[发明专利]多晶硅层的炉内均匀性控制方法在审
| 申请号： | 202210748350.0 | 申请日： | 2022-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN115132579A | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 曲凯;史仁先;鲁艳春 | 申请（专利权）人： | 北海惠科半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L29/40;C30B28/14;C30B29/06 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 方良 |
| 地址： | 536000 广西壮族自治区北海市工业园区北*** | 国省代码： | 广西;45 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种多晶硅层的炉内均匀性控制方法，包括的步骤有：将多个衬底置于多晶硅沉积炉内，且至少是分布炉内的在炉口和炉尾处；将多晶硅沉积炉内的条件调节至多晶硅沉积条件，将气态的多晶硅前驱体从炉口和炉尾两端同时进气的方式导入多晶硅沉积炉内进行反应并沉积，在包括P+沟道内和连接区的表面形成多晶硅层；至少对炉口和炉尾处形成的多晶硅层厚度进行测定并获得炉内均匀性值，当多晶硅层厚度的炉内均匀性值大于预定值T，对炉尾进行升温处理或或对炉口进行降温处理。本申请控制方法能够明显改善多晶硅场板在量产过程中性能稳定，从而提高其良品率、产率和降低其成本。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 均匀 控制 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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