[发明专利]MEMS惯性系统高密度低应力集成方法在审

专利信息
申请号: 202211423053.5 申请日: 2022-11-14
公开(公告)号: CN115767948A 公开(公告)日: 2023-03-07
发明(设计)人: 尚克军;陈安升;扈光锋;侯凤霞;莫平;刘垒;袁书博;王康;林梦娜 申请(专利权)人: 北京自动化控制设备研究所
主分类号: H05K3/32 分类号: H05K3/32;H05K3/30
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100074 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了MEMS惯性系统高密度低应力集成方法,其特征在于,电路板通过MEMS惯性仪表陶瓷管壳粘接在金属结构件上;粘胶的金属结构件表面通过喷砂打磨;电路板之间通过柔性线互联,柔性线通过胶粘固定于金属结构上;采用高温老化、快变温和随机振动方法加速应力释放。本发明在保证集成度的条件下,降低了集成应力,并减少了变温、振动以及长时间使用过程中的应力变化带来的微机电惯性仪表参数变化。
搜索关键词: mems 惯性 系统 高密度 应力 集成 方法
【主权项】:
暂无信息
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