[发明专利]一种直流电源防反接保护电路有效
| 申请号： | 202211243723.5 | 申请日： | 2022-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN115313345B | 公开（公告）日： | 2023-01-10 |
| 发明（设计）人： | 王威;熊亚丽;彭亭;李姣艳;叶冯彬 | 申请（专利权）人： | 成都新欣神风电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H02H11/00 | 分类号： | H02H11/00;H02H7/00 |
| 代理公司： | 成都行之智信知识产权代理有限公司 51256 | 代理人： | 王伟 |
| 地址： | 610000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种直流电源防反接保护电路，涉及大功率电路的防反接保护，包括：防反接模块，与电源正线和负载连接，所述防反接模块包括N沟道场效应管；所述N沟道场效应管的源极与电源正线连接，漏极与负载连接；升压模块，所述升压模块的输出端与N沟道场效应管的栅极连接，用于为防反接模块提供升压后的驱动电压；低频驱动模块，所述低频驱动模块的输出端与升压模块的输入端连接，所述低频驱动模块产生低频驱动信号，用于驱动升压模块；第二二极管D2，阴极与电源负线连接；所述第二二极管D2的阳极与低频驱动模块连接；所述低频驱动模块通过第二二极管D2与电源负线连接，在保护后级负载的同时，也保护了防反接保护电路本身。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 直流电源 反接 保护 电路 | ||
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- 发明公开了一种DC电源的输入防反接电路，输入电容的正极接直流输入端的正极；两个MOS管的源极相连，第一MOS管的漏极接直流输入端的负极，第二MOS管的漏极接输入电容的负极；浪涌抑制热敏电阻与第二MOS管并联，辅助电源由输入电容供电，MOS管驱动电路包括分压电路和PNP三极管，MOS管的栅极通过上拉电阻接辅助电源的正极；分压电路接在直流输入端的正极与负极之间，PNP三极管的发射极接MOS管的栅极，PNP三极管的基极接分压电路的电压信号输出端，PNP三极管的集电极接直流输入端的负极。本发明通过辅助电源及输入电压分压实现对MOS的开通及关断，解决了在电源空载情况进行快速开关动作时损毁MOS管的问题，防反接电路的可靠性好。
- 防电池接反的保护电路-202321233075.5
- 郑洪明;臧永昌;赖志杰 - 深圳市江元科技（集团）有限公司
- 2023-05-22 - 2023-08-29 - H02H11/00
- 本实用新型实施例公开了一种防电池接反的保护电路，包括主板负载电路和用于连接电池的主板PCB电池接口，还包括PMOS管，PMOS管的G极连接主板负载电路的输入端负极和主板PCB电池接口的负极，PMOS管的S极连接主板负载电路的输入端正极，PMOS管的D极连接主板PCB电池接口的正极。本实用新型的成本极低，只需一颗低内阻PMOS管或NMOS管即可实现：本实用新型的通路损耗压降在0.05V左右，对电路整体功耗影响极小忽略不计；本实用新型有效的保护了主板负载电路，对主板layout布局几乎无影响。
- 一种具备电路接通前自检功能的紧急电路保护装置-202320189529.7
- 李鹏;马彦彬;方要辉;张玉林;魏鑫元 - 利德世普科技有限公司
- 2023-02-10 - 2023-08-29 - H02H11/00
- 本实用新型公开了一种具备电路接通前自检功能的紧急电路保护装置，包括壳体，所述壳体的右部有两个插口，每个所述插口的右侧均设有一个可打开的护壳，所述壳体的左部外侧开设有两个第一接口，每个所述第一接口均可用于连接家庭电路，所述壳体的左部内侧开设有两个第二接口，所述壳体上安装有电路检测装置，所述壳体的内部安装有一个推动机构，所述壳体的内部设有两个第一电机，每个所述第一电机的输出轴均固定有一个转动扇叶，平时对插口进行保护，防止插口内积攒灰尘，当设备短路时可以推出设备插头，断开电路，并保护插头，防止插头掉落受到损坏，对装置内部进行通风散热，避免装置内部温度过高影响装置使用。
- 防反接电路、电源电路以及车辆-202222821872.7
- 陈振兴;郑会强;邓召凯;黄岩 - 上海桔晟科技有限公司
- 2022-10-25 - 2023-08-29 - H02H11/00
- 本公开的实施例提供了一种防反接电路、电源电路以及车辆。该防反接电路包括：输入端和输出端；第一和第二NMOSFET，串联在输入端与输出端之间，第一NMOSFET的漏极连接至输入端，第一NMOSFET的源极连接至第二NMOSFET的源极，第二NMOSFET的漏极连接至输出端；第一防反接单元，连接至输入端，以在防反接电路处于正常连接状态时导通，而在防反接电路处于反接状态时关断；升压电路，连接至第一防反接单元，以在防反接电路处于正常连接状态时将正电源电压升压至比正电源电压高的驱动电压；第二防反接单元，连接至升压电路以及第一和第二NMOSFET的栅极，以在防反接电路处于正常连接状态时将驱动电压提供至第一和第二NMOSFET的栅极，而在防反接电路处于反接状态时使第一和第二NMOSFET关断。
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