[发明专利]一种基于光谱调制的高动态范围成像方法在审
| 申请号： | 202211212042.2 | 申请日： | 2022-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN115633264A | 公开（公告）日： | 2023-01-20 |
| 发明（设计）人： | 宋玲玲;陈新华;赵哲承 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | H04N25/57 | 分类号： | H04N25/57;H04N25/71;G02B26/08 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 陶海锋 |
| 地址： | 215137 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于光谱调制的高动态范围成像方法。目标场景的反射光线经会聚后进入分光系统，得到的光谱信息由分束器分为检测光束和成像光束，检测光束进入图像传感器，由处理模块依据目标场景的光谱信息，通过曝光时间和所要增加的驻留时间生成若干个连续的光谱调制编码板依次作用于数字微镜DMD；成像光束入射至数字微镜DMD，通过光谱调制编码板控制数字微镜DMD的翻转，使成像光束中不同光谱强度的光线驻留时间不同，实现光谱调制后成像光束再经合光系统合光，将高动态范围的图像成像在探测器上，得到目标场景的全色图像，克服了因探测器接收的动态范围有限而出现过曝或欠曝的现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 光谱 调制 动态 范围 成像 方法 | ||
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- 胡泽望;张盛鑫 - 思特威（上海）电子科技股份有限公司
- 2022-08-31 - 2023-04-18 - H04N25/57
- 本实用新型提供一种高动态范围图像传感器及电子设备，在半导体衬底中形成具有不同灵敏度的第一光电转换元件及第二光电转换元件，并在第一光电转换元件朝向入射光的一侧形成包括光偏转介质层的光偏转结构，由于光偏转介质层的折射率小于周围的半导体衬底，从而光偏转结构使得预进入第一光电转换元件中的部分光线进入第二光电转换元件中。本实用新型通过光偏转结构使预进入第一光电转换元件的光线的横向传播分量增益，使得预进入第一光电转换元件的光线可以进入第二光电转换元件，从而可以进一步降低第一光电转换元件对光的吸收，以更大程度上避免过曝，从而更容易实现图像传感器的高动态范围。
- 成像装置和电子装置-202211487422.7
- 朝妻智彦;石田実 - 索尼公司
- 2017-02-24 - 2023-04-07 - H04N25/57
- 本发明涉及成像装置和电子装置。其中，成像装置可包括：第一光电转换单元，生成第一电荷；第二光电转换单元，生成第二电荷；电荷电压转换单元，累积第一电荷；电荷累积单元，累积第二电荷；第一传输门单元，将第一电荷传输到电荷电压转换单元；第二传输门单元，耦合电荷电压转换单元和电荷累积单元的电位；第三传输门单元，将第二电荷传输到电荷累积单元；溢出路径，将溢出电荷从第二光电转换单元传输到电荷累积单元，其中，溢出路径在第三传输门单元的门电极下方；滤色器，在第一和第二光电转换单元中的每一者上；和减光单元，在滤色器和第二光电转换单元之间，其中，减光单元被配置成减少进入第二光电转换单元的光。
- 专利分类
