[发明专利]一种极耐湿度的稳定型忆阻器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种极耐湿度的稳定型忆阻器及其制备方法。忆阻器由上至下依次包括顶电极、有机活性层、底电极和基底，有机活性层由有机小分子材料全氟酞菁铜制备。本发明的忆阻器表现出优异的湿度稳定性，在60%相对湿度的空气中暴露1年后仍能保持良好的忆阻特性，在90%相对湿度的恒温恒湿箱中放置45天依旧具有性能，最重要的是将器件浸泡在水中96小时后仍能正常工作，除浸泡在水中之外，发现将其浸泡在氨水中48小时后仍具有性能，证明本发明可抵抗比水更恶劣的环境。本发明可用于构建耐高湿度神经形态系统的人工突触器件，弥补了目前忆阻器件无法在水中正常工作的空白。