[发明专利]一种基于电子束三维势阱存储的电子碰撞离子源在审

专利信息
申请号: 202211034442.9 申请日: 2022-08-26
公开(公告)号: CN115360079A 公开(公告)日: 2022-11-18
发明(设计)人: 曲三标;单旭;陈向军 申请(专利权)人: 中国科学技术大学
主分类号: H01J49/14 分类号: H01J49/14;H01J49/26
代理公司: 合肥金安专利事务所(普通合伙企业) 34114 代理人: 金惠贞
地址: 230026 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明涉及一种基于电子束三维势阱存储的电子碰撞离子源,属于质谱仪技术领域。包括电子枪和电离室两部分。电子枪包括推迟电极、环形灯丝电极、栅极、调制电极、阳极;电离室是第一阳极和第二阳极的中心凹槽围城的空间区域。本发明电子碰撞存储离子源首次利用环面电子束的空间电荷效应制备一个窄而深的三维势阱,对离子实现高效率长时间的存储。具有存储效率高、时间长和非点源效应小等特点,其灵敏度比传统无存储离子源的极限灵敏度提高了2‑3个数量级,广泛应用于质谱分析仪器,尤其是便携式小型化设备,对微量物质分析有广阔的应用前景,在星际空间极微量物质及同位素的探测领域也具有潜在的应用价值。
搜索关键词: 一种 基于 电子束 三维 势阱 存储 电子 碰撞 离子源
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