[发明专利]一种纳米相增强的TiNiCuHfZr高熵形状记忆合金及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202211391924.X 申请日: 2022-11-08
公开(公告)号: CN115725888B 公开(公告)日: 2023-10-27
发明(设计)人: 赵光伟;邹海峰;李达;徐虎;黄才华;方东;叶永盛;吴海华 申请(专利权)人: 三峡大学
主分类号: C22C30/02 分类号: C22C30/02;C22C1/02;C22F1/00
代理公司: 宜昌市三峡专利事务所 42103 代理人: 王玉芳
地址: 443002 *** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及形状记忆合金技术领域,尤其涉及一种纳米相增强的TiNiCuHfZr高熵形状记忆合金及其制备方法。本发明提供的TiNiCuHfZr高熵高强度形状记忆合金按原子百分比计以下化学成分:Ti 30%~39%、Ni 44%、Hf 10%、Cu 6%、Zr 1%~10%。所述合金通过以下方法制备:将按成分配比的Ti、Ni、Hf、Cu、Zr原料置于真空电弧熔炼炉中,反复熔炼得到合金锭,将铸态TiNiCuHfZr高熵记忆合金进行固溶处理与时效处理,即可获得纳米相增强的TiNiCuHfZr高熵形状记忆合金。本发明制备的高熵形状记忆合金与已有技术相比,具有显著提高的屈服强度、输出应力与输出功。另外制备工艺便捷,只需电弧熔炼与低温短时的热处理,无需长时间均匀化热处理与塑性变形加工,易于操作,具有非常好的应用前景。
搜索关键词: 一种 纳米 增强 tinicuhfzr 形状 记忆 合金 及其 制备 方法
【主权项】:
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