的外观良率,提高发光二极管器件的产品品质。 | ||
搜索关键词: | 一种 发光二极管 器件 发光 元件 | ||
【主权项】:
暂无信息
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