[发明专利]一种深度可拓展的先进先出存储装置在审
申请号: | 202310415612.6 | 申请日: | 2023-04-18 |
公开(公告)号: | CN116400882A | 公开(公告)日: | 2023-07-07 |
发明(设计)人: | 张林;颜炳佳 | 申请(专利权)人: | 上海磐启微电子有限公司 |
主分类号: | G06F5/10 | 分类号: | G06F5/10;G11C7/10 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 吴轶淳 |
地址: | 200120 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种深度可拓展的先进先出存储装置,涉及存储器技术领域,包括:标准先进先出存储器,具有内部写使能端口、内部写数据端口和内部写满信号端口;写深度拓展模块,具有预设的拓展深度的数据存储空间,写深度拓展模块外部写使能信号有效且内部写满信号端口输出的内部写满信号无效时,控制内部写使能端口有效,以使得外部写入电路直接向内部写数据端口写入数据,以及在外部写使能信号有效且内部写满信号有效时,控制内部写使能端口无效,以缓存外部写入电路写入的具有拓展深度的数据,随后在内部写满信号无效时,控制内部写使能端口有效,以将缓存的数据写入标准先进先出存储器。有益效果是可以调整FIFO深度为任意值。 | ||
搜索关键词: | 一种 深度 拓展 先进 存储 装置 | ||
【主权项】:
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