[发明专利]一种硅光芯片端面耦合器及其输出控制方法在审
申请号: | 202211326267.0 | 申请日: | 2022-10-27 |
公开(公告)号: | CN115639646A | 公开(公告)日: | 2023-01-24 |
发明(设计)人: | 刘亚东;马可;蔡鹏飞 | 申请(专利权)人: | NANO科技(北京)有限公司 |
主分类号: | G02B6/26 | 分类号: | G02B6/26;G02B6/12;G02B6/122;G02B6/125;G02B6/14 |
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地址: | 100000 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开一种硅光芯片端面耦合器,包括:输入单元、传输波导、输出波导、分束模块;输入单元包括:两个并列设置且相互对称的倒锥形波导。本发明还公开一种硅光芯片端面耦合器的输出控制方法,应用于该端面耦合器。本发明的结构设计可有效降低光波导内的光功率密度,不仅提高了端面耦合器的输入光功率承受上限,而且增大器件整体损耗的对准容差,同时简化光路,降低成本,提高系统可靠性。在器件整体插损无明显劣化的情况下,通过控制水平方向上光源中心线到端面耦合器中心线的距离Δx,实现输出端口功分比在一定范围内变化的控制,同时在Δx有变化的情况下,实现多通道均衡输出。 | ||
搜索关键词: | 一种 芯片 端面 耦合器 及其 输出 控制 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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